【应用】碳化硅MOSFET SCT3080KL在10kW DC/DC 升压电路上的应用
碳化硅（SiC）器件制成的功率变换器具有更高的阻断电压，更低的导通电阻和更高的导热性，因此有望实现更高的功率密度。 在可用的SiC器件类型中，与SiC JFET或SiC晶体管相比，N沟道增强模式SiC MOSFET具有结构简单，易于设计和低损耗的优势，因此在取代传统Si MOSFET或Si IGBT方面具有最大的兼容性。ROHM推出了SiC MOSFET SCT3080KL，下图是SCT3080KL的外观和内部电路结构。MOSFET可应用于太阳能逆变器，高压DC/DC变换器等领域。本文主要介绍SCT3080KLSiC MOSFET 在DC/DC 升压电路设计中的应用优势。
图1：产品外观图和内部结构图
下图是基于SCT3080KL等SiC 器件设计的交错式升压变换器电路框图。 在此电路设计下，交错式变换器架构的每个通道均包含一个SiC 1200V / 20A 80mohm MOSFET（SCT3080KL）和一个SiC 1200V / 10A肖特基二极管，以实现10KW升压功能。 由于全部采用SiC功率器件，因此变换器可以在高频下工作以实现高功率密度。此外，全SiC变换器采用交错式拓扑设计，具有更少的组件，这对于电力电子行业来说是一个巨大的突破。
图2： 基于SCT3080KL等SiC器件设计的交错式DC/DC升压变换器电路框图
图3：SCT3080KL 的关键参数
上表展现了SiC MOSFET SCT3080KL的关键参数，SCT3080KL具有低电容且开关损耗较小，同时，其导通态电阻在结温下具有更好的正系数，这使得SiC MOSFET可以在多个器件并联时获得更好的散热效果。 综合比较来看，SiC MOSFET SCT3080KL都将允许高频系统实现高功率密度和高效率。
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