【应用】高速开关、高共模抑制比隔离驱动芯片SI8275助力轨道交通电源小型化
伴随着高铁项目的飞速发展,轨道交通设备正面临着高效化、小型化的发展道路,轨道交通电源是轨道交通设备的核心,因此首先需要提升轨道交通电源的综合性能。本文将结合Siliconlabs的隔离驱动芯片SI8275,讨论其在轨道交通电源小型化上的应用。
轨道交通电源主要通过将车载蓄电池的电压进行高效的降压处理后向机车的各个子系统供电,如图1所示,通过两次降压将输入的DC110V转换成所需要的直流电压,从而给控制板供电。随着轨交对电源高效小型化的要求,其电源产品工作频率需要进一步提高,开关频率达到MHz级别,开始采用GaN功率器件作为开关器件,此时GaN的驱动需要选择一款高开关速度的隔离驱动。
图1 轨道交通电源工作原理框图
决定GaN隔离驱动的主要参数有三个:最大栅极电压,栅极阈值电压和体二极管压降。增强型GaN器件的栅源电压是6V,大约是MOSFET的一半,这简化了产生所需开关电压和电流的挑战。GaN比硅MOSFET开关速度更快,dV/dt的转换率大于100V/ns。对于具有相同RDS(ON)等级的MOSFET和GaN,GaN的开启时间比MOSFET快4倍,关断时间快2倍,这意味着隔离驱动的开关频率要更快,同时具有很强的抗干扰性能。
SILICON LABS推出的SI8275系列隔离驱动芯片,具有4A的驱动电流,副边支持30V的供电电压,满足目前GaN驱动的需求。SI8275采用的双驱动设计,在做半桥或者全桥拓扑电源时,只需有一片或者两片芯片就可以完成设计,设计布局方便紧凑,方便轨交电源的小型化设计。Si8275提供业界领先的抗扰性能(200kV/μs)和闩锁抑制能力(400kV/μs),凭借其业界领先的高性能抗扰能力,消除了由于采用更快开关速率而带来的风险,防止了调制丢失和闩锁,这些解决了高速开关最主要的安全问题。Si8275系列产品极高的闭锁规格使得该栅极驱动器极其可靠,有效预防永久性闩锁损伤,更适合高速的开关驱动。
综合以上可以看出,Si8275具有集成度高、高开关速度和高抗干扰性能的特点,是驱动隔离GaN的理想选择,让轨道交通电源小型化设计更方便。
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型号- 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实验室地址: 成都 提交需求>
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