【产品】N沟道高级功率MOSFET RU6888M，具有超低导通电阻的优点，漏源电压可达68V
锐骏半导体推出的N沟道高级功率MOSFET RU6888M，采用超高密度单元设计，具有超低导通电阻的优点，通过了100%雪崩测试，可以提供无铅和绿色器件（符合RoHS），TC=25℃时，绝对最大额定值方面，漏源电压可达68V。
引脚说明
特点
• 68V/80A
RDS(ON)=5.5mΩ(Typ.)@VGS=10V
• 超高密度单元设计
• 超低导通电阻
• 100%雪崩测试
• 提供无铅和绿色器件（符合RoHS）
应用
• 电源管理
• 开关应用
• 负载开关
绝对最大额定值
电气特性（除非另有说明，否则TC=25℃）
注意
① 封装限制最大电流为50A。
② 脉冲宽度受安全工作区限制。
③ 安装在1英寸见方的铜板上时，t≤10秒。
④ 受限于TJmax，IAS=28A，VDD=48V，RG=50Ω，起始TJ=25℃。
⑤ 脉冲测试：脉宽300s，占空比2%。
⑥ 设计保证，不代表生产测试。
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