【产品】瑶芯微推出的超结功率MOSFET AKS65N1M4KM，漏源电压最大额定值高达650V

时间： 2023-03-26 来源：瑶芯微

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瑶芯微推出型号为AKS65N1M4KM的超结功率MOSFET，该器件能为客户应用提供良好的FOM性能以及更优的EMI（电磁干扰）特性。

最大额定参数值和电气参数方面（T_A=25℃，除非另有说明），器件漏源电压最大额定值高达650V，持续漏极电流最大额定值高达3A（T_C=25℃，最大漏极电流额定值受限于器件封装)，栅源电压最大额定值为±30V，器件耗散功率最大额定值为52W（T_C=25℃），器件工作温度和存储温度范围均宽至-55℃~+150℃。器件主要应用于高频开关应用，快速充电器和适配器等应用领域。

器件特征

低FOM R_DS(ON)×Q_G
EMI特性更优
100% UIS测试
符合RoHS标准（详细信息可联系 ALKAIDSEMI销售）
无卤器件（详细信息可联系 ALKAIDSEMI销售）

器件应用领域

高频开关应用
快速充电器和适配器

最大额定值（T_A=25℃，除非另有说明）

热阻值

Note：

1.最大漏极电流额定值受限于器件封装；

2.重复额定值：脉冲宽度受最高结温限制；

3.L=100mH，V_DD=150V，I_AS=1.2A，R_G=25Ω,T_J=25℃开始；

4.贴装在最小PCB板上；

电气参数（T_J=25℃，除非另有说明）

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