长联授权世强代理，丰富碳化硅肖特基二极管以及碳化硅模块产品选择

时间： 2022-03-26 来源：世强

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2021年12月28日，长联（CLTC）与世强达成代理合作，授权世强全线代理旗下全线产品。长联是拥有自主知识产权的第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块全产业链供应商，拥有两座完整的4/6英寸SiC半导体工艺晶圆厂、产业园及封装生产基地，可为客户提供行业标准封装的碳化硅肖特基二极管以及碳化硅模块。

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深圳长联半导体是一家致力于研发与生产第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块的高科技企业。生产基地位于北京中关村第三代半导体孵化基地。在北京拥有两座完整的4/6英寸SiC半导体工艺晶圆厂和产业园。在江苏拥有封装生产基地。查看更多

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长联（CLTC）SiC MOSFET选型指南

目录- SiC MOSFET

型号- CLM0045170D,CLM0040170D,CLM0017065D,CLM0075120G7,CLM0040120L,CLM0025120D,CLM0040120D,CLM0020120L,CLM0200330L,CLM0060065D,CLM0160120L,CLM0030065D,CLM0080120L,CLM0750170D,CLM1000170D,CLM0160120D,CLM0080120D

选型指南 - 长联 - 2022 PDF 中文下载

具有自主知识产权的第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块全产业链供应商——长联（CLTC）

深圳长联（CLTC）半导体是一家致力于研发与生产第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块的高科技企业。生产基地位于北京中关村第三代半导体孵化基地。在北京拥有两座完整的4/6英寸SiC半导体工艺晶圆厂和产业园。在江苏拥有封装生产基地。

品牌简介发布时间 : 2022-03-07

长联（CLTC）SiC模块选型表

目录- SiC MODULE

型号- CL3M300N1700MK-62,CL3M100N1200MK-62,CL3M036N1200MK3-B,CL3M070N1200MK-45,CL3M200N1200MK-62,CL4M300N1700MK3-A,CL3M070N1200MK-62,CL3M120N1200MK-62

选型指南 - 长联 - 2022/11/21 PDF 中文下载

【产品】重复峰值反向电压最大额定值为650V的碳化硅肖特基二极管CL0D06065N6，适用于开关电源和AC/DC转换器

深圳长联半导体是一家致力于研发与生产第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块的高科技企业，其推出的碳化硅肖特基二极管CL0D06065N6采用DFN 5*6封装，结到壳的热阻典型值为0.95℃/W，CL0D06065N6的重复峰值反向电压最大额定值为650V。

产品发布时间 : 2022-07-27

长联（CLTC）SiC肖特基二极管选型表

目录- SiC肖特基二极管

型号- CLD08065F,CLD02120A,CLD08065G,CLD16065A,CLD20120H,CLD04065N6,CLD08065E,CLD08065A,CLD40120D,CLD10065A,CLD10120A,CLD06065N8,CLD10065G,CLD06065A,CLD40120H,CLD10120F,CLD10065F,CLD10120E,CLD06065E,CLD15120A,CLD02120E,CLD20065D,CLD20120D,CLD06065F,CLD20065A,CLD06065N6,CLD60065D,CLD30065D,CLD30120D,CLD05120E,CLD05120A,CLD10065N8,CLD04065F,CLD04065D,CLD04065E,CLD04065A,CLD30065H,CLD30120H

选型指南 - 长联 - 2022 PDF 中文下载

【应用】六合一MOSFET功率模块助力EPS逆变设计

恰能解决PCB驱动板面积受限制、封闭性散热难等技术难题的功率模块。

新应用发布时间 : 2019-07-27

【产品】功率模块80-M312PMA100M702-K420A74，击穿电压为1200 V

80-M312PMA100M702-K420A74是Vincotech推出的功率模块，采用Al2O3作为基底材料，尺寸为82 mm x 59 mm x 16 mm，其击穿电压为1200 V，标称芯片额定电流为100A，可应用于工业驱动领域。

新产品发布时间 : 2020-08-08

功率模块ACF-0 RoHS（SGS）检测报告（TAOEC2301641602）

型号- ACF-0

测试报告 - 阿基米德半导体 - 2023年03月24日 PDF 中文下载

【产品】600V PDMB系列IGBT功率模块，为高效节能、节材及新能源、工业自动化提供了新商机

Kyocera(京瓷)现推出的PDMB系列功率模块（IGBT模块 600V）,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

新产品发布时间 : 2017-12-27

更新换代！基于SLC新工艺的1200V高散热IGBT功率模块

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新产品发布时间 : 2016-10-06

【产品】功率模块10-FZ12NMA080F205-M260F53，具有5μs短路耐受时间，可高速切换

Vincotech（威科）10-FZ12NMA080F205-M260F53是一种功率模块，应用开尔文发射器以改善开关性能，内置温度传感器，采用混合电压中性点箝位拓扑结构。具有5μs短路耐受时间，可以高速切换，有最小化的尾电流。

产品发布时间 : 2023-01-13

【产品】功率模块MG001AK028060A，内部结构为Converter-Brake，绝缘耐压值达2.5kV

Shindengen（新电元）推出的一款MG001AK028060A功率模块，采用小型DIP隔离封装，内部结构为Converter-Brake（整流-制动）模块。模块的存储温度宽至-40~125℃，结温达到150℃，具有良好的高低温特性，可以应用于恶劣的工作环境中。模块的绝缘耐压值达到2.5kV，具有耐高压特性。

新产品发布时间 : 2020-11-12