【应用】采用SiC MOSFET和Si SJ MOSFET的图腾柱PFC助力电源系统高性能设计,效率超过98%

2020-05-30 ROHM
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一些特定领域,比如数据中心,对能源具有较高需求,尤其需要高效率的电源。计算基础设施对功率的需求越来越大,为了降低设施成本和生态足迹,高效的能量转换系统势在必行。本文中,ROHM将讨论基于SiC的图腾柱PFC可以应对这一挑战。


前言

电网采用交流输电方式将发电机的能量输送给负载。但是,许多现代电子负载(比如计算机处理器)都需要直流电(DC)。因此,大多数现代电子负载输入处的电源单元(PSU)需要将AC转换为DC。另外,这种PSU还得将电压转换为所在系统所需的电平,以驱动最终负载。在许多情况下,DC-DC转换部分还扮演着电流隔离的角色,对系统起保护作用。如果系统所需的功率较低(通常不超过3.6kW)的话,一般输入系统为单相AC输入,电压在85V至265V之间,频率为50 Hz或60Hz(取决于国家和地区)。单相电源单元的一般结构如图1所示。

图1  单相电源单元的一般高层结构


为了获得最高效率等级认证——80 Plus钛金认证,冗余电源需要在输入电压为230V、负载为标称负载的50%时至少达到96%的效率。此外,还必须满足负载为10%、20%和100%时的效率目标以及输入电压为115V时的效率目标。如果PSU的DC-DC部分的效率为98%(软开关转换器可以实现此效率),那么负载为50%时,AC-DC部分的效率必须至少要达到98%,才能满足80 Plus钛金认证总体效率为96%的目标。 


具有功率因数校正功能的AC-DC转换拓扑

本文主要讲述具有功率因数校正功能的AC-DC电路。这部分电路存在多种电路拓扑,一些常见结构请参见图2。单相PFC部分的经典拓扑结构是Boost PFC,该结构也可能是实现该功能的最简单的拓扑结构。该拓扑由低频二极管整流器与标准升压转换器(通常由一个SJ MOSFET和一个SiC SBD组成)构成。系统控制SJ MOSFET的栅极驱动,从而从交流电源汲取正弦电流。对于更大功率(比如3.6kW),升压转换器一般通过由两个电感、两个SiC SBD和两个SJ MOSFET组成的交错式结构实现。此结构可以实现高效率以及适当的输出功率。但是,这种拓扑存在一个局限性,那就是低频整流桥的传导损耗。这限制了经典升压PFC可以实现的最大效率。

其他拓扑,比如两相无桥PFC和图腾柱PFC,就无需低频输入整流器,因此可以获得更高的效率。尽管两相无桥PFC拓扑可以实现良好的性能,但是,其主要缺点是任一桥臂只在一半电网周期内运行,而在另外一半周期内处于空闲状态。这导致循环负载较高,且部件的利用率差。


随着诸如SiC MOSFET之类的宽禁带器件的出现,图2所示的两种图腾柱PFC变体结构越来越受欢迎。尽管人们在文献中已经对该拓扑进行了广泛讨论,但是其实际应用仅限于低功耗情况,这是因为该结构采用的SJ MOSFET的体二极管性能使得系统无法工作在连续电流模式(CCM)下。为了避免SJ MOSFET中高损耗体二极管的硬换向,电路需要工作在不连续电流模式(DCM)下,这会导致较大的纹波电流。 


如今,现代宽禁带功率半导体器件(比如SiC MOSFET和GaN HEMT)能够让图腾柱PFC在CCM模式下工作,而且纹波电流很小。这是可能的,因为SiC MOSFET的体二极管适用于硬换向,且反向恢复损耗低。


图腾柱PFC的详细工作原理

为了工作在连续电流模式(CCM)下,图腾柱PFC需要两个具有高性能体二极管的高频功率半导体开关,即图3中的Q1和Q2。Q1和Q2可以采用SiC MOSFET,非常有效。对于以电网频率工作的两个开关(图3中的Q3和Q4),不需要高性能体二极管,因此可以使用Si SJ MOSFET。对于某些性能要求稍低、需要节约成本的设计,可以采用二极管替代Q3和Q4。


