【产品】30V，N沟道增强型功率MOSFET AM3400A，适合高效率、高开关频率的应用
AIT推出的AM3400A是N沟道增强型功率MOSFET，采用沟槽DMOS技术。 这种先进的沟槽技术使AM3400A非常适合高效率、高开关频率的应用，AM3400A采用外形小的表面贴装封装，在线功率损耗低。在25°C的环境温度下，AM3400A可以承受的极限漏源电压为30V，极限栅源电压为±12V，极限漏极连续电流为6.2A，耗散功率为1.5W，工作结温为−55°C ~150°C。AM3400A采用SOT-23封装，其引脚分布如图1所示：
图1 AM3400A引脚分布
AM3400A产品特性
·VDS = 30V, ID = 6.2A
VGS = 10V时，RDS(ON) =20mΩ(典型值)
VGS = 4.5V时，RDS(ON) =23mΩ(典型值)
VGS = 2.5V时，RDS(ON) =27mΩ(典型值)
·开关频率高
·栅极驱动电压低
·高功率和优秀的载流能力
·采用SOT-23封装
AM3400A应用领域
·手持式仪器
·负载开关
·PWM应用
AM3400A订购信息
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