【应用】亚纳秒级的增强型eGaN FET助力实现真正的无线充电
EPC正在开发多项技术来实现多级无线功率传输,如更高压的第五代产品、创新解决方案。
无线充电真的可行吗?
在无线功率传输应用中,放大器拓扑结构和设计的选择会影响放大器的效率。应用于放大器的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)及集成电路具备卓越性能,例如低输出电容、低输入电容、低寄生电感及小型化,成为高度共振式并与AirFuel标准兼容的无线充电系统的理想器件,可提高效率、实现更低成本及小型化。
近年来,配备无线充电功能的消费产品推动了无线充电的快速发展。无线充电的普及要求器件可以在6.78MHz和13.56MHz的更高频率ISM频段工作。共振系统在该频段允许高效率和高空间自由度。在这些高频率下,传统的硅基技术已经接近其性能极限。
作为硅基功率MOSFET的替代器件--增强型eGaN FET的开关转换速度在亚纳秒范围内,并且可以在高频、高压下工作,因此成为无线电源应用的理想器件。
氮化镓(GaN)器件是硅基MOSFET和功率集成电路的替代器件,这个共识最近获得多个业界竞争对手的认同。例如在PCIM Europe 2017研讨会上,松下在Bodo杂志的文章中提出了“功率晶体管宝座的新竞争者--GaN如何威胁了MOSFET称皇”。而GaN Systems公司的首席执行官在其演讲中也表示,GaN技术将接管MOSFET世界。
共振无线电源系统使用松散耦合并且高度共振的线圈,可调谐到高频率(6.78MHz或13.56MHz)。AirFuel Alliance已开发了一个针对共振无线电源应用的标准。该标准满足了方便使用的各种要求,例如发射器到设备的距离、设备的方向、单个发射器对多个设备同时充电,以及各种需要不同功率的设备。随着技术变得成熟和用户要求更好的无线充电体验,包括更高功率和更大的充电面积(例如办公桌面的面积),新的挑战正在出现。这些要求导致了更大的电流、更高的电压和在放大器中会产生更多的热量。
相关技术文档:
EPC 硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管选型指南 详情>>>
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本网站所有内容禁止转载,否则追究法律责任!
相关推荐
【应用】氮化镓场效应晶体管导通电阻具有正温度系数,助力并联器件设计
EPC的氮化镓RDS(ON)的温度特性均是正温度系数, RDS(ON)随着器件温度的增加而增加,这样并联使用时,管子的RDS(ON)自行调控,从而均衡所有管子的电流和温度的均衡度,提高并联系统的稳定性。
【应用】纳秒级开关速度氮化镓场效应晶体管,适合开关频率10MHz以上的应用
EPC8000系列具备了氮化镓晶体管的超高速切换能力,将EPC第三代eGaN FET技术引入了新的水平,这些器件的开关转换速度在纳秒级,能够应用于10 MHz以上的硬开关拓扑中。
EPC(宜普)增强型氮化镓功率晶体管技术简介(中文版)
描述- 本文介绍了eGaN® FET技术,一种增强型氮化镓功率晶体管技术。与硅MOSFET相比,eGaN FET在开关频率、效率、功率密度等方面具有显著优势。文章详细阐述了eGaN FET的应用优势,包括无线电源、射频放大器、马达驱动器等,并提供了选型指南和设计支持资源。
型号- EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033
EPC(宜普)氮化镓场效应晶体管面向D类音频放大器应用简介 中文版(AB003)
描述- 本文介绍了eGaN®技术氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在D类音频放大器应用中的优势。eGaN FET具有更低的传播延迟、更快的slew rate和零反向恢复电荷(QRR),从而实现更低的开环失真、总谐波失真和总功耗。文章还提供了eGaN FET在D类音频放大器设计中的推荐器件和参考设计。
型号- EPC2036,EPC9509,EPC9001C,EPC2010C,EPC9003C,EPC2016C,EPC2019,EPC9106,EPC2032,EPC9046,EPC2031,EPC9047,EPC2034,EPC9048,EPC2033,EPC9061,EPC9062,EPC9040,EPC9002C,EGANAMP2016,EPC2103,EPC2001C,EPC2029,EPC2106,EPC2015C,EPC2108,EPC9010C,EPC2107,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC2021,EPC9035,EPC2020,EPC9014,EPC9510,EPC2022,EPC9033,EPC9055,EPC9050,EGANAMP 2.1,EPC9006C
【产品】低损耗高效率GaN高频增强型功率晶体管,总栅极电荷仅370pC
EPC的EPC8009导通电阻为90mΩ,具有很低的FOM值。
【技术】氮化镓场效应晶体管两种散热方式,你知道么?
EPC场效应晶体管的D2PACK封装具的RθJA值小至18℃/W,而封装SO-8具有RθJA值大到34℃/W。
【经验】EPC进行一系列严格的压力测试,以保证eGaN FET可靠性
前面内容详细介绍了EPC公司的增强型氮化镓(eGaN)FET和集成电路(ICS)的现场可靠性经验。 eGaN器件卓越的现场可靠性证明了基于应力的鉴定测试能够确保客户应用的可靠性。 在本文中,我们将研究EPC设备进行压力测试来保证产品的合格性。EPC产品只有完成一系列严格的应力测试才能为生产做准备,同时在数据表规格内运行。采用压力测试来加速潜在的故障模式。
【白皮书】EPC(宜普)氮化镓场效应晶体管FET电气特性(WP007)
描述- 本文介绍了eGaN FETs的基本电气特性,并与硅MOSFET进行了比较。了解这两种技术的异同,是了解如何改进现有的电力转换系统的必要基础。
【专题】硅MOS的终结者——氮化镓eGaN FET
相比先进的硅基器件,当今商用化的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)及集成电路的性能高出5至50倍。
【白皮书】EPC(宜普)氮化镓场效应晶体管驱动器和布局注意事项(WP008)
描述- eGaN FETs不同于他们的硅同行,因为它们更快的切换速度,因此对栅极驱动,布局和热管理有不同的要求,它们都可以相互作用。
电子商城
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论