【经验】效率高达99%以上车载充电机PFC设计,看这里!
车载充电机整个电源电路可分为PFC和车载DC/DC两部分,其中PFC部分将工频交流电升压转化为高压直流电输出给DC/DC部分做输入,如果PFC设计的损耗过大、采用的元器件过多,就无法实现高效率、小体积设计。本文重点对PFC高效率、小体积设计实现方案做分析介绍。
车载PFC设计经历过传统单级PFC、交错式PFC、CoolMOS无桥PFC三种设计,各设计特点如下:
传统单级PFC,有整流桥,适合中小功率,其输入电压范围为90VAC~265VAC。该方案缺点是含有整流桥,大功率输出时,桥上损耗较大,同时MOSFET及二极管损耗也较大,使用单电感设计。
交错式PFC,有整流桥,适合大功率设计。该方案缺点同样是含有整流桥,大功率输出时,桥上损耗较大,同时MOSFET及二极管损耗也较大,需要2个电感、2个SIC二极管,体积较大。
CoolMOS无桥PFC,没有整流桥,为主流无桥PFC设计。该方案优点是节省了整流桥上的损耗,大幅度提升效率。不过需要2个电感、2个SIC二极管、2个MOSFET,与交错PFC方案一样体积较大。
针对如上三种PFC设计方案,其缺点很明显,带整流桥的设计,桥上损耗较大,效率无法做到99%以上。而coolMOS无桥PFC设计,即使因节省整流桥提升了一定的效率,不过因使用器件很多体积与交错式PFC相差不大。
如果有一款非常低的开关损耗、非常高的开关频率MOSFET做PFC设计,将可完美解决以上三种设计的难点。这里向大家介绍,利用GaN MOSFET的低开关损耗和高开关频率可达MHz特性,可无限的将PFC效率提升至99%以上。以下是基于GaN MOSFET的PFC设计的两种电路拓扑,效率均可达99%以上。
1、GaNMOS无桥PFC,无整流桥,采用SiC二极管。该方案只要1个电感,2个GaN MOSFET,2个SiC二极管,即可实现99%效率。相对coolMOS方案,体积减少1/3,效率显著提高,同时成本下降,其电路图参考如下图1所示。
图1:无桥PFC设计,采用GaNMOS和SiC二极管
2、GaNMOS无桥PFC,无整流桥,采用同步整流,其电路图参考如下图2所示。
图2:无桥PFC设计,采用GaNMOS同步整流
其中S1和S2是工频开关50Hz,而Q1和Q2采用高频50KHz~500KHz(利用GaNMOS最高可达MHz)开关实现无桥PFC,效率可达99.4%。该方案特点是非常高效率、低成本、设计简单、体积小。同时因GaN MOSFET超低的开关损耗,散热片和风扇均可省去,无需额外的散热成本投入。
世强代理的GaN MOSFET产品,是国内著名半导体分销商EPC(宜普电源转换公司)推出的替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管。其器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍,可获得更快的开关频率,更高的效率,更小的尺寸,更低的导通电阻。是车载充电机基于GaN MOSFET的PFC设计的理想选择。
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