【应用】碳化硅MOSFET SCT3080KL在10kW DC/DC 升压电路上的应用
碳化硅(SiC)器件制成的功率变换器具有更高的阻断电压,更低的导通电阻和更高的导热性,因此有望实现更高的功率密度。 在可用的SiC器件类型中,与SiC JFET或SiC晶体管相比,N沟道增强模式SiC MOSFET具有结构简单,易于设计和低损耗的优势,因此在取代传统Si MOSFET或Si IGBT方面具有最大的兼容性。ROHM推出了SiC MOSFET SCT3080KL,下图是SCT3080KL的外观和内部电路结构。MOSFET可应用于太阳能逆变器,高压DC/DC变换器等领域。本文主要介绍SCT3080KLSiC MOSFET 在DC/DC 升压电路设计中的应用优势。
图1:产品外观图和内部结构图
下图是基于SCT3080KL等SiC 器件设计的交错式升压变换器电路框图。 在此电路设计下,交错式变换器架构的每个通道均包含一个SiC 1200V / 20A 80mohm MOSFET(SCT3080KL)和一个SiC 1200V / 10A肖特基二极管,以实现10KW升压功能。 由于全部采用SiC功率器件,因此变换器可以在高频下工作以实现高功率密度。此外,全SiC变换器采用交错式拓扑设计,具有更少的组件,这对于电力电子行业来说是一个巨大的突破。
图2: 基于SCT3080KL等SiC器件设计的交错式DC/DC升压变换器电路框图
图3:SCT3080KL 的关键参数
上表展现了SiC MOSFET SCT3080KL的关键参数,SCT3080KL具有低电容且开关损耗较小,同时,其导通态电阻在结温下具有更好的正系数,这使得SiC MOSFET可以在多个器件并联时获得更好的散热效果。 综合比较来看,SiC MOSFET SCT3080KL都将允许高频系统实现高功率密度和高效率。
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