【产品】N沟道碳化硅MOSFET ASC30N1200MT3，静态漏源导通电阻典型值80mΩ
ASC30N1200MT3是爱仕特推出的一款N沟道碳化硅MOSFET。该器件采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，也确保了该产品具有低电容和栅极电荷。系统的优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系统尺寸。
绝对最大额定值（Tc=25℃）方面，其漏源电压为1200V，Tc=25℃时的漏极电流（连续）为32A，漏极电流（脉冲）高达80A，耗散功率（Tc=25℃）为145W。TJ=25℃条件下，其静态漏源导通电阻的典型值为80mΩ（VGS=20V，ID=20A）。该器件可用于EV充电、高压DC/DC转换器、开关模式电源、功率因数校正模块领域，其产品外形及内部电路如下图所示。
特点：
• 低电容高速开关
• 高阻断电压，低RDS(on)
• 易于并联，驱动简单
• 符合ROHS标准，无卤素
应用：
• EV充电
• 高压DC/DC转换器
• 开关模式电源
• 功率因数校正模块
订购信息：
绝对最大额定值(Tc=25℃)
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爱仕特SiC Chips选型表
提供爱仕特SiC Chips选型，覆盖TO-247-3，TO247-4L，TO-247-4，DFN8*8，DFN 10*12等常规封装，覆盖常规功率段，电压650V-3300V，电流5A-100A
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产品型号
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品类
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Package
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Voltage（V）
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RON(mohm)
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Temperature Range(℃)
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Status
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ASC8N650MT3
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SiC Chips
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TO-247-3
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650V
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320mohm
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-40~175℃
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Development
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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