【产品】500V/15A的N沟道MOSFET TMA15N50H，采用TO-220F封装

时间： 2019-11-09 来源：无锡紫光微

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无锡紫光微推出的TMA15N50H是一款500V的N沟道MOSFET，采用了TO-220F封装。产品符合RoHS标准，可应用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、功率因数校正(PFC)等领域。

TMA15N50H的工作结温和存储温度范围均为-55~150℃，可以在严苛的温度环境下工作。漏源电压最大额定值为500V，栅源电压最大额定值为±30V，脉冲漏极电流最大额定值为60A，重复雪崩能量最大额定值为54mJ。连续漏极电流最大额定值为15A。单脉冲雪崩能量最大额定值为810mJ，雪崩电流最大额定值为9A，具有较好的抗浪涌性。器件的功耗最大额定值为70W。此外，器件的结壳热阻为1.78ºC/W，结至环境热阻为62.5ºC/W。

产品特点：

•快速切换

•100%雪崩测试

•改进的dv/dt能力

产品应用：

•开关电源(SMPS)

•不间断电源(UPS)

•功率因数校正(PFC)

器件的的封装和内部电路：

器件标记和封装信息：

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