【应用】基于增强型氮化镓功率晶体管INN650DA04的30W氮化镓快充方案，最大效率可提升约9%
不久前，苹果、三星接连倡导“为地球减负”的提议，宣布在用户购买手机时取消标配充电器。这一举措实实在在刺激了第三方充电器市场。为此，英诺赛科推出了20W氮化镓快充以及30W 氮化镓快充方案，可以同时满足苹果、三星、小米、华为、OPPO等手机用户的快充需求。
此款30W氮化镓快充采用了InnoGaN系列第二代增强型氮化镓功率晶体管INN650DA04，具备高频高效、极低损耗、快速主动散热等特点，同时采用DFN5*6进行封装，实现小体积、高效率，迅速成为市场焦点。
图 1
基于InoGaN技术的优越性，英诺赛科30W快充方案与传统方案相比，功率密度提高一倍，最大效率可提升9%左右，损耗更小，体积更小，性价比更高，势必成为消费者对30W快充的最佳选择。
InoGaN 30W 方案简介：
●输入电压范围：90~264 Vac
●输出电压范围：5~20 V
●尺寸：32*36*19
●功率密度：22.5 W/in³
●最高效率：93%
●方案芯片：INN650DA04（GaN）+SC3021（直驱GaN IC）+SC3503（同步整流），HUSB339（协议）
InoGaN 30W 方案性能特征：
1、功率密度提升一倍，速度更快
相对传统的Si MOS方案，此款30W氮化镓方案功率密度提升一倍，简洁的构造使其比传统20W方案的产品体积更小，生产环节更简易、方便，为千万级30W快充市场所需的大批量供应、高效率产能提供有力保障。
图 2
2、效率提升9%，稳定性更强
基于英诺赛科高频高效的特性，30W氮化镓方案效率得到了质的飞跃，与市面上主流的Si MOS方案相比，在90V输入条件下效率可提升9%。不仅达到了节能效果，还可以减小损耗，大大降低外壳温升，安全性更高、稳定性更强。
图 3
当电压为90V时，InnoGaN 30W Demo与某主流品牌20W快充温升对比如下：
图 4
当电压为264V时，InnoGaN 30W Demo与某主流20W快充产品温升对比如下：
图 5
3、极简设计，性价比更高
此款30W氮化镓快充的高频特性，在实现高效率和小尺寸方面，明显优于Si MOS。由于GaN的效率足够高，可以节省热片设计，从而实现小尺寸高效率的紧凑型适配器设计，通过更好地控制内部温升，以及GaN相对Si更强的抗高温特性，搭配简洁的设计和布局，大大降低了系统成本与加工成本。
得益于全球首条8英寸增强型硅基氮化镓功率器件量产线及先进的研发品控分析能力，英诺赛科InnoGaN系列的整体性能、成本、产能均得到很好的把控。此次利用氮化镓技术重点打造高频高效、高性价比的30W快充方案或成为快充市场上的又一创新之举，不断满足用户对充电器通用性、便携性、高效率的需求，引领氮化镓快充市场快速发展。
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本文由三年不鸣转载自英诺赛科，原文标题为:英诺赛科推出30W氮化镓快充方案，内置INN650DA04，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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描述- 英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。主要产品涵盖从低压到高压（30V-650V）的氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。
型号- INN150LA070A,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN100W08,INN040LA015A,INN100W14,INN650D190A,INN650D080B,INN40W08,INN650N500A,INN650D350A,INN040W048A,INN650TA030A,INN650DA190A,INN650DA350A,INN650N260A,INN650DA150A,INN650DA260A,INN100W032A,INN650N150A,INN650TA080A,INN650N140A,INN650N240A
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型号- INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN650DA150A,INN650DA260A
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