【选型】瑞萨IGBT驱动芯片用于储能变流器中，提供2.5A驱动电流，原副边隔离电压5kV
目前的PCS储能变流器设计功率段往往在几十kW到几百kW之间，其中设计到的输出逆变部分，往往采用1200V IGBT功率器件进行逆变，涉及到IGBT的驱动部分，出于成本考虑及稳定性考虑，通常会采用不带保护驱动芯片来做设计，这种方案性价比高。针对储能变流器产品的驱动部分设计，RENESAS的驱动光耦PS9031-Y-V-F3-AX可以用来作为该PCS产品逆变部分的驱动芯片选择，能提供2.5A的驱动电流，5kV的原副边隔离电压，50KV/μs的CMTI，为产品设计带来高性价比。
如图1为PS9031-Y-V-F3-AX的示意图，可以通过该图看出驱动芯片可以兼容市面上许多主流的驱动芯片设计，引脚定义及封装都是一样的。针对芯片输入侧，将中间的NC脚没有引出来，只需要将1脚阳极和2脚阴极导通即可。
图1 PS9031-Y-V-F3-AX引脚示意图
针对用来储能变流器的驱动设计，PS9031-Y-V-F3-AX可以输出2.5A驱动电流峰值，可以满足对IGBT驱动，相比其它品牌的驱动芯片，会有更好驱动能力。另外5kV的原副边隔离电压,可以满足安全需求。对于驱动芯片驱动波形抗干扰能力，PS9031-Y-V-F3-AX提供50kV/μ的共模抑制比CMTI，可以有效防止干扰。另外该芯片的工作温度在-40℃-125℃，保障芯片在不同工况下安全工作。另外从设计者对驱动芯片供电考虑，该Renesas驱动提供15V-30V的副边驱动侧供电电压范围，可以灵活让设计者根据实际需求电压来做设计。
综上所述，IGBT驱动芯片PS9031-Y-V-F3-AX是一款非常适合在储能变流器用来作逆变驱动设计选择。
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