【经验】SiC FET关断时VDS尖峰和振荡问题的解决方法
UnitedSiC的SiC FET和普通Si MOSFET的相比，拥有低导通电阻和高开关速度的优点，可以实现系统更高的效率和功率密度，同时可在不改变驱动电路设计基础上直接替换硅的超结MOS，但其高开关速度也可能会使器件直接替换Si MOSFET时，关断VDS电压产生尖峰和震荡，使系统的EMI变差。
关断时的VDS尖峰和振荡产生的根本原因——高速开关过程中di/dt在杂散电感上产生了较高的感应电压。对于该问题有以下为解决方案：
1、通过加大关断Rg减小di/dt ——开关损耗变大，需要在EMI和效率之间折中。
2、减小功率回路杂散电感 ——安规限制了最小的回路面积和杂散电感，更小的器件封装杂散电感小，但是热阻更高。
3、RC阻尼吸收——设计简单是更好的选择。
本文主要以UnitedSiC SiC FET的测试说明VDS尖峰和振荡问题的解决方法。
图1——原电路测试波形
turn-off：VDS尖峰和振铃；turn-on：高Irr和高VGS尖峰；
图2——加大Rg后测试波形
增大Rgoff可降低VDS关断尖峰，但不会减少振铃时间，同时会增加关闭延迟时间；增加Rgon会使VGS变平滑；
图3——增加RC阻尼吸收后测试波形
增加RC阻尼吸收后VDS的关闭尖峰和振铃持续时间均减小，还不会影响延迟时间；使用RC阻尼吸收会稍微增加导通时的Irr（94A至97A）；
图4——开关损耗对比
增大Rgoff相比于使用RC阻尼吸收，对Eoff损耗有较大的增加，且不会减少振铃时间；RC阻尼吸收会带来额外的Eon损失，但总损耗从总损耗对比来看，工作电流越大RC阻尼吸收优势更明显。
综上，阻尼吸收比使用大Rg能更有效地控制VDS关断尖峰和振荡，并且效率更高。
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