【选型】650V/80A的IGBT单管助力电能质量综合治理装置，VCE(sat)低至1.5V

【选型】ROHM 650V/80A的单管IGBT可P2P替代IKW75N60T/FGW75N60HD

RGTVX6TS65DGC11是ROHM 650V/80A的单管IGBT，当IKW75N60T和FGW75N60HD缺货时，可PIN-PIN替代。在标称的耐压和通流能力上更高，应用的安规和裕量更足，同样的驱动条件下开通需求的能量更低，适用更快的开关速率。

【选型】ROHM 650V IGBT单管可兼容替代STGW60V60DF，开关特性更优

RGTVX2TS65DGC11是Rohm的第三代650V/60A的单管IGBT。当STGW60V60DF缺货，ROHM的RGTVX2TS65DGC11可替代。

【选型】ROHM 1200V/40A IGBT单管可替换富士FGW40N120W助力10kW光伏储能逆变器

本文推荐一款罗姆的1200V、40A的IGBT单管RGS80TSX2用于10kW光伏储能逆变器，该单管不仅可以pin to pin替换业界主流型号FGW40N120W，而且性能更优。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

【产品】罗姆第三代单管IGBT RGTV60TS65DGC11实现更低功耗和关断损耗，助力PFC和逆变应用

ROHM 650V/30A的第三代单管IGBT RGTV60TS65DGC11，是Gen3的产品，相比于Gen2的RGTH60TS65DGC11，晶圆更小，单位面积的IGBT产量更大，从整体产能上的实现单体成本更低，在电路应用上更具优势。

【经验】简析Sic MOSFET相对于IGBT器件的三个优势：低导通损耗、低开关损耗、高驱动电压条件下更低导通电阻

ROHM的SCT2080KEHR是1200V，导通电阻是80mΩ，电流40A，封装TO-247-3的车规级SiC MOSFET，驱动电压范围VGSS在 -6V~+22V，驱动范围比较窄。本文以CT2080KEHR为例，对比市场通用的1200V/40A的TO-247-3的IGBT单管，说明Sic MOSFET在导通损耗和开关损耗上更具优势。

【应用】ROHM的IGBT单管RGTV00TS65DGC11用于5~10kW光伏逆变器，饱和压降VCE低至1.5V

在DC-DC升压电路部分，IGBT作为开关管使用，通过改变开关管的占空比可改变DC-DC升压电路的输出。本文主要介绍ROHM的IGBT单管RGTV00TS65DGC11在DC-DC升压电路部分应用的优势。

【应用】汽车级单管IGBT用于电动汽车空调PTC加热器项目，可有效降低能耗

电动汽车的空调PTC加热器进行加热的原理是：电流流过PTC元件使之产生热量，低温时会流过大电流，产生大量热量，随着发热量的增加，电阻值增大，电流受限，从而抑制发热量。利用这些特性，可加热空气和水，并使之循环，从而成为制热用的热源。这里主要会用到IGBT作为主要开关器件，IGBT常处于导通状态，故需求的导通压降要低。本文推荐罗姆的RGS00TS65D作为300V电动汽车空调PTC加热器的开关器件。

【应用】罗姆场截止沟槽型IGBT用于激光脱毛仪，内置快速软恢复二极管，集电极电流Ic可达80A

激光脱毛仪的原理是采用高功率的IGBT来驱动激光二极管发出激光并用滤波片滤除其他波长的激光，核心电路是主控控制IGBT驱动器，驱动IGBT给激光二极管供电，发出激光。可采用ROHM的内置快速软恢复二极管的场截止沟槽型IGBT的RGTVX6TS65DGC11。

【应用】ROHM 650V单管IGBT RGT40NS65D成功用于伺服750W驱动器

笔者成功把ROHM单管IGBT RGT40NS65D用于750W伺服驱动器上，本文给出测试的温升数据、短路数据和PCB图示说明，给有需要的读者做参考。

【应用】1200V耐压的汽车级IGBT单管RGS系列在电动汽车空调压缩机中的应用

随着电动汽车市场占有率的不断增加，空调压缩机的市场规模在持续扩大，同时对压缩机的性能和功耗也提出了更高的要求。本文推荐采用ROHM的满足汽车电子可靠性标准AEC-Q101的IGBT单管RGS系列，实现了业界领先的低导通损耗，有助于空调压缩机驱动器的高效设计。

【应用】ROHM IGBT单管RGT50NL65DGTL成功助力750W伺服制动设计，650V/25A贴片规格

ROHM 650V/25A的IGBT单管RGT50NL65DGTL采用TO-263L封装，已经成功用于750W伺服制动设计，650V/25A规格，具备低导通特性，导通饱和压降低至1.65V；具备短路能力5μS，耐冲击性更强。

【应用】ROHM 1200V/25A的IGBT单管助力变频器设计，VCE(sat)低至1.7V

变频器是通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备，主要由整流、滤波、逆变、驱动单元、检测单元等组成。随着工业自动化程度的不断提高，变频器也得到了非常广泛的应用。变频器中需要一颗IGBT单管，推荐ROHM的RGS50TSX2DGC11助力变频器设计。