EPC的GaN FET助力电源模块供应商Sensitron推出350V半桥模块，可用于控制5kW以上的功率
许多电源系统使用的基本构建模块是半桥，它由两个串联的功率场效应晶体管（FET）及其各自的栅极驱动器组成。虽然可以用分立式FET和栅极驱动器在电路板上实现这一功能，但使用半桥模块通常更有利。采用半桥模块有诸多益处，包括：可以使用单个已预检合格的部件，可以缩短交付周期，以及可以提高性能等。
作为电源模块供应商，Sensitron的历程已跨越了五十余年。目前，它已与EPC合作，使用EPC最新推出的EPC2050 GaN FET开发了350V的半桥模块——SPG025N035P1B。有了后者的加持，Sensitron的这款新产品变得更有吸引力了。该款半桥智能电源模块专为商业、工业和航空航天应用而设计，额定电流为20A，可用于控制5kW以上的功率。
图1：从Si/SiC升级到GaN后，封装尺寸显著减小了
为350V的半桥模块采用GaN FET有许多优势。其中包括:
速度–额定500kHz，这对于350V的模块来说非常出彩
效率-低开关损耗
散热–隔离的上层冷却，能帮助实现最佳的系统散热设计
尺寸–与以前的模块相比，SPG025N035P1B尺寸明显减小，仅有1.1"X 0.7"X 0.17"
可靠性—Sensitron的产品和eGaN产品双双具备久经考验的现场可靠性
为了缩小封装，EPC2050 GaN FET的小尺寸（1.95 x 1.95 mm）成了关键
图2：芯片级封装的EPC2050 eGaN FET
图3：Sensitron 350V，20A模块
图4
在EPC2050 350V eGaN FET投入生产之前，Sensitron和EPC就开始合作开发模块SPG025N035P1B了。在350V GaN FET完成认证的过程中，Sensitron也进行了多次迭代，改进了该模块。在最后开发阶段，EPC改变了eGaN FET的尺寸，实现了更薄的封装，之后，模块外壳又因此接受了内部更改。这一调整让本已出色的结-壳热传导能力得到了进一步改善。SPG025N035P1B半桥智能电源模块包括了一个用于高侧FET的自举浮栅驱动器。另外，它还具备集成的栅极驱动，这不但优化了高频开关性能，也消除了电压敏感性方面的潜在问题。
总结
Sensitron将产品SPG025N035P1B的尺寸缩减了60%，同时，因为舍弃了传统的硅FET，采用了350V的GaN FET——EPC2050，SPG025N035P1B本已非常出色的结-壳热传导能力得到了进一步改善。此外，通过Sensitron专有的上层冷却技术，SPG025N035P1B这款超小（1.10" x 0.70" x 0.14"）、轻型、高功率密度封装的模块实现了最佳的热性能。目前，其他封装额定值也在开发中，包括带有集成栅极驱动的200V、20A的半桥。该模块同样是Sensitron和EPC合作开发的成果。
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