图3  图腾柱PFC中的电流路径  ,红色:充电电感的电流路径,绿色:续流路径


在这种拓扑中,Si SJ MOSFET的开关频率为电网频率。如图3 a)所示,在正半波中,Q4常开。初级升压开关Q2导通后,输入电感器Lin中的电流增大。在此阶段,负载电流由直流连接电容提供。Q2关断后,电流通过Q1的体二极管续流。短暂的死区时间后,Q1的栅极导通,SiC MOSFET的沟道接管电流(同步整流)。正向半波期间Q1和Q2的理想电流以及栅极信号如图4所示。

在输入电压的负半波中,开关Q1和Q2作为主开关和同步整流器功能互换。此外,在该半波周期中,电流流过Q3,而Q4保持关断状态。负半波周期的电流路径如图3 b)所示。


通过分析可以看出,SiC MOSFET的体二极管是在进行硬换向。但是,这对于SiC MOSFET来说不是问题,因为其体二极管的反向恢复损耗非常低。


3.6kW图腾柱PFC的验证模型

为了说明基于SiC MOSFET的图腾柱PFC的性能,以下设计了一个验证模型,其技术规格如下所示:

验证模型的照片如图5所示。尺寸和紧凑性不是本次设计的主要目标,因为主要目的是能够轻松访问转换器的各个关键部件,以便进行测试。在测试系统中,高频开关(图3中的Q1/Q2)采用650V 60mΩ 沟槽结构SiC MOSFET(SCT3060AR),其封装为TO-247-4L;运行在电网频率上的支路则采用600V 60mΩ Si SJ MOSFET(R6047ENZ4)。对于所选开关频率和最大输出功率,60mΩ SiC MOSFET可以在开关损耗和导通损耗之间实现良好的平衡。如果想进一步提高效率,可以用具有更低RDS(on)的MOSFET来替代工作在电网频率下的SJ MOSFET,因为这些组件的开关损耗无关紧要。


对于SiC MOSFET的栅极驱动,高压侧和低压侧都采用隔离栅极驱动器

BM61S41RFV,以充分利用TO-247-4L的驱动检测引脚。为了驱动Si SJ MOSFET,采用了一个双通道栅极驱动IC(BM60212FV-C),实现高压侧自举升压电源。

图5  3.6 kW图腾柱PFC的验证模型


基于SiC的图腾柱PFC的实验结果

使用上述验证模型,可以在输出功率为3.6kW的条件下进行测试。在整个输出功率范围内,低压输入(Vin = 110V)和高压输入(Vin = 230V)的实测效率如图6所示。高压输入时,系统的峰值效率为98.5%;在500W和满载之间,整体效率保持在98%以上。


图6   图腾柱PFC验证模型的实测效率(Vout = 400 V, fSW = 100 kHz, SCT3060AR, R6047ENZ4)


在测试过程中,用红外热成像仪测量功率器件的外壳温度。从图7的测量结果可以看出,器件在最大输出功率时外壳温度约为100°C(环境温度为25°C)。即便环境温度升高,损耗减少措施和冷却系统的改善也有助于确保器件的热稳定性

图7  半导体器件外壳的温度测量值(Vin=230V, Vout=400V, fSW=100 kHz)


测量结果显示,使用SiC MOSFET和Si SJ MOSFET的图腾柱PFC可以成为电源单元3.6kW AC-DC部分的高性能解决方案。即使在100 kHz开关频率下,效率也足够高,如果所用DC-DC部分的效率大于98%,那么就可以获得80 Plus钛金认证。


总结

对于很多电源来说,高效率是至关重要的参数。特别是对于计算机系统的电源,需要满足许多明确的要求才能获得某些能效认证。传统AC-DC转换拓扑的短板在于输入处的二极管桥式整流器。这些二极管中的传导损耗会限制电源的总体效率。本文描述的图腾柱PFC则可以克服这一问题,是一种非常有前景的拓扑结构。实验结果表明,使用罗姆半导体公司在售的SiC MOSFET和Si SJ MOSFET,电源系统可以获得高于98%的效率。

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器件选型    发布时间 : 2020-12-29

ROHM(罗姆)SiC(碳化硅)MOSFET选型指南(英文)

目录- SiC MOSFETs   

型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KE,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT2280KE,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4036KW7HR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT3105KL,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR

选型指南  -  ROHM  - Edition 2022  - 2022/8/3 PDF 英文 下载 查看更多版本

罗姆集团综合产品目录

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选型指南  -  ROHM  - 2024版  - 12.2023 PDF 中文 下载

