【产品】双数据架构，高速LPDDR2 256M的动态随机存储器AS4C8M32MD2A-25B2CN

时间： 2018-10-04 来源：Alliance

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SDRAM,动态随机存储器,AS4C8M32MD2A-25B2CN,Alliance

全球领先的高性能存储器及存储扩展逻辑产品厂家ALLIANCE推出的型号为AS4C8M32MD2A-25B2CN 的 LPDDR2 SDRAM是高速CMOS，256M的动态随机存储器（Synchronous DRAM，SDRAM），由4组2M words组成的32位存储设备。本产品在命令/地址（CA）总线上使用双数据速率结构来减少系统中输入针脚数量。10位CA总线包含命令、地址和bank/row缓冲信息。每个命令使用一个时钟周期，命令信息在时钟的正和负边缘上传输。

LPDDR2在DQ引脚上使用双数据速率架构来实现高速运行。双数据速率体系结构本质上是一个4n的预取架构，它的接口设计用于在I/O引脚的每个时钟周期中传输两个数据位。LPDDR2的单个读或写访问实际上包括单个4n位宽、在内部SDRAM/NVM核心处的一个时钟周期数据传输和四个对应的在I/O管脚处的n位宽、一个半时钟周期数据传输。对LPDDR2的读和写访问是面向突发的，访问从选定位置开始，并按照编程顺序继续对多个位置进行编程。

图1：产品框图

AS4C8M32MD2A-25B2CN产品特性：

· 高时钟速率：400MHz

· 微分时钟输入 CK/CK#

· 符合 JEDEC标准

· 4位预读取DDR架构

· 命令、地址和数据总线的双数据速率体系结构

· 可编程模式寄存器

-READ和WRITE延迟（RL/WL）

-突发长度：4,8或16

-PASR

· 自动 TCSR

· 自动刷新和自刷新

· 深度掉电

· 4096刷新周期/32ms

· 电源供应：

-VDD1=1.8V（1.7V~1.95V）

-VDD2=1.2V（1.14V~1.3V）

-VDDCA/ VDDQ=1.2V（1.14V~1.3V）

· 接口：HSUL_12

· 工作温度：-25~85℃

· 封装：168-ball 12 x 12 x 0.9mm (max) FBGA 无铅无卤素

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全部评论（5）

西安石头哥 Lv7. 资深专家 2018-11-07

学习了！
蓝黑使者007 Lv7. 资深专家 2018-10-23

学习了
nathen Lv7. 资深专家 2018-10-20

这款不错
yingqiming Lv7. 资深专家 2018-10-04

不错
yuyu Lv8. 研究员 2018-10-04

学习了！

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