【产品】AM0904型双N沟道增强型MOSFET，DFN8（5x6）封装，通过100％UIS + Rg测试
AIT公司推出的AM0904是一款双N沟道增强型MOSFET，采用DFN8（5x6）小型封装，通过100％UIS + Rg测试，坚固耐用，可用于台式计算机的电源管理或DC / DC转换器等领域。
AM0904的沟道1和沟道2的漏源电压均为30V，栅源电压均为±20V。沟道1和沟道2的二极管连续正向电流分别为5A和20A；连续漏极电流分别可达48A和50A（TC=25°C条件下）。器件的结温最大至150°C，存储温度宽至-55~150°C，能够在不同温度环境下存储和工作。
此外，AM0904具有低漏源导通电阻；沟道1在VGS=10V, IDS=15A条件下的漏源导通电阻最大值仅7mΩ；沟道2在VGS=10V, IDS=30A条件下的漏源导通电阻最大值仅4mΩ。
特性：
沟道1
30V / 48A，
RDS（ON）=7mΩ（最大值）@ VGS = 10V
RDS（ON）=10mΩ（最大值）@ VGS = 4.5V
沟道2
30V / 50A，
RDS（ON）=4mΩ（最大值）@ VGS = 10V
RDS（ON）=5.9mΩ（最大值）@ VGS = 4.5V
通过100％UIS + Rg测试
坚固耐用
采用DFN8（5x6）封装
应用领域
台式计算机的电源管理或DC / DC转换器
N沟道MOSFET：
引脚分配：
订购信息：
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
【产品】采用SOT-26封装的双N沟道增强型MOSFET AM6802，最大结温150℃
AiT推出的AM6802是一款双N沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM6802可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压30V、栅源电压±20V、连续漏极电流4A、VGS=10V时，300μs脉冲漏极电流为16A、最大耗散功率1W。
AIT 低压MOS管选型表
AIT提供以下参数选型，V(BR)DSS (V)：-60 to 600；VGS (V)：±6 to ±30；多种封装：TO-220，SC-89，SOT-23S，TO-252，SOT-23等。
|
产品型号
|
品类
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V(BR)DSS (V)
|
VGS (V)
|
IDS (A) (25°C)
|
VGS(TH) (V) Min/Max
|
RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ
|
Type
|
ESD
|
Vgs=±4.5V (mΩ) Typ
|
Vgs=±2.5V (mΩ) Typ
|
Vgs=±1.8V (mΩ) Typ
|
Package Type
|
|
AM0292
|
低压MOS管
|
100
|
±20
|
120
|
2.0/4.0
|
4
|
N
|
–
|
–
|
–
|
–
|
TO-220
|
选型表 - AIT 立即选型
AM6802 MOSFET DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
描述- AM6802是一款双通道增强型N沟道MOSFET，适用于笔记本计算机、便携式设备和电池供电系统中的电源管理。该器件具有30V/4A的最大电压和电流规格，低导通电阻（最大39mΩ），并采用SOT-26封装。
型号- AM6802,E6,AM6802E6R,AM6802E6VR
【产品】N沟道增强型功率MOSFET AM9926，采用SOP8封装，温度范围-55°C~150°C
AiT推出的AM9926是一款N沟道增强型功率MOSFET。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM9926可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压20V、栅源电压±12V、连续漏极电流6A、脉冲漏极电流25A、最大耗散功率1.25W，工作结温和存储温度范围均为-55°C~ 150°C。
【产品】SC70-6封装的双N沟道增强型MOSFET AM6N7002K，温度范围-55°C~150°C
AiT推出的AM6N7002K是一款双N沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM6N7002K可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压60V、栅源电压±20V、连续漏极电流0.29A、脉冲漏极电流1A、耗散功率0.26W。工作结温与存储温度范围均为-55°C~ 150°C。
AM4920 MOSFET 30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
描述- AM4920是一款由AiT Semiconductor Inc.生产的30V双通道增强型模式功率场效应晶体管。该器件采用高密度单元格设计和先进的沟槽技术，提供极低的导通电阻（RDS(ON)），适用于负载开关或PWM和同步降压转换器的栅极电荷应用。
