【经验】650V增强型GaN场效应晶体管在快充应用上如何优化EMC设计

2019-08-30 世强
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目前英诺赛科(Innoscience)的650V的增强型GaN场效应晶体管产品主要是INN650D01INN650D02


英诺赛科(Innoscience)650V的增强型氮化镓场效应晶体管,主要是应用于快充等市场,采用ACF拓扑设计(图1),开关频率高达(100KHZ~500KHZ),实现高效高功率密度设计。

图1:ACF拓扑


因频率越高,产品的EMC特性相对就越差。


可通过以下方式对EMC进行优化。

1:采用增加抵消绕组,抵消绕组形成一个与原噪声相反的噪声,可抵消CE频段的共模噪声。

图2:抵消绕组


2:副边同步整流放在高边,原副边的噪声可以相互抵消。

图3:副边同步整流放在高边


3:磁芯接地处理,减小噪声对外的辐射

图4:磁芯接地处理


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型号- EPC29215_55

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品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥4.0080

现货:5,920

品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥10.8000

现货:33,661

品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

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品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

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品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

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品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥2.5500

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品牌:英诺赛科

品类:transistor

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品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥3.5595

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品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥3.5595

现货:730

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

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PD/QC快充测试

满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

实验室地址: 深圳 提交需求>

晶体匹配测试

提供CE测试服务,通过晶体回路匹配分析,给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

实验室地址: 深圳/上海 提交需求>

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