【应用】亚纳秒级的增强型eGaN FET助力实现真正的无线充电
EPC正在开发多项技术来实现多级无线功率传输，如更高压的第五代产品、创新解决方案。
无线充电真的可行吗？
在无线功率传输应用中，放大器拓扑结构和设计的选择会影响放大器的效率。应用于放大器的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）及集成电路具备卓越性能，例如低输出电容、低输入电容、低寄生电感及小型化，成为高度共振式并与AirFuel标准兼容的无线充电系统的理想器件，可提高效率、实现更低成本及小型化。
近年来，配备无线充电功能的消费产品推动了无线充电的快速发展。无线充电的普及要求器件可以在6.78MHz和13.56MHz的更高频率ISM频段工作。共振系统在该频段允许高效率和高空间自由度。在这些高频率下，传统的硅基技术已经接近其性能极限。
作为硅基功率MOSFET的替代器件--增强型eGaN FET的开关转换速度在亚纳秒范围内，并且可以在高频、高压下工作，因此成为无线电源应用的理想器件。
氮化镓（GaN）器件是硅基MOSFET和功率集成电路的替代器件，这个共识最近获得多个业界竞争对手的认同。例如在PCIM Europe 2017研讨会上，松下在Bodo杂志的文章中提出了“功率晶体管宝座的新竞争者--GaN如何威胁了MOSFET称皇”。而GaN Systems公司的首席执行官在其演讲中也表示，GaN技术将接管MOSFET世界。
共振无线电源系统使用松散耦合并且高度共振的线圈，可调谐到高频率（6.78MHz或13.56MHz）。AirFuel Alliance已开发了一个针对共振无线电源应用的标准。该标准满足了方便使用的各种要求，例如发射器到设备的距离、设备的方向、单个发射器对多个设备同时充电，以及各种需要不同功率的设备。随着技术变得成熟和用户要求更好的无线充电体验，包括更高功率和更大的充电面积（例如办公桌面的面积），新的挑战正在出现。这些要求导致了更大的电流、更高的电压和在放大器中会产生更多的热量。
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