【产品】漏源电压85V的N沟道增强型功率场效应晶体管LSGE085R052，最大漏源导通电阻5.2mΩ

时间： 2023-06-09 来源：LONTEN

技术问答

LONTEN龙腾推出的N沟道增强型功率场效应晶体管 LSGE085R052采用了屏蔽栅沟槽DMOS技术。经过特别定制，该项先进技术可最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。器件可广泛应用于高效率的快速开关应用。

产品特点

85V，120A，R_DS(on).max=5.2mΩ@V_GS=10V

改良的dv/dt功能

快速切换

100%EAS保证

绿色环保

应用

电机驱动

不间断电源

直流电源转换器

产品概述

V_DSS：85V

R_DS(on).max@V_GS=10V：5.2mΩ

I_D：120A

引脚示意图

绝对最大额定值（Tc=25℃，除非另有说明）

热特性

封装标识和订购信息

电气特性（T_J=25℃，除非另有说明）

注意事项：

1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制。

2.V_DD=40V，V_GS=10V，L=0.5mH，I_AS=38A，R_G=25Ω，起始T_J=25℃。

3.R_thJA的值是通过将器件放在一立方英尺的静止空气箱中测量得出。

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