【选型】新洁能新一代Split Gate Trench MOSFET满足5G通信设需求，短路能力提升20%以上，
如今的许多应用环境，如计算和存储、通信交换机和路由器以及无线通信，越来越依赖于数据处理，为了满足5G通信下庞大的数据体系，进一步推动了5G通信设备中功率电路的发展应用。整个电源系统必须具有高能效和高密度，以提供所需的高水平电源性能。
新洁能推出的Super-Junction MOSFET Gen.3&Split Gate Trench MOSFET系列产品在保持合理的功耗下将高能效发挥到极致，全面提升了器件的开关特性和导通特性。在优化供电的所有关键方面，通过功能性升级与工艺技术优化来降低总体成本。
目前，新洁能已推出第二代Split Gate Trench MOSFET相比于第一代产品，第二代产品特征导通电阻降低20%以上，ESD能力、大电流关断能力、短路能力提升20%以上，具有更低的栅极电阻，可以满足客户更高能效更高可靠性的需求，产品的性价比进一步提升。
图 1
推荐产品
●PFC:
Super-Junction Gen.3 MOS & Super-Junction Gen.3 TF MOS & Super-Junction Gen.4 MOS & Super-Junction Gen.4 NF MOS：VDS=650V-700V Ron@10V（max）=140mΩ-360mΩ
●Fly back:
Super-Junction Gen.3 MOS & Super-Junction Gen.3 TF MOS & Super-Junction Gen.4 MOS & Super-Junction Gen.4 NF MOS：VDS=650V-700V Ron@10V（max）=140mΩ-360mΩ
●同步整流：
N-channel SGT Gen.2 MOS & N-channel SGT Gen.1 MOS：VDS=100V-150V Ron@10V（max）＜10mΩ
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