EPC的GaN FET助力电源模块供应商Sensitron推出350V半桥模块,可用于控制5kW以上的功率
许多电源系统使用的基本构建模块是半桥,它由两个串联的功率场效应晶体管(FET)及其各自的栅极驱动器组成。虽然可以用分立式FET和栅极驱动器在电路板上实现这一功能,但使用半桥模块通常更有利。采用半桥模块有诸多益处,包括:可以使用单个已预检合格的部件,可以缩短交付周期,以及可以提高性能等。
作为电源模块供应商,Sensitron的历程已跨越了五十余年。目前,它已与EPC合作,使用EPC最新推出的EPC2050 GaN FET开发了350V的半桥模块——SPG025N035P1B。有了后者的加持,Sensitron的这款新产品变得更有吸引力了。该款半桥智能电源模块专为商业、工业和航空航天应用而设计,额定电流为20A,可用于控制5kW以上的功率。
图1:从Si/SiC升级到GaN后,封装尺寸显著减小了
为350V的半桥模块采用GaN FET有许多优势。其中包括:
速度–额定500kHz,这对于350V的模块来说非常出彩
效率-低开关损耗
散热–隔离的上层冷却,能帮助实现最佳的系统散热设计
尺寸–与以前的模块相比,SPG025N035P1B尺寸明显减小,仅有1.1"X 0.7"X 0.17"
可靠性—Sensitron的产品和eGaN产品双双具备久经考验的现场可靠性
为了缩小封装,EPC2050 GaN FET的小尺寸(1.95 x 1.95 mm)成了关键
图2:芯片级封装的EPC2050 eGaN FET
图3:Sensitron 350V,20A模块
图4
在EPC2050 350V eGaN FET投入生产之前,Sensitron和EPC就开始合作开发模块SPG025N035P1B了。在350V GaN FET完成认证的过程中,Sensitron也进行了多次迭代,改进了该模块。在最后开发阶段,EPC改变了eGaN FET的尺寸,实现了更薄的封装,之后,模块外壳又因此接受了内部更改。这一调整让本已出色的结-壳热传导能力得到了进一步改善。SPG025N035P1B半桥智能电源模块包括了一个用于高侧FET的自举浮栅驱动器。另外,它还具备集成的栅极驱动,这不但优化了高频开关性能,也消除了电压敏感性方面的潜在问题。
总结
Sensitron将产品SPG025N035P1B的尺寸缩减了60%,同时,因为舍弃了传统的硅FET,采用了350V的GaN FET——EPC2050,SPG025N035P1B本已非常出色的结-壳热传导能力得到了进一步改善。此外,通过Sensitron专有的上层冷却技术,SPG025N035P1B这款超小(1.10" x 0.70" x 0.14")、轻型、高功率密度封装的模块实现了最佳的热性能。目前,其他封装额定值也在开发中,包括带有集成栅极驱动的200V、20A的半桥。该模块同样是Sensitron和EPC合作开发的成果。
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