【经验】IGBT栅极充放电平均电流计算，以RGT40TS65DGC11为例说明
在进行IGBT驱动时，假设当驱动脉冲信号加到栅极之前，栅极和发射极之间的初始电压为零。驱动信号的幅值为U，Uge电压由零上升到U时间为Tc，则该电压上升过程可以看成由驱动脉冲对Cge和Cgc两个结电容充电。因此充电电流计算可以分为两部分。
第一部分为驱动脉冲对Cge充电，电压由零上升到U，该平均电流为：
第二部分为驱动脉冲对Cgc充电，设集电极-发射极电压为Vce，忽略集电极-发射极的导通压降。则Cgc电压Ugc又从负的Vce上升到到U，电压共变化U+Vce，该平均电流为：
因此充电平均电流Ic为：
栅源极电压VGE由U下降到0的时间为Tf，则可以得到放电的平均电流为If：
以ROHM IGBT RGT40TS65DGC11 单管为例，其结电容参数如下图：
图一：RGT40TS65DGC11 结电容参数表格
其中：
Cies = CGE + CGC：输入电容（输出短路）
Coss = CGC + CEC：输出电容（输入短路）
Cres = CGC：反馈电容（米勒电容）
由上式可以得到CGC=18pF，CGE=1052pF。而充电时间Tc则可粗略计算为(Rgext+Rgin)*Cies，其中Rgext取10Ω，Tc取数据表中的上升时间为29ns。当驱动电压为+15V,Vce=450V时，代入公式可以得到充电驱动平均电流为：
Ic=[（1052*15*10-12）+18*10-12(450+15)]/29*10-9=832.7mA。
在实际设计时，可以根据开关管的实际参数估算出充电与放电回路所需的灌、拉电流，从而设计合适的驱动电路。从以上平均电流的计算公式可以看出，增大平均电流可以减小充放电的时间，但是由于开关管的内部结构限制了最大的充电电流，因此设计时还应该参看所需驱动的开关管的参数。
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ROHM IGBT选型表
提供电压范围600-1800V，电流范围3-80A的IGBT单管（场截止沟槽型IGBT/Field Stop Trench IGBT）选型，8种行业标准封装，工业级和车规级产品。
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产品型号
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品类
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电压（V）
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电流(A)
|
封装
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器件等级
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RGS30TSX2GC11
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Field Stop Trench IGBT
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1200V
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15A
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TO-247N
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Industrial Grade
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选型表 - ROHM 立即选型
ROHM（罗姆）IGBT选型指南（英文）
描述- ROHM's IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) contribute to higher efficiency and energy savings for a wide range of high voltage and high current applications.ROHM's IGBTs contribute to greater efficiency and energy savings in a variety of high-voltage, large-current applications, including electric vehicles (EVs), trains, air conditioners, portable welding machines, DC/AC inverters.
