本文由西瓜头头大翻译自Diotec,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
评论
全部评论(3)
-
Yangwang Lv7. 资深专家 2019-10-16不错
-
棒棒猫 Lv6. 高级专家 2019-10-16产品不错
-
454674780 Lv7. 资深专家 2019-10-16了解
相关推荐
【产品】采用SOT-23封装的N沟道场效应晶体管BSS138,内置了ESD保护二极管
辰达行推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET BSS138,内置了ESD保护二极管,采用高密度单元设计实现超低导通电阻。可应用于电池供电系统,固态继电器,驱动器。
【产品】N沟道增强型场效应晶体管2N7000,采用TO-92(10D3)封装方式
Diotec(德欧泰克)致力于半导体二极管和整流器的研发生产,具备成套的专项技术,其推出的2N7000是N沟道增强型场效应晶体管,具有较好的阻燃特性,符合ROHS、REACH标准,是环境友好型器件,主要应用于信号处理、驱动器、逻辑电平转换器等应用领域。该N沟道增强型场效应晶体管重量非常轻,仅为0.18g,采用TO-92(10D3)封装方式,便于紧凑型安装。
【产品】开关速度快的N沟道增强型场效应晶体管MMFTN2362,符合RoHS、REACH标准
Diotec推出的N沟道增强型场效应晶体管MMFTN2362,具有开关速度快的产品特性,器件符合RoHS、REACH标准,以及Conflict Minerals的管理规定,器件主要应用于信号处理应用、逻辑电平转换器等领域。
DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型: Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]:-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]:150~175、Power Dissipation Ptot [W]:0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]:-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]:-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]:0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]:-10~10、Turn-OnTime ton[ns]:3~1206、Turn-Off Time toff[ns]:7~991
产品型号
|
品类
|
Type
|
Package
|
Drain Source Voltage VDS[V]
|
Drain Current ID[A]
|
Junction Temperature Tjmax[℃]
|
Polarity pol
|
Power Dissipation Ptot [W]
|
Peak Drain Current IDM [A]
|
Threshold Voltage VGSth[V]
|
On-Resistance RDSon[Ω]
|
On-Resistance ID[A]
|
On-Resistance VGS[V]
|
Turn-OnTime ton[ns]
|
Turn-Off Time toff[ns]
|
2N7000
|
MOSFETs
|
Wire-lead
|
TO-92
|
60
|
0.2
|
150
|
N
|
0.35
|
0.5
|
0.8
|
5
|
1
|
10
|
10
|
10
|
选型表 - DIOTEC 立即选型
2N7000 N沟道增强型FET
描述- 该资料详细介绍了2N7000型N沟道增强型FET的特性,包括其电气参数、机械数据、应用领域和特性。该产品适用于信号处理、逻辑电平转换器和驱动器等应用,具有快速开关时间、符合RoHS、REACH和冲突矿产规定等特点。
型号- 2N7000
DJD01R120A/DJB01R120A 1200V常开型N沟道场效应晶体管临时数据表
描述- 本资料为DJD01R120A/DJB01R120A型1200V N沟道场效应晶体管的数据手册。该晶体管具有常通特性、电压控制、极快开关速度、低栅极电荷、低固有电容等特点,适用于过流保护电路、DC-AC逆变器、开关电源、功率因数校正模块、电机驱动和感应加热等领域。
型号- DJD01R120A,DJB01R120A
MMFTN138 N沟道增强型FET
描述- 该资料介绍了MMFTN138型N沟道增强型场效应晶体管(FET)的技术规格和应用。它涵盖了最大额定值、静态和动态特性、封装尺寸以及典型应用领域。
型号- MMFTN138-AQ,MMFTN138-Q,MMFTN138
MMBT7002K N沟道增强型FET
描述- MMBT7002K是一款N-通道增强型FET,具有低导通电阻、快速开关时间和符合RoHS标准等特点。该产品适用于信号处理、逻辑电平转换和驱动器等应用。
型号- MMBT7002K,MMBT7002K-Q,MMBT7002K-AQ
2N7002A|2N7002 N沟道增强型FET
描述- 本资料介绍了2N7002A和2N7002两种N沟道增强型场效应晶体管(FET)的特性。这些器件具有低导通电阻、快速开关时间,适用于信号处理、驱动器和逻辑电平转换器等领域。
型号- 2N7002,2N7002A,2N7002A-AQ
MMFTN3404A N沟道增强型FET
描述- 该资料介绍了MMFTN3404A型N沟道增强模式MOSFET的特性。它是一种适用于商业/工业级应用的功率器件,具有快速开关时间、低导通电阻(RDS(on) < 23 mΩ)和高热阻承受能力(Tjmax = 150°C)。该产品采用SOT-23封装,广泛应用于信号处理、驱动器和逻辑电平转换器等领域。
型号- MMFTN3404A-AQ,MMFTN3404A
MMFTN340K N沟道增强型FET
描述- 该资料介绍了MMFTN340K型N通道增强模式MOSFET的特性。它具有快速开关时间、低导通电阻和低栅极电荷等特点,适用于直流转换器、信号处理、驱动器和逻辑电平转换器等领域。
型号- MMFTN340K,MMFTN340K-AQ
MMFTN1092K N沟道增强型FET
描述- 该资料介绍了MMFTN1092K型N沟道增强型场效应晶体管(FET)的技术规格和应用。主要包括其静态和动态特性、热特性、封装尺寸、最大额定值以及典型应用领域。
型号- MMFTN1092K-AQ,MMFTN1092K
MMFTN138W N沟道增强型FET
描述- 本资料介绍了MMFTN138W N沟道增强型场效应晶体管(FET)的技术规格和应用。该器件具有低导通电阻、快速开关时间等特点,适用于商业和工业级应用,符合RoHS标准。资料提供了详细的电气特性、热特性和封装信息。
型号- MMFTN138W
MMFTN3422K N沟道增强型FET
描述- 本资料介绍了MMFTN3422K N沟道增强型FET的特性,包括其静态和动态特性、热特性、尺寸和功率耗散。该器件适用于信号处理、逻辑电平转换器和驱动器等领域。
型号- MMFTN3422K,MMFTN3422K-AQ
2N7002PW N沟道增强型FET
描述- 本资料介绍了2N7002PW N沟道增强型场效应晶体管(FET)的技术规格和应用。该器件具有低导通电阻、快速开关时间等特点,适用于信号处理和驱动器电路。资料提供了详细的电气特性、热特性和尺寸数据。
型号- 2N7002PW
电子商城
服务
提供CE测试服务,通过晶体回路匹配分析,给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳/上海 提交需求>
测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址: 深圳 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论