【产品】N沟道高级功率MOSFET RU6888M，具有超低导通电阻的优点，漏源电压可达68V

时间： 2023-03-01 来源：锐骏半导体

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锐骏半导体推出的N沟道高级功率MOSFET RU6888M，采用超高密度单元设计，具有超低导通电阻的优点，通过了100%雪崩测试，可以提供无铅和绿色器件（符合RoHS），TC=25℃时，绝对最大额定值方面，漏源电压可达68V。

引脚说明

特点

• 68V/80A

R_DS(ON)=5.5mΩ(Typ.)@V_GS=10V

• 超高密度单元设计

• 超低导通电阻

• 100%雪崩测试

• 提供无铅和绿色器件（符合RoHS）

应用

• 电源管理

• 开关应用

• 负载开关

绝对最大额定值

电气特性（除非另有说明，否则T_C=25℃）

注意

① 封装限制最大电流为50A。

② 脉冲宽度受安全工作区限制。

③ 安装在1英寸见方的铜板上时，t≤10秒。

④ 受限于T_Jmax，I_AS=28A，VDD=48V，RG=50Ω，起始TJ=25℃。

⑤ 脉冲测试：脉宽300s，占空比2%。

⑥ 设计保证，不代表生产测试。

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产品型号	品类	Channel	ESD Diode (Y/N)	VDSS(V)	VTH(V)	IDS(A)@TA=25℃ (A)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)	Package
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