【技术】解析TVS瞬态抑制二极管特点及特性曲线
里阳半导体解析TVS瞬态抑制二极管特点及特性曲线:瞬态抑制二极管(Transient voltage suppression diode)也称为TVS瞬态抑制二极管,是一种利用二极管雪崩击穿原理制成的突波吸收保护器件。使用时并联在电路中,当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时,他能以极快的速度(纳秒级)使其阻抗降低,同时吸收大电流,将其两端间的电压钳位在一定数值上,从而确保后面的元器件免受瞬态高能量的冲击而损坏。
图 1
TVS瞬态抑制二极管的特点
●将TVS二极管加在信号及电源线上,能防止微处理器或单片机因瞬间的脉冲,如静电放电效应、交流电源之浪涌及开关电源的噪音所导致的失灵。
●静电放电效应能释放超过10000V、60A以上的脉冲,并能持续10ms;而一般的TTL器件,遇到超过30ms的10V脉冲时,便会导致损坏。利用TVS二极管,可有效吸收会造成器件损坏的脉冲,并能消除由总线之间开关所引起的干扰(Crosstalk)。
●将TVS二极管放置在信号线及接地间,能避免数据及控制总线受到不必要的噪音影响。
TVS瞬态抑制二极管的特性曲线
TVS的电路符号与普通稳压二极管相同。它的正向特性与普通二极管相同;反向特性为典型的PN结雪崩器件。
在瞬态峰值脉冲电流作用下,流过TVS的电流,由原来的反向漏电流ID上升到IR时,其两极呈现的电压由额定反向关断电压VWM上升到击穿电压VBR,TVS被击穿。随着峰值脉冲电流的出现,流过TVS的电流达到峰值脉冲电流IPP。在其两极的电压被箝位到预定的最大箝位电压以下。尔后,随着脉冲电流按指数衰减,TVS两极的电压也不断下降,最后恢复到起始状态。这就是TVS抑制可能出现的浪涌脉冲功率,保护电子元器件的整个过程。
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