【经验】650V增强型GaN场效应晶体管在快充应用上如何优化EMC设计
目前英诺赛科(Innoscience)的650V的增强型GaN场效应晶体管产品主要是INN650D01和INN650D02。
英诺赛科(Innoscience)650V的增强型氮化镓场效应晶体管,主要是应用于快充等市场,采用ACF拓扑设计(图1),开关频率高达(100KHZ~500KHZ),实现高效高功率密度设计。
图1:ACF拓扑
因频率越高,产品的EMC特性相对就越差。
可通过以下方式对EMC进行优化。
1:采用增加抵消绕组,抵消绕组形成一个与原噪声相反的噪声,可抵消CE频段的共模噪声。
图2:抵消绕组
2:副边同步整流放在高边,原副边的噪声可以相互抵消。
图3:副边同步整流放在高边
3:磁芯接地处理,减小噪声对外的辐射
图4:磁芯接地处理
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