型号- RGSX5TS65HR,RGW50TS65,RGS30TSX2DHR,RGW50TK65,RGTH40TS65,RGW40TK65,RGWX5TS65HR,RGS60TS65DHR,RGW40TS65,RGW00TS65DHR,RGSX5TS65DHR,RGS30TSX2D,RGTH50TS65,RGT20TM65D,RGTH60TS65D,RGW80TS65DHR,RGT8NS65D,RGPR50NL45HRB,RGTH60TK65D,RGT40NL65D,RGTH40TK65,RGTH00TK65D,RGT40TS65D,RGT30NS65D,RGW80TS65,RGTVX2TS65,RGW80TK65,RGT50TM65D,RGTV60TK65D,RGT16NL65D,RGW60TS65D,RGTV60TS65D,RGT50NS65D,RGS50TSX2D,RGC80TSX8R,RGW60TK65D,RGW00TK65D,RGS30TSX2HR,RGS80TSX2HR,RGTH50TK65,RGW00TS65CHR,RGTH80TS65,RGT40TM65D,RGCL80TK60,RGS30TSX2,RGTVX2TS65D,RGS00TS65DHR,RGPR20BM36HR,RGW60TS65EHR,RGW00TS65D,RGT40NS65D,RGTH80TK65,RGCL80TS60,RGS80TSX2DHR,RGW80TS65CHR,RGTH80TS65D,RGPZ10BM40FH,RGT20NL65D,RGTHD40TS65HR,RGWX5TS65EHR,RGS60TS65HR,RGTH80TK65D,RGS80TS65HR,RGT80TS65D,RGPZ30BM56HR,RGTH50TS65D,RGPR20NL43HR,RGW60TS65HR,RGW00TS65HR,RGW50TK65D,RGS80TS65DHR,RGS80TSX2,RGT50TS65D,RGW00TS65,RGW80TS65HR,RGSX5TS65E,RGT30NL65D,RGTVX6TS65,RGW80TK65E,RGW80TK65D,RGT30TM65D,RGW80TS65D,RGPR30NS40HR,RGS00TS65EHR,RGW60TS65DHR,RGWX5TS65D,RGW50TS65D,RGCL60TS60,RGT8TM65D,RGS50TSX2,RGPR10BM40FH,RGCL60TK60,RGTV80TK65,RGCL80TK60D,RGCL80TS60D,RGTV00TK65D,RGS50TSX2DHR,RGTV80TS65,RGTV00TS65D,RGT8BM65D,RGWX5TS65DHR,RGTH00TS65D,RGT20NL65,RGTV60TS65,RGTV00TK65,RGWX5TS65,RGTV00TS65,RGCL60TK60D,RGT8NL65D,RGTH00TK65,RGTV60TK65,RGPR30BM40HR,RGTH60TK65,RGT60TS65D,RGT16NS65D,RGT20NS65D,RGS50TSX2HR,RGTVX6TS65D,RGW00TS65EHR,RGTH40TS65D,RGT00TS65D,RGS80TSX2D,RGTH40TK65D,RGSX5TS65EHR,RGPR20NS43HR,RGW60TS65CHR,RGW40TK65D,RGT50NL65D,RGW00TK65,RGW80TS65EHR,RGW40TS65D,RGCL60TS60D,RGS00TS65HR,RGTV80TS65D,RGW60TS65,RGTH60TS65,RGTH50TK65D,RGT16BM65D,RGT16TM65D,RGPR30BM56HR,RGW60TK65,RGTV80TK65D,RGTH00TS65
ROHM IGBT products
型号- RGTVX2TR65,RGTVX2TS65,RGTV00TR65D,RGTV00TK65,RGTV60TS65,RGTVX2TR65D,RGTV00TR65,RGTV00TS65,RGW SERIES,RGTV60TK65D,RGTV60TK65,RGTV60TS65D,RGTH,RGC SERIES,RGTV,RGS SERIES,RGTVX6TR65,RGP SERIES,RGTVX6TS65,RGT SERIES,RGTVX6TS65D,RGTVX2TS65D,RGTH60TS65D,RGTV80TK65,RGTV80TS65D,RGWS,RGTV00TK65D,RGCL,RGTVX6TR65D,RGTV80TS65,RGTV00TS65D,RGTV80TK65D
ROHM（罗姆）IGBT选型指南（中文）
描述- ROHM的IGBT（绝缘栅双极晶体管）产品为高电压、大电流广泛应用的高效化和节能化做出了贡献。
型号- RGSX5TS65HR,RGS30TSX2DHR,RGWS SERIES,MG7110WZ,RGTH40TS65,RGW40TK65,MG6404WZ,RGS60TS65DHR,MH2106WZ,RGW40TS65,RGSX5TS65DHR,MG6307WZ,RGS30TSX2D,MG7107WZ,MH2204WZ,RGTH60TS65D,MG6405WZ,RGTH40TK65,MG7215WZ,RGT40TS65D,RGW80TS65,RGW80TK65,RGT50TM65D,RGW60TS65D,RGTV60TS65D,RGT50NS65D,MG6403WZ,RGCL SERIES,RGS80TSX2HR,SG6610WN,MG6306WZ,RGTH80TS65,MG6305WZ,RGT40TM65D,RGCL80TK60,RGS30TSX2,RGTVX2TS65D,RGS00TS65DHR,RGPR20BM36HR,RGW00TS65D,MG7106WZ,MH2203WZ,RGTH80TK65,RGCL80TS60,RGS80TSX2DHR,RGWS80TS65D,RGPZ10BM40FH,RGT20NL65D,MG7216WZ,RGTH80TK65D,RGWS80TS65,RGS80TS65HR,RGTH50TS65D,RGW60TS65HR,RGW50TK65D,RGS80TS65DHR,RGS80TSX2,RGW00TS65,RGTVX6TS65,RGT30TM65D,RGW80TS65D,MH2206WZ,RGWX5TS65D,RGC,RGPR10BM40FH,RGTV80TK65,RGCL80TK60D,RGS50TSX2DHR,RGTV80TS65,RGTV00TS65D,MG7213WZ,RGT,RGS,RGT20NL65,RGWX5TS65DHR,RGW,RGCL60TK60D,RGPR30BM40HR,MH2107WZ,RGTVX6TS65D,RGTH40TS65D,RGT00TS65D,RGS80TSX2D,MG6308WZ,RGSX5TS65EHR,RGPR20NS43HR,MG7104WZ,RGWSX2TS65D,SG7110WN,RGW40TK65D,MH2205WZ,RGW00TK65,RGS00TS65HR,RGW60TS65,RGT16BM65D,RGT16TM65D,MG7214WZ,RGW60TK65,RGTV80TK65D,RGW50TS65,MG7901WZ,RGW50TK65,RGC