【产品】关断电压为-0.7伏的GaAs晶体管EC2612-99F，适用于低噪声应用和极高频率的开关

时间： 2021-11-24 来源：UMS

技术问答

UMS的EC2612-99F是一种理想的小晶体管，适用于低噪声应用和极高频率的开关。EC2612-99F是一种非常小的高频晶体管，从直流到毫米波频率都具有非常高的增益和非常低的噪声系数。

典型的品质因数有：在18GHz时，拥有0.8dB 噪声系数和12dB的相关增益；在40GHz时，拥有1.5dB 噪声系数和9.5dB的相关增益。GaAs 0.15µm pHEMT晶体管，适用于非常低的噪声放大时，通常偏置电压在2到3V，也可以作为源接地的理想开关，具有极低的寄生效应和非常宽的频带能力，典型的关断电压为-0.7伏。

这种小而紧凑的GaAs晶体管是许多需要高性能低噪声放大和将小信号切换到非常高频率的毫米波应用的理想选择。

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选型指南 - UMS - 2024/5/21 PDF 英文下载

【产品】采用SOT-363 SMD封装的超高频低噪声晶体管PCT801，适用于高频宽带低噪声放大器

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产品发布时间 : 2023-02-15

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型号- PPH15X-20

数据手册 - UMS - 2024/6/10 PDF 英文下载

【产品】具有高功率增益、低噪声系数等特性的高频低噪声晶体管2SC3585，集电极电流极限值为35mA

2SC3585是萨科微推出的一款超高频低噪声晶体管，采用平面NPN硅外延双极型工艺。具有高功率增益、低噪声系数、大动态范围和理想的电流特性，采用SOT-23-3L贴片式封装，主要应用于VHF，UHF和CATV高频宽带低噪声放大器。

产品发布时间 : 2023-01-17

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型号- PH25-20

数据手册 - UMS - 2024/6/10 PDF 英文下载

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在进行LNA器件的选取时，本文主要推荐采用UMS公司的适用于L频段低噪放大器CHA3801-QDG，线性增益为28dB，噪声系数为1.5dB（典型值），凭借pHEMT（赝调制掺杂异质结场效应晶体管）制造工艺、0.25μm栅极长度、穿过基板的通孔、空气桥以及电子束栅极光刻等特点，完全符合L频段卫星通信系统的设计要求。

应用方案发布时间 : 2019-04-20

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新产品发布时间 : 2018-10-14