型号- AM4920M8R,AM4920M8VR,AM4920
AM0904 MOSFET DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
描述- 该资料介绍了AiT Semiconductor Inc.生产的AM0904型号双通道增强型N沟道MOSFET。该器件采用DFN8（5x6）封装，具有高电流承载能力和低导通电阻，适用于桌面计算机或直流/直流转换器中的电源管理。
型号- AM0904,AM0904J8R,AM0904J8VR
AM4920 30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
描述- AM4920是一款30V双通道增强型模式功率场效应晶体管（MOSFET），采用高密度单元格设计和先进的沟槽技术，提供极低的导通电阻。该器件适用于负载开关或PWM和同步降压转换器应用。
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【选型】AiT（创瑞科技）电源管理IC/EEPROM存储芯片/分离器件/保险丝/晶振/电感选型指南
目录- 直流电源转换器 交直流转换控制器 复位IC 稳压器 LED驱动 OLED 驱动 闸驱动控制 马达驱动 开关与过滤控制 USB 充电端口控制器 霍尔开关 音频功放 运算放大器 电池管理 EEPROM存储芯片（记忆体） 触控IC MOS 管开关 电感 分离器件 可恢复式保险丝 晶振 车用电子（AEC-Q101)
型号- LM4689,RUR04N02,TWSS,TBAXXXW,TWSR,TMBTA94,TMBZ5229B,TBAXXXL,TS3A24159,MC7805,F0805L010,KOL7050,TMBTA92,24C128,TESD6A6V8W6,S-93C46,TSODJ28CA-SH,TMBR340F,LM432,LM431,TRBXXXF-XX,TESD5L3.3C,AM4102,S-24C32,TMBZ5228B,TBAS70-05L,TWSF,TMBT6520,FSUB42,TRB751V-40,F0805L020,TESD5L3.3,TM3Z9V1,TSODJ12CA-SH,TWSI,TSOD4005-SH,S-24C02,S-24C04,F1210L200SL,AOT4N60,S-24C08,TMSZ5238B,TMBT6517,2N7002DKW,F1206L400SL,TDTC114YE,MX25P128,TMSZ5239B,TMBTA55L,F0805L260SLTH,TMBR120F,TM5Z22V,KSS7050,TMBT4403W,AOT7S60,S-24C16,T2SCXXXL,F0805L050-9,T2SCXXXW,T2SD1781KR,TMSZ5237B,F0603L,RT8293,TMBTA56L,TESD9D3.3C,RT9149,TPA3110,TX99-04B,F2920L200,KF868.35,TESD5Z5.0C,F1210L005,TBC807-40L,LT1084,KOG3225,AM6310,KVL7050,TBZX84C7V5,S-24C64,A2610,F0805L050,TUDZS20B,TM5Z24V,TBC807-40W,TMBT4401L,KRT7050,RB520G-30,TMBT4401W,2SAXXXM3,F1812L020-60,KF8042,BAT750,AOTF11S60,TMBT4403L,TMBTA42,TESD6AXXXW6,TSODJ7.5CA-SH,AP8370,TBZT52C2V4,FAN73892MX,TBZT52C2V7,AOTF11S65,MP9115,KTC7050,TBC848CPDW,F1210L020,AP8366,TBC847BDW,KF8037,A4810,RB520CS-30,A4812,A4813,R3111,R1EX241024,AM3416A,8MXX,AM8958,R1EX24512,F2920L300-15,F0805L035,T2SC1623SW,A4808,A4809,KF8021,TBAT54TW,KF8022,WSA,KF8023,A4804,F1210L010,KF8024,A4805,WSC,A4806,TCM809,TDTC114TE,TSODJ5.0A-SH,KF8028,3C46,WSF,WSI,TBZX84B4V7,WSM,WSP,WSS,WSR,F2920L300-24,MDL301,RT9101,MPS915,KSM1610,SM5100C,F2920L250,KF8010,TSODJ30CA-SH,TSODJ45A-SH,MBTXXXM,KF8011,KF8012,ESD5V0S1,KF8013,AO324A,TBA277,AM2309,MBTXXXW,KF8017,AM2308,AM2307,AM2306,MBTXXXT,AM2305,AM2304,AM2303,AM2302,TBC847BL,TBZT52B3V3,AM2301,KR915,AM2300,630,TBZT52B3V0,TBZT52B3V6,TMBZ5221B,TBC847BT,TDTC115EE,FM401-407,TSTZ5.6N,TBZT52B3V9,TBC847BW,F1210L035,TBAS21C,F2920L260,KF8002,F-11,KF8007,TBAT54L,KF8008,KF8009,TBAS21H,TESD8H5.0C,AM4501,LT3400B,T2SCXXX/W,TBAT54H,TBC847CL,A24C256,TBAT54W,AO4406A,642,T1SSXXX,TBC847CW,TRB501V-40,T2SCXXX/L,S-1111,MBD2836,F1206L600SL,AM0830H,AM4953,MBD2838,TBAS20H,TBSS84DW,F0805L075,MAX4685,MAX4684,F1210L400SL,9LXX,MBTXXXX,F1210L050,AM2319,AM2318,AM2317,NCP717,2N7002W,AM2313,AM2312,TBC847AL,AM2311,AM2310,TDTA114EE,KF7139,TBAV70L,NLAS3157,F1206L025-24,2SAXXX,TBAV70W,TBC847AW,TMBTXXX/L,TBAV70T,TBZX84C3V3,BR24L2048,TBZX84C3V0,WSF8D,TBC817-25L,TSODJ36A-SH,S-1132,TBZX84C3V9,TMBR0520E,BAV99L,TMBR0520F,TBZX84C3V6,A780,TMBZ5225B,AM1013,MBTHXXX/L,AM1012,TBC817-25W,A6141,AM2342,KF7128,A6140,KF7126,ESD3ZXX,XC9216,AP8306,TPS61041,RT9176,F1210L075,A317,TM3Z18V,BAT54XX,F1206L050-15,TBZT52C6V2,TBZT52C6V8,BAV99W,RT9166,TUDZS8.2B,RT9165,RT9164,F1206L150SL,TSODJ58A-SH,TPS2513,TPS2514,MBTAXXW,BAT54XW,TBASXXH,TMBZ5227B,RT9193,MBTAXXL,632A,BAT54XL,MBD7000L,AT1318,RT9198,S-24C256,MBTAXXX,TMBZ5226B,RT9183,2SCXXXM3,A6151,TM3Z16V,A6150,TMBT5551L,A24C2048,S-1172,BR24L256,AM2N7002DW,LT1844,LM78LXX,TBZX84C39,A7425,AM410,A7431,TBZX84C43,AON6210,TBZX84C47,SI4178,R1EX24016,TM3Z27V,TBZT52B7V5,KF4053,SM8205,TSODJ26CA-SH,TGSOT12C,QCC4A,TSODJ7.0CA-SH,R1EX24032,BZX84CXXX,W 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创瑞科技(AiT)，致力于设计和行销高性能的类比与混合信号IC，为全球消费类电子产品市场提供音频放大及电源管理等解决方案，结合控股集团高品质的电感、晶振及保险丝提供技术整合支援，缩短产品设计周期。
AiT SEMi推出整合控制单元MOSFET和IGBT的高压、高速功率驱动器AG2113，工作电压高达600V
AG2113是一款整合控制单元MOSFET和IGBT的高压、高速功率驱动器，具有基于特殊制程的独立高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LS TTL输出（低至3V逻辑）兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，专为最小化驱动器交叉传导而设计。具有传播延迟相匹配，以简化高频应用中的应用。
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品类：Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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品类：Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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品类：Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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可定制内充多极外充多极，平面多极和内外螺旋型各类充磁产品，多级充磁最多可做256极，通过环氧树脂加入稀土，模具压制支持多尺寸定制，
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可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
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