【应用】基于增强型氮化镓功率晶体管INN650DA04的30W氮化镓快充方案，最大效率可提升约9%
不久前，苹果、三星接连倡导“为地球减负”的提议，宣布在用户购买手机时取消标配充电器。这一举措实实在在刺激了第三方充电器市场。为此，英诺赛科推出了20W氮化镓快充以及30W 氮化镓快充方案，可以同时满足苹果、三星、小米、华为、OPPO等手机用户的快充需求。
此款30W氮化镓快充采用了InnoGaN系列第二代增强型氮化镓功率晶体管INN650DA04，具备高频高效、极低损耗、快速主动散热等特点，同时采用DFN5*6进行封装，实现小体积、高效率，迅速成为市场焦点。
图 1
基于InoGaN技术的优越性，英诺赛科30W快充方案与传统方案相比，功率密度提高一倍，最大效率可提升9%左右，损耗更小，体积更小，性价比更高，势必成为消费者对30W快充的最佳选择。
InoGaN 30W 方案简介：
●输入电压范围：90~264 Vac
●输出电压范围：5~20 V
●尺寸：32*36*19
●功率密度：22.5 W/in³
●最高效率：93%
●方案芯片：INN650DA04（GaN）+SC3021（直驱GaN IC）+SC3503（同步整流），HUSB339（协议）
InoGaN 30W 方案性能特征：
1、功率密度提升一倍，速度更快
相对传统的Si MOS方案，此款30W氮化镓方案功率密度提升一倍，简洁的构造使其比传统20W方案的产品体积更小，生产环节更简易、方便，为千万级30W快充市场所需的大批量供应、高效率产能提供有力保障。
图 2
2、效率提升9%，稳定性更强
基于英诺赛科高频高效的特性，30W氮化镓方案效率得到了质的飞跃，与市面上主流的Si MOS方案相比，在90V输入条件下效率可提升9%。不仅达到了节能效果，还可以减小损耗，大大降低外壳温升，安全性更高、稳定性更强。
图 3
当电压为90V时，InnoGaN 30W Demo与某主流品牌20W快充温升对比如下：
图 4
当电压为264V时，InnoGaN 30W Demo与某主流20W快充产品温升对比如下：
图 5
3、极简设计，性价比更高
此款30W氮化镓快充的高频特性，在实现高效率和小尺寸方面，明显优于Si MOS。由于GaN的效率足够高，可以节省热片设计，从而实现小尺寸高效率的紧凑型适配器设计，通过更好地控制内部温升，以及GaN相对Si更强的抗高温特性，搭配简洁的设计和布局，大大降低了系统成本与加工成本。
得益于全球首条8英寸增强型硅基氮化镓功率器件量产线及先进的研发品控分析能力，英诺赛科InnoGaN系列的整体性能、成本、产能均得到很好的把控。此次利用氮化镓技术重点打造高频高效、高性价比的30W快充方案或成为快充市场上的又一创新之举，不断满足用户对充电器通用性、便携性、高效率的需求，引领氮化镓快充市场快速发展。
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型号- INN150LA070A,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN100W08,INN040LA015A,INN100W14,INN650D190A,INN650D080B,INN40W08,INN650N500A,INN650D350A,INN040W048A,INN650TA030A,INN650DA190A,INN650DA350A,INN650N260A,INN650DA150A,INN650DA260A,INN100W032A,INN650N150A,INN650TA080A,INN650N140A,INN650N240A
英诺赛科（Innoscience）INN650D02—650V GaN增强型功率晶体管数据手册
描述- INN650D02 650V GaN Enhancement-mode Power Transistor Datasheet
型号- INN650D02
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