【经验】简析Sic MOSFET相对于IGBT器件的三个优势:低导通损耗、低开关损耗、高驱动电压条件下更低导通电阻

ROHM的SCT2080KEHR是1200V,导通电阻是80mΩ,电流40A,封装TO-247-3的车规级SiC MOSFET,驱动电压范围VGSS在 -6V~+22V,驱动范围比较窄。本文以CT2080KEHR为例,对比市场通用的1200V/40A的TO-247-3的IGBT单管,说明Sic MOSFET在导通损耗和开关损耗上更具优势。

设计经验    发布时间 : 2020-07-01

【经验】以SIC MOSFET SCT3040KR为例说明SiC MOS应用中Vds关断尖峰的应对策略

在SiC MOS应用中,通常在mos关断过程中存在较大的Vds尖峰,主要原因在Turn ON 时流过的电流的能量储存在线路和基板布线的寄生电感中,并与开关元件的寄生电容共振所产生的。本文将以ROHM SiC MOSFET SCT3040KR为例说明SiC MOS应用中Vds关断尖峰的应对策略。

设计经验    发布时间 : 2019-11-28

ROHM Application Brochure for AUTOMOTIVE

型号- YQ10RSM10SD,BD52W04G-C,MCR01MZPF4302,BD900N1W,YQ12RSM10SD,YQ15RSM10SD,MCR01MZPF4702,SCT4062KW7HR,BR25H020,BR24H64,RB088LAM-60TF,YQ20BM10SD,BD933N1,SCT4045DRHR,PSR400,BD9P205EFV-C,MCR01,BD5310XG-CZ,LTR18,YQ3LAM10D,BD52W01G-C,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,BR25H128,BR25H010,BR25H1M,BR25H256,BD53103G-CZ,RB520ASA-30FH,RB551ASA-30FH,RB088LAM-60TFV,BD53106G-CZ,BM2LE160FJ-C,BV1LE080EFJ-C,YQ2LAM10B,SCT4045DEHR,BD54105G-CZ,BR24H01,MCR01MZPJ000,BR25H320,BM2LE250FJ-C,BR24H02,RGW00TS65CHR,BR24H04,YQ2MM10A,BR25H040,RB751ASA-40FH,BV1LE250EFJ-C,BR25H160,BR24H08,SCT4026DW7HR,YQ40NL10CD,BD52W03G-C,RB520ASA-40FH,SCT4045DW7HR,BD48W00G-C,RGW80TS65CHR,LTR18 SERIES,RD3G04BBJFRA,MCR10 SERIES,BD53108G-CZ,BD54103G-CZ,BD52W06G-C,RB521ASA-30FH,BD63800MUF-C,BR24H512,BR24H256,MCR03EZPF4700,RB550ASA-30FH,SML-D12D1WT86,BR24HXXX-5AC,BD7XXL05G-C,SMLVN6RGBFU,BD54102G-CZ,BD950N1,BD48HW0G-C,REFLED003-EVK-001,REFLED003-EVK-002,SCT4036KEHR,BD9XXN1,REFLED003-EVK-003,YQ8RSM10SD,REFLED003-EVK-004,YQ5RSM10SD,BR24H128,MCR01MZPF1502,YQ3MM10B,YQ3RSM10SD,RB886ASAFH,BD53104G-CZ,YQ30NL10CD,BD52W05G-C,PSR,BM2LEXXXFJ-C,YQ30NL10SE,BD733L05G-C,SCT4062KWAHR,YQ30NL10SD,BD54107G-CZ,SML-D12FWT86,BD950N1W,BD725L05G-C,BM2LE040FJ-C,BR24H16,BD933N1W,BD730L05G-C,BD750L05G-C,RQ3L120BKFRA,BR24H1,BD900N1,PSR350,MCR10,BD52W02G-C,SCT4036KRHR,BR25HXXX-5AC,BR25H512,BM2LE080FJ-C,BR25H640,BD53105G-CZ,BR25H080,PSR100,BD82A26MUF-M,PSR500,YQ2VWM10B,YQ20NL10CD,LMR1901YG-M,RGW60TS65CHR,BD5410XG-CZ,SCT4062KEHR,BV1LE040EFJ-C,BD9P105EFV-C,MCR01MZPF1002,YQ1VWM10A,BD54104G-CZ,YQ60NL10CD,BD9S402MUF-C,SCT4045DWAHR,YQ20NL10SE,BV1LE160EFJ-C,MCR01MZPF8201,YQ20NL10SD,BD53107G-CZ,BR24H32,YQ5LAM10C,YQ5LAM10D,YQ5LAM10E,SCT4026DRHR,PSR330,SCT4026DWAHR,BV1LEXXXEFJ-C,MCR01 SERIES

