【经验】SiC MOSFET桥式电路的开关产生的电流和电压

时间： 2020-11-22 来源：ROHM

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在上一篇文章中，ROHM对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路的导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行了解说。本文ROHM将继续介绍在SiC MOSFET这一系列开关动作中，SiC MOSFET的VDS和ID的变化会产生什么样的电流和电压。

下面的电路图是SiC MOSFET桥式结构的同步式boost电路，LS开关导通时的示例。电路图中包括SiC MOSFET的寄生电容、电感、电阻，HS和LS的SiC MOSFET的V_DS和I_D的变化带来的各处的栅极电流（绿色线）。

I_D的变化dI_D/dt所产生的电压

I_D的变化将会产生下述公式（1）所示的电压。

这是由于存在于SiC MOSFET源极的寄生电感中流过I_D而产生的电压，是由电路图中的(I)引起的。该电压会使电流(I’)流过。

V_DS的变化dV_DS/dt所产生的电流

以HS为例，当SiC MOSFET关断、VDS变化时，Gate-Drain寄生电容C_GD中会流过电流I_CGD。如电路图所示，该电流分为Gate-Source寄生电容C_GS侧流过的电流I_CGD1：(II)-1和栅极电路侧流过的电流I_CGD2：(II)-2。当V_DS开始变化时，栅极电路侧的阻抗较大，因此大部分I_CGD都在C_GS侧，此时的I_CGD1如公式（2）所示。

从公式可以看出，当C_GD较大时或C_GD/C_GS的比值变小时，I_CGD1会增加。

dV_DS/dt和d_ID/dt既可以为正也可以为负，所以因它们而产生的电流和电压的极性在导通（Turn-on）和关断（Turn-off）时是不同的。

关键要点：

・由于SiC MOSFET栅极驱动电路开关动作中的SiC MOSFET的VDS和ID的变化，在电路中会因寄生电容或电感而产生电流和电压。

・在SiC MOSFET桥式电路中，dVDS/dt和dID/dt可以为正也可以为负，所以因它们而产生的电流和电压的极性在导通（Turn-on）和关断（Turn-off）时是不同的。

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型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KRHR,SCT3060ARHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3105KRHR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KWAHR,SCT4062KE,SCT3080ARHR,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT3120ALHR,SCT2280KE,SCT4062KWA,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT4045DWA,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT3030ARHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4026DWA,SCT3160KLHR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT4045DWAHR,SCT3105KL,SCT3160KW7HR,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR,SCT3080KRHR,SCT4026DWAHR

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