【经验】浅析将射频发射器Si4010保存数据到内部EEPROM的方法

时间： 2022-11-29 来源：世强

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我们在使用SILICON LABS的Si4010芯片开发产品的时候，有时候需要将某些数据保存到Si4010芯片内部的EEPROM里面，以便实现掉电保存数据的功能。Si4010芯片内部有128 bits的EEPROM空间可以用来保存用户的数据。本文以Si4010芯片的keyfob_demo_2工程为例，介绍射频发射器Si4010保存数据到内部EEPROM的方法。

1、在main()函数创建两个变量，bTestData用来存放测试的数据，*pbRData用来指向XRAM阵列中MTP内容副本的指针。

BYTE xdata bTestData = 0;

BYTE xdata *pbRData; //pointer to the copy of the MTP content in XRAM array

2、在main()函数的合适位置，增加如下代码。其中vSys_BandGapLdo(2); 用来设置Bandgap On, LDO 1.24v。pbRData = pbMtp_Read(); 将MTP读入XRAM阵列，注意一定要加这行代码，否则无法实现EEPROM读写功能。

vSys_BandGapLdo(2); //set bandgap/ldo for MTP use

pbRData = pbMtp_Read(); //read MTP into XRAM array

// manipulate data in the XRAM array:

bTestData = pbRData[0]; //read byte

3、在main()函数的合适位置，增加如下代码。主要实现的功能是将数据108写入到pbRData[0]，并把这个数据存到EEPROM中。注意在调用bMtp_Write()函数之前得把中断给关了，不然在给EEPROM写数据的时候可能会出现问题。另外bMtp_Write()函数的形参用来设置用户允许的最大MTP编程周期数，防止在写EEPROM不成功时程序一直在尝试写EEPROM，推荐值是40。

pbRData[0] = 108; //write byte

// write XRAM array to MTP memory

EA=0;

PCON = PCON; /* Dummy instruction required after EA setting */

bMtp_Write(40);

EA=1;

4、代码已经修改完成，接下来进行功能测试。编译程序，链接设备，下载固件，鼠标点击选中pbRData[0] = 108;这一行代码，然后点击菜单栏的设置断点图标。我们在pbRData[0] = 108;这一行代码设置断点，方便在仿真时查看bTestData变量的数据。

5、点击bTestData变量，点击鼠标右键，将鼠标移到Add bTeatData to Watch->Default，然后点击Default Type，我们把bTestData变量放在观察窗口。

6、点击菜单栏的运行图标，程序运行到pbRData[0] = 108;前面的断点时，可以看到bTestData的数据为0（如果EEPROM之前存过其他数据，读出来的数据可能不是0）。

7、再次点击运行图标，让程序运行pbRData[0] = 108;后面的代码，把pbRData[0]的数据写入到EEPROM；

点击停止运行图标，

点击RESET图标，让Si4010芯片执行复位。

再次点击运行图标，当程序停止在pbRData[0] = 108;这行代码时，可以看到bTestData的数据变成了108，证明我们已经成功将数据108写入到EEPROM中，并且在Si4010芯片复位之后，这个数据不会丢失。

8、关于Si4010芯片的EEPROM操作说明，可以查看AN370 Si4010 SOFTWARE PROGRAMMING GUIDE文档的7.8. Multi-time Programmable (MTP) Memory Module。

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