应用及方案  -  ROHM  - Ver.3.0  - 2024/4/19 PDF 中文 下载

ROHM(罗姆)一次电源元器件选型指南(中文)

目录- 一次电源综合解决方案    一次电源产品矩阵    AC/DC转换器产品开发方针    各类电源方式的产品概要    各类产品的特点和产品阵容    第3代沟槽结构SiC MOSFET    第3代SiC肖特基势垒二极管    第2代超级结MOSFET(600V、650V)    第4代快速恢复二极管RFS/RFL系列    第3代快速恢复二极管RFNL7RFV系列    齐纳二极管    分流电阻器    高可靠性电阻器   

型号- BD7673AG,BD768XFJ,UDZGVTE-1713B,RFV12TG6S,BM2P141W,R6009JND3,BM1P105FJ,BM2P141X,KN 系列,R6507KNJ,BM2P249TF,R6025JNZ,PDZV,UDZFVFHTE-173.9B,UDZGVFHTE-173.9B,R6025JNX,UDZFVTE-178.2B,R6507KNX,UDZFVTE-177.5B,UDZGVFHTE-1718B,UDZFVTE-176.8B,SDR,BM2P131E,MCR01,SCT3022AL,BM2P104QF,UDZGVTE-1724B,MCR03,SCS306AHG,UDZGVTE-1712B,R6509KND3,SDZ,GMR,UDZGVTE-1736B,UDZGVFHTE-176.2B,R6047KNZ4,SCT3120AL,RFS20TJ6S,BM1PXXBFJ,BM2PA15,EDZV,UDZGVTE-1711B,PML50,SCT2280KE,BM2P137QK,R6009ENX,SCS210KGHR,BM1R001XXF,KTR25,SCS240AE2HR,UCR01,UCR03,BM2P131X,BM2P131W,UDZFVFHTE-176.2B,R6003KND3,BM1QXXX,R6009ENJ,SCT3080KL,SCS312AM,SFR,UDZGVFHTE-1716B,UDZGVTE-1722B,BM2P011,UDZGVTE-1710B,R6024KNZ4,BM2P139TF,RFV5BM6S,UCR18,BM2P016,R6547KNZ4,SCS240AE2,BM2P014,BM2P015,BM2P012,UCR10,BM2P013,BM1P101,SCT2750NY,R6070JNZ4,UDZGVFHTE-174.7B,UDZFVFHTE-174.7B,BM2P0361,BZX84B,BM1PXXCFJ,BZX84C,BM2PA35,RFNL10TJ6S,UDZGVTE-1733B,BM2P134E,BM1C102,BM1C101,UDZFVTE-1716B,AC/DC系列,R6511KND3,UDZGVTE-174.3B,SCS210AGHR,BM2P121W,BM2P134EF,BM1P107FJ,BM2P121X,BM2P012T,R6004KNX,UDZGVTE-173.6B,BM1P062FJ,BM2P137TKF,SCT2160KE,R6004JNJ,BD7672BG,R6030JNZ4,RFV,R6524ENZ,R6524ENX,UDZFVTE-1715B,UDZGVTE-1720B,UDZFVTE-1727B,UDZGVTE-175.1B,BM1Q001FJ,BM2P101GK,UDZGVFHTE-1715B,R6515KNX1,R6524ENJ,SCS210KE2,BM2P134Q,BM2P0141,UDZGVFHTE-1727B,R6011ENX,R6015KNX,R6015KNZ,RFVS8TG6S,RFNL10TJ6S*3,BM2P129TF,PML10,UDZFVTE-1718B,MCR10,BM1051F,BM2P133EK,UDZGVFHTE-175.6B,UCR006,UDZGVFHTE-1736B,UDZFVFHTE-175.1B,UDZGVFHTE-1724B,UDZGVFHTE-1712B,BM1P061FJ,BM2P014T,BMXFJ,BM2P0391,R6035ENZ4,UDZFVTE-179.1B,BM2P0151,PML18,R6020ENZ4,R6004KNJ,R6576KNZ4,BM2P101E,MCR25,SCS215AM,SCS215AG,UDZGVTE-1730B,BM1Q002FJ,BM2SCQ124T-LB,RFS30TZ6S,SCS215AE,UDZFVFHTE-173.6B,R6015KNJ,UDZFVFHTE-174.3B,UDZGVFHTE-1713B,R6011ENJ,BM1PXXX,BM2P0161,SCS220AGHR,RFL60TZ6S,MCR18,BM1050AF,BM2P181W,UDZFVTE-1724B,TFZV,UDZFVTE-1736B,R6007ENX,UDZFVTE-1712B,R6504KNJ,RFVS8TJ6S,BM2PXX1,UDZGV,RFL60TS6D,BM2P135TF,R6007ENJ,SCS230AE2,R6504KND3,