【产品】采用PDFN3x3-8L封装的N沟道功率MOSFET JMSL0609AUQ，额定漏源电压60V

时间： 2022-05-21 来源：捷捷微电

技术问答

捷捷微电推出的N沟道功率MOSFET JMSL0609AUQ具有低栅极电荷和低R_DS(ON)等特性。额定漏源电压为60V，持续漏极电流额定值为41A（@ V_GS=10V，T_C=25℃），栅源阈值电压的典型值是1.5V（V_DS=V_GS，I_D=250μA）；该器件采用PDFN3x3-8L封装，可应用于汽车的功率MOSFET。

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