【产品】关断电压为-0.7伏的GaAs晶体管EC2612-99F，适用于低噪声应用和极高频率的开关

时间： 2021-11-24 来源：UMS

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UMS的EC2612-99F是一种理想的小晶体管，适用于低噪声应用和极高频率的开关。EC2612-99F是一种非常小的高频晶体管，从直流到毫米波频率都具有非常高的增益和非常低的噪声系数。

典型的品质因数有：在18GHz时，拥有0.8dB 噪声系数和12dB的相关增益；在40GHz时，拥有1.5dB 噪声系数和9.5dB的相关增益。GaAs 0.15µm pHEMT晶体管，适用于非常低的噪声放大时，通常偏置电压在2到3V，也可以作为源接地的理想开关，具有极低的寄生效应和非常宽的频带能力，典型的关断电压为-0.7伏。

这种小而紧凑的GaAs晶体管是许多需要高性能低噪声放大和将小信号切换到非常高频率的毫米波应用的理想选择。

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CENTRAL SEMICONDUCTOR（美国中央半导体公司） 2N5484，2N5485和2N5486是硅N沟道JFET，专为RF放大器和混频器应用而设计。栅源电压VGS=20V时，栅源电流IGSS为均为1.0nA（最大）。当频率达到百兆以上时，噪声系数依然很小，因此该系列产品适合高频应用。

2018-12-15 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【元件】時科推出超高频低噪声晶体管BFS520，SOT-323 SMD封装，具有高功率增益、低噪声系数、大动态范围等特性

時科超高频低噪声晶体管BFS520，采用平面NPN硅外延双极的工艺。具有高功率增益、低噪声系数、大动态范围和理想电流等特性，SOT-323 SMD封装。主要应用于高频、超高频和有线电视高电平频率宽带低噪声放大器。

2023-05-10 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】0.15μm pHEMT改进型高电子迁移率晶体管PH15，主要应用于高频电路

PH15是UMS公司推出的一款射频二极管，该二极管的阈值电压典型值为-0.75V，饱和电流Idmax典型值为280mA/mm，击穿电压Vbds典型值为6V，跨导Gme典型值为95mS,最大值为110mS,与其他同类产品相比，PH15具有很低的输入电容与反馈电阻。其输入电容仅为110fF（额定值），最大不超过140fF，反馈电容仅为25fF，最大不超过30fF。

2018-10-14 - 新产品代理服务技术支持采购服务

氮化镓和砷化镓产品及铸造解决方案

描述- 该资料主要介绍了ENABLE公司提供的GaN和GaAs产品及晶圆代工解决方案，涵盖中频和毫米波RAN、固定无线接入、5G测试测量、中继器和室内设备等领域。产品包括线性高功率放大器、超低噪声放大器、快速高隔离开关等，支持多种频段，如26、28、39、47GHz等。此外，还提供了多种封装选项，包括QFN、DFN等，以满足不同应用需求。资料还展示了不同频段下的产品性能参数，如增益、IP3、OP1dB等。

型号- CHA6682-QCB,CHM1294-99F,CHK9013-99F,CHA1008-99F,CHA6682-QKB,CHA7063-QCB,CHA3090-98F,CHA5659-QXG,CHK015AAQIA,CHA3688AQDG,CHKA012-99F,CHA2595-98F,CHA8262-99F,CHA4105-QDG,CHC6094-QKB,CHA2069-QDG,CHW4212-QKA,CHA6094-QKB,CHA6682-98F,CHA2595-QDG,CHA3396-QDG,CHA8362-99F,CHC6094,CHA4350-QDG,CHA6652-QXG,CHA3397-QDG,CHM1080-98F,CHW4313-QAG,CHA2080-98F,CHE1270-QAG,CHA6095-QKB,CHA3409-98F,CHA3398-QDG,CHA6653-QXG,CHA7453-99F,CHK8101A99F,CHA6354-QQA,CHT4690-QAG,CHA3024-QGG,CHC6054-QQA,CHA2352-98F,CHK9014,CHA3395-QDG,CHW4312-QKA,CHA2159-99F,CHA3656-QAG,CHR2295-99F,CHA2494-QEG,CHA7455-99F,CHA6194-QXG,CHA7250-QAB,CHA2368-98F,CHK5010-99F,CHM1298-99F,CHA3080-98F,CHR1080A98F,CHA7060-QAB,CHA6357-QKB,CHA4220-QGG

2024/5/15 - UMS - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务查看更多版本

ZRL1402LP2H低噪声放大器10~13.5GHz数据表

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型号- ZRL1402QRA,ZRL1402QRB,ZRL1402QRC,ZRL1402LP2H

20240408 - 知融科技 - 数据手册 - Rev.0.5 代理服务技术支持采购服务

【产品】采用SOT-363 SMD封装的超高频低噪声晶体管PCT801，适用于高频宽带低噪声放大器

时科的超高频低噪声晶体管PCT801，采用平面NPN硅外延双极工艺。其SOT-363 SMD封装具有高功率增益、低噪声、大动态范围和理想的电流特性；一般应用在VHF，UHF，CATV，无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器上。

2023-02-15 - 产品代理服务技术支持采购服务

PH25-20 0.25μm低噪声P高电子迁移率晶体管铸造工艺数据表

描述- 该资料介绍了0.25µm低噪声pHEMT工艺，适用于高达60GHz的低噪声应用。PH25-20的第二代工艺具有更薄的衬底（70µm），支持额外的2端口晶体管拓扑结构。工艺包括两层金属互连层、精密TaN电阻、高值TiWSi电阻、两种密度的MIM电容器和MIM过孔电容器、空气桥、热孔和通过衬底的多孔。可选的覆盖层和热孔可用。