BD7671FJ,PSR400,SCS210AM,R6035KNZ,SCS210AG,UDZFVTE-1711B,R6515KNX,UDZGVFHTE-179.1B,R6515KNZ,SCS210KE2HR,SCS215KG,R6030ENZ,R6030ENX,BM2P134QF,R6004JND3,BM2P061E,R6504KNX,BM1C102F,R6030KNZ4,R6507KND3,SCS220AM,BM1P06CFJ,PML100,BM2PXXX,R6011KNX,MCR50,SCS220AE,R6007END3,SCS220AG,ESR25,R6511ENX,SDR03,SDR05,R6511ENJ,BM2P064EF,R6515KNJ,BM1C101F,R6530ENZ,ESR,SCS310AHG,R6530ENX,UDZFVTE-1713B,UDZGVFHTE-176.8B,UDZGVFHTE-177.5B,SCT3080AL,UDZGVFHTE-178.2B,ESR10,UDZFV,ESR18,R6011KNJ,SCH2080KE,RGCL,MCR,BM2P051F,TDZV,SCS205KG,UDZFVTE-1720B,BM2P0922F,BM2P131GK,SCS212AGHR,R60XXENX,R6530KNZ4,R6535ENZ4,SCS205KGHR,BM2P0161K,ESR03,ESR01,BM1P066FJ,BD7692FJ,BM2P064E,BM2P052F,SCS212AM,R6012JNX,BM2P159PF,SCS212AG,UFZV,BM2P131FK,RFNL5TJ6S,SCS320AM,R6020ENX,R6024KNX,R6011KND3,R6020ENZ,R6524KNZ4,SCS206AGHR,R6024KNZ,BM2P053F,BD7681FJ,R6520ENZ4,BM1Q103FJ,R6509ENJ,R6020ENJ,BM2P151X,UDZFVTE-1722B,R6024KNJ,R6050JNZ4,RFNL20TJ6S,BM2P151W,R6535KNZ,RFV12TJ6S,UDZFVTE-1710B,MCR100,R6530KNX1,SCS320AHG,SCS310AM,R6509ENX,BM1P065FJ,PSR100,R6012JNJ,BM2P054F,BD7691FJ,BD7679G,SCS308AHG,R6076ENZ4,R6524KNX1,RFS60TZ6S,UDZFVTE-1733B,PML,BM2P0322,RFL30TZ6S,SCT3105KL,PMR,BM1Q104FJ,R6035KNZ4,R60XXKNX,R65XXENX,BM2P26CK,BM2PXXXC,SFR10,R6020JNJ,SCS308AM,UDZFVFHTE-1727B,UDZFVFHTE-1715B,SFR03,R60XX,BM2SCQ12XT,SFR01,R6520ENX,R6524KNX,R6520ENZ,BM1P068FJ,BD7690FJ,R6524KNZ,BD85506F,SCT3060AL,R6520ENJ,UDZV,UDZFVFHTE-1716B,R6009END3,R6524KNJ,SCT3030KL,UDZGVTE-179.1B,BM2SCQ121T-LB,PMR03,RFNL5BM6S,R6020KNZ4,RFV8BM6S,R6002END3,R6020KNX,SCS312AHG,BM2P189TF,R6020KNZ,PMR01,R6006KND3,BM2P061FK,R6015ENZ,BM2P074KF,R6007JNJ,R6020KNJ,UDZFVTE-1730B,BM2P107QKF,SFR25,RFV15TG6S,PMR18,BM1P067FJ,R6042JNZ4,BM2P061GK,PMR10,UDZFVFHTE-1718B,R6004ENJ,R6018JNX,R6004ENX,R6047ENZ4,UDZGVTE-176.8B,R6030JNZ,PMR25,R6509END3,R6015ENJ,R6502END3,SFR18,UDZGVTE-178.2B,KDZV,SCS210KG,RFV8TG6S,UDZGVTE-177.5B,R6007JNX,BM2P091F,R6015ENX,SCS215AGHR,BM2PXXXP,SCT3160KL,R6009JNX,R6020JNZ4,RFNL15TJ6S,R6009JNJ,R6507ENJ,SCT2450KE,R6007KND3,SCS220AE2,R6030ENZ4,R6507ENX,BM2P092F,RFV15TJ6S,SCS220KE2HR,PSR,R6511KNX,R6547ENZ4,SDR10,R6024ENZ4,BM2P093F,R6576ENZ4,UDZLV,RFNL5BGE6S,SCS208AGHR,R6009KNJ,SCT3040KL,SCS310A,RFNL,PTZ,BM2P094F,PSR500,R6511KNJ,SCT3017AL,PFC系列,R6006JND3,R80XXKNX,R6009KNX,R6020JNX,R6020