SERIES,RGWX5TS65HR,RGW00TS65DHR,MH2208WZ,RGTH50TS65,RGT20TM65D,MH2101WZ,RGWS00TS65D,RGW80TS65DHR,RGT8NS65D,RGPR50NL45HRB,RGTH60TK65D,RGT40NL65D,RGW□80TS65DHR,RGWS60TS65D,RGTH00TK65D,RGTH SERIES,RGT30NS65D,MG7211WZ,RGTVX2TS65,RGW SERIES,RGTV60TK65D,RGT16NL65D,RGS50TSX2D,RGTH,RGTV,RGC80TSX8R,RGW60TK65D,RGW00TK65D,RGS SERIES,RGS30TSX2HR,RGTH50TK65,RGW00TS65CHR,MG7102WZ,MH2207WZ,RGW60TS65EHR,RGT40NS65D,MG7209WZ,RGW80TS65CHR,SH2102WN,RGTH80TS65D,RGCL,RGS60TS65HR,RGWX5TS65EHR,MG7405WZ,MG7212WZ,RGT80TS65D,RGPZ30BM56HR,RGPR20NL43HR,RGW00TS65HR,RGT50TS65D,MG6402WZ,RGW80TS65HR,RGSX5TS65E,RGT30NL65D,MH2104WZ,MG7109WZ,RGW80TK65E,RGW80TK65D,MH2201WZ,RGPR30NS40HR,MG6304WZ,RGS00TS65EHR,RGW60TS65DHR,RGW50TS65D,RGCL60TS60,RGT8TM65D,RGS50TSX2,RGCL60TK60,SH2103WN,RGCL80TS60D,RGTV00TK65D,RGT8BM65D,RGTH00TS65D,RGTV SERIES,RGTV60TS65,RGTV00TK65,RGWX5TS65,RGTV00TS65,RGT8NL65D,RGTH00TK65,MG7902WZ,RGTV60TK65,RGTH60TK65,RGT60TS65D,RGT16NS65D,MG6401WZ,RGT SERIES,RGT20NS65D,RGS50TSX2HR,MH2103WZ,RGWS60TS65,RGWSX2TS65,RGW00TS65EHR,SG6612WN,RGTH40TK65D,RGW60TS65CHR,MG6303WZ,MH2209WZ,MG7108WZ,RGT50NL65D,MH2102WZ,RGW80TS65EHR,RGWS00TS65,MG7210WZ,RGW40TS65D,RGCL60TS60D,SH2104WN,RGTV80TS65D,RGTH60TS65,RGTH50TK65D,RGWS,RGPR30BM56HR,RGTH00TS65
【产品】罗姆推出两款隔离电压高达1500V的IGBT智能功率模块，主要应用于电机低速开关驱动！
全球知名的半导体厂商罗姆(ROHM)公司推出了两款600V IGBT智能功率模块（IPM）——BM63563S-VA和BM63563S-VC，由栅极驱动器、自举二极管、IGBT和飞轮二极管组成。它们是针对低速（至6kHz）开关驱动而优化的低饱和电压IGBT，主要用于交流电压100至240Vrms（直流电压：小于400V）电机的低速开关驱动以及空调、洗衣机、冰箱用压缩机电机的低速开关驱动。
【IC】ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT
ROHM面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用，开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101、1200V耐压、实现了业界超低损耗和超高短路耐受能力的第4代IGBT。此次发售的产品包括4款分立封装的产品（TO-247-4L和TO-247N各2款）和11款裸芯片产品“SG84xxWN”，预计未来将会进一步扩大产品阵容。
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) What is a Thermal Model? Application Note
型号- T3STER,RGTVX6TS65D
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本文详细介绍了短路电流保护功能（SCP）是通过在IPM外部连接分流电阻并将电阻产生的电压反馈至CIN引脚电路的功能。CIN引脚需要用RC滤波器来防止误动作。短路电流保护仅作用于下桥臂。当短路电流保护功能启动时，需要立即停止运行，避免异常状态。分流电阻值和RC滤波器的时间常数先根据所提供的公式参考推荐值进行设置，最终需要在实际应用产品上确认工作情况后来决定。
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