型号- PH25-20

2024/6/10 - UMS - 数据手册代理服务技术支持采购服务

PH10 UMS 0.1μM GaAs甚高频P高电子迁移率晶体管工艺

描述- PH10技术提供0.1µm GaAs Very High Frequency pHEMT工艺，适用于低噪声放大，频率可达110GHz，典型Ft为130GHz，功率密度超过300mW/mm，典型噪声系数为2.3dB @ 70GHz。工艺特点包括双金属互连层、精密TaN电阻、高值TiWSi电阻、MIM电容器、空气桥、通孔和金镀背面。PH10产品适用于E波段通信、W波段雷达、光纤、安全传感器、空间仪器等领域。典型产品包括LNA 71-86GHz、MPA 71-76GHz、MPA 81-86GHz和Down-converter CHR1080a98F。

型号- PH10,CHA3080-98F,CHR1080A98F,CHA2080-98F,CHA3090-98F

2021/06/01 - UMS - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

PPH15X-20 0.15μm Power P高电子迁移率晶体管铸造工艺数据表

描述- 本资料介绍了0.15µm pHEMT工艺，适用于宽带高功率放大，频率可达45GHz。该工艺包含两层金属互连层、精密TaN电阻、高值TiWSi电阻、MIM电容器、空气桥和通孔，可选覆盖层。主要特性包括：典型Ft为70GHz，功率密度为800mW/mm，支持TaN和TiWSi电阻、GaAs电阻、MIM电容器（标准和高密度）、空气桥和通孔，操作Vds为6.0V，Vbds > 12.0V，晶圆厚度为70µm，晶圆直径为100mm。

型号- PPH15X-20

2024/6/10 - UMS - 数据手册代理服务技术支持采购服务

【产品】采用平面NPN硅外延双极型工艺的高频低噪声晶体管2SC3356，具有高功率增益、低噪声系数等电流特性

2SC3356是萨科微推出的一款超高频低噪声晶体管，采用平面NPN硅外延双极型工艺。具有高功率增益、低噪声系数、大动态范围和理想的电流特性，采用SOT-23贴片式封装，主要应用于VHF，UHF和CATV高频宽带低噪声放大器。

2023-01-19 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】具有高功率增益、低噪声系数等特性的高频低噪声晶体管2SC3585，集电极电流极限值为35mA

2SC3585是萨科微推出的一款超高频低噪声晶体管，采用平面NPN硅外延双极型工艺。具有高功率增益、低噪声系数、大动态范围和理想的电流特性，采用SOT-23-3L贴片式封装，主要应用于VHF，UHF和CATV高频宽带低噪声放大器。

2023-01-17 - 产品代理服务技术支持采购服务

PH10-10 0.1μm极低噪声P高电子迁移率晶体管铸造工艺数据表

描述- 该资料介绍了PH10-10型号的0.1µm超低噪声pHEMT工艺，适用于高达110GHz的低噪声应用。该工艺具备双金属互连层、高精度TaN电阻、高值TiWSi电阻、MIM电容器、空气桥和通孔等特性。资料还提供了设计套件特性，包括ADS设计套件支持、非线性模型等。

型号- PH10-10

2024/6/10 - UMS - 数据手册代理服务技术支持采购服务

EC2612-99F 40GHz超低噪声高电子迁移率晶体管假晶高电子迁移率晶体管数据表

描述- 该资料介绍了EC2612-99F型40GHz超低噪声pHEMT（伪晶态高电子迁移率晶体管）的特性。它基于0.15μm栅极伪晶态高电子迁移率晶体管技术，具有120μm的栅宽和0.15μm T形铝栅，提供优异的低电阻和高可靠性。该器件在18GHz时的最小噪声系数为0.8dB，在40GHz时的最小噪声系数为1.5dB，并具备12dB的关联增益。

型号- EC2612,EC2612-99F,EC2612-99F/00

30 Nov 21 - UMS - 数据手册代理服务技术支持采购服务

用于多用途相控阵雷达的X波段AESA芯片组氮化镓和GaAs解决方案

描述- 本资料介绍了适用于多用途相控阵雷达的GaN和GaAs解决方案，包括X波段AESA芯片组。内容涵盖防御、空中交通和卫星应用，强调高性能、高效率和可靠性。资料详细列出了低噪声放大器、驱动放大器、高功率放大器、GaN HEMT晶体管、核心芯片、衰减器、移相器和反射式SPDT开关等产品的规格和参数。此外，还提供了UMS公司的解决方案构建工具和全球分销商信息。

型号- CHS8618-99F,CHA6710-99F,CHA6710-FAB,CHS5100-99F,CHA6105-99F,CHA7215-99F,CHT3029-QEG,CHS7012-99F,CHC3014-99F,CHA8100-99F,CHA6005-QEG,CHP3015-QDG,CHT4016-QEG,CHA8054-99F,CHA7115-99F,CHK8015-99F,CHA2110-QDG,CHA5014-99F,CHA8611-99F,CHA1010-99F,CHA5115-QDG,CHA2063A99F,CHK9014-99F,CHA8710A99F,CHA7114-99F,CHA8610-99F

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PH25 0.25μm低噪声P高电子迁移率晶体管铸造工艺数据表

描述- 该资料介绍了PH25 0.25µm低噪声pHEMT工艺，该工艺针对低噪声和多用途操作优化，适用于高达60GHz的频率。工艺包括两层金属互连层、精密TaN电阻、高值TiWSi电阻、MIM电容器、空气桥和通过衬底的通孔。可选的覆盖层。资料还提供了设计套件特性，包括ADS和MwO支持，以及可扩展的模型和特性。

型号- PH25

2024/6/10 - UMS - 数据手册代理服务技术支持采购服务