JNZ,BM2P095F,BM2P109TF,SCS220KE2,SCS206AG,SCS304AM,SCT2H12NY,SCT2H12NZ,BM2P0522F,BM2P101W,BM1P101FJ,BM2P101X,BM2SCQ12XT-LB,BM2P101V,R6004END3,UDZFVFHTE-177.5B,UDZGVFHTE-1722B,BM2SCQ123T-LB,R6507END3,UDZFVFHTE-178.2B,UDZGVFHTE-1710B,BM2P016T,UDZFVFHTE-1730B,UDZGVTE-174.7B,BM2P091,UDZFVFHTE-176.8B,BM2P01XT,BM1Q001,UDZFVTE-173.9B,YFZV,R6076KNZ4,LTR18,RFV30TG6S,UDZFVFHTE-1720B,KDZLV,SCS315AM,UDZGVTE-176.2B,SCT2080KE,R6024ENZ,R6024ENX,UDZGVFHTE-1711B,SCS220AE2HR,R6535ENZ,SCS220KGHR,PMR100,LTR10,RFS30TS6D,R6024ENJ,CDZV,SCT3030AL,UDZFVTE-175.1B,BM2P104E,UDZFVFHTE-1733B,R6509KNJ,R6511END3,BM1Q011FJ,BM2P101FK,R6004JNX,UDZFVFHTE-179.1B,R6504END3,UDZGVFHTE-1720B,R6509KNX,SCS315AHG,R6025JNZ4,SCT2120AF,BM2P094,SCS304AHG,UDZFVTE-174.3B,BM2P092,BM2P093,UDZFVFHTE-1710B,UDZGVTE-1718B,BM2P107QK,UDZFVFHTE-1722B,R6007JND3,SCS230AE2HR,R65XXKNX,BM2PA96

选型指南  -  ROHM  - Ver.1.1  - 2019年11月 PDF 中文 下载

SCT2H12NZ 1700V高耐压SiC MOSFET

型号- SCT2280KE,SCT212AF,SCT2450KE,SCT2160KEAHR,SCT2450KEAHR,SCT2H12NZ,SCT3022KL,SCT2080KE,SCT3040KL,SCT3030KL,BD7682FJ-LB-EVK-402,SCH2080KE,SCT2H12NYSCT2750NY,SCT2080KEAHR,SCT2280KEAHR,SCT2160KE

商品及供应商介绍  -  ROHM  - 08.2016 PDF 中文 下载

SiC MOSFET损耗计算方法:通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法

本文ROHM将介绍根据在上一篇文章(《SiC MOSFET损耗计算方法:开关波形的测量方法》)中测得的开关波形,使用线性近似法来计算功率损耗的方法。

技术探讨    发布时间 : 2024-05-25

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品牌:ROHM

品类:Side Driver

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品类:MOSFET

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品类:SiC MOSFET

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品类:SiC MOSFET

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品类:SiC MOSFET

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品类:晶体管

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品牌:ROHM

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品牌:ROHM

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品类:Transistor

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品类:transistor

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品类:Transistor

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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

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