【产品】高速16K x16位双端口静态RAM 7026S/7026L，待机功耗低至1mW
IDT（RENESAS收购）推出的7026S/7026L，是一种高速16K x16位双端口静态RAM，可用作独立的双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于32位或更多位系统。由CE控制的自动断电功能允许每个端口的片上电路进入非常低的待机电源模式。该芯片的军用级版本符合最新的MIL-PRF-38535 QML标准。
特征
· 真正的双端口存储单元，允许同时访问相同的内存位置
· 高速访问：
–商业级：15/20/25 / 35ns（最大值）
–工业级：20ns（最大值）
–军用级：25 / 35ns（最大值）
· 低功耗运行：
– IDT7026S
活跃状态：750mW （典型值）
待机状态：5mW （典型值）
– IDT7026L
活跃状态：750mW （典型值）
待机状态：1mW （典型值）
· 独立的高字节和低字节控制以实现多路总线兼容性
· 当级联多个设备时，通过使用MASTER / SLAVE选择，IDT7026可轻松地将数据总线宽度扩展到32位或更多
· M / S = H表示Master上的BUSY输出标志
· M / S = L表示Slave上的BUSY输入标志
· 片上端口仲裁逻辑
· 端口之间信号量信号的完整片上硬件支持
· 从任一端口进行完全异步操作
· TTL兼容，单电源5V(±10%)
· ·提供84引脚PGA和PLCC封装
· 在选定速度上符合工业温度范围（–40°C至+ 85°C）
· 提供绿色零件，请参阅订购信息
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游来游去 Lv8. 研究员 2019-11-27学习 -
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辛巴 Lv8. 研究员 2019-11-27学习 -
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用户18396822 Lv8 2019-11-27学习了
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现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
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