【产品】有望取代MOSFET整体市场的氮化镓场效应晶体管

时间： 2017-08-15 来源：EPC

技术问答

氮化镓FET是什么？

EPC的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）以更高的开关速度工作，所以转换器可以比硅MOSFET在更高的频率下工作，消耗更少的能源。因此，可以为最终用户实现更高的无线充电性能，更高效率和更快速的电池充电。

eGaN FET技术的整体优势是通过开关速度高使性能更优越，加上其固有的更低开关损耗，因此可以比传统MOSFET技术更节约能源。另外，eGaN FET的较低损耗产生优越的散热性能（以更低温运行而能够节省能源）。

可见，氮化镓場效应晶体管将取代现有MOSFET整体市场的大部分市场。

从客户需求出发，为客户创造最高的价值

EPC为客户需求出发，在2017年短短的半年里为客户締造了多項新里程，包括于第一季度推出全新的第五代氮化镓技术，并且在第二季度推出更多符合市场需求的产品。重要的是，第9阶段产品可靠性测试报告进一步提高客户对氮化镓产品的信心——进一步取得MOSFET和全新市场份额，例如激光雷达应用。

全新第五代eGaN技术在性能及成本上实现质的飞跃--产品具备更高的性能、小型化及更低的成本。EPC2045（7mΩ、100V）及EPC2047（10mΩ、200V）氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）比前一代eGaN晶体管的尺寸减半并且性能得到显著提升。EPC2046（25mΩ、200V）更比等效MOSFET小型化12倍。EPC2045应用于开放式伺服器架构以实现48V转至负载的单级电源转换、负载点（POL）转换器、USB-C及激光雷达（LiDAR）等应用。EPC2047/2046的应用包括无线充电、多级AC/DC电源供电、机械人应用及太阳能微型逆变器。

EPC也提供3块开发板以帮助工程师易于对EPC2045及EPC2047的性能进行评估，包括内含100V的EPC2045晶体管的开发板（EPC9078及EPC9080）和内含200V的EPC2047的开发板（EPC9081）。EPC9079开发板内含EPC2046晶体管、板载栅极驱动电源及旁路电容。

至于全新的集成电路EPC2111氮化镓半桥功率晶体管可帮助工程师提高整个负载点系统应用的效率：在14A、12V转到1.8V、5MHz开关时实现超过85%效率，以及在10MHz开关时实现超过80%效率。

此外，第九阶段可靠性测试报告记录受测器件在累计超过900万个器件-小时的应力测试后，并没有器件发生故障。该报告聚焦电路板热机械可靠性，以及与可比的封装器件相比，采用晶圆级芯片封装（WLCSP）的氮化镓晶体管具备卓越的可靠性。

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