【产品】合封氮化镓高集成电源芯片RM6604ND,具有小体积、高性能、低功耗等特点,支持最大36W快充
合封氮化镓高集成电源芯片RM6604ND内部采用亚成微电子自主研发封装技术,芯片内部集成CCM/QR反激式开关电源控制器、650V GaN FET、氮化镓驱动器以及驱动保护等,支持最大36W快充,具有小体积、高效率、高性能、低功耗等特点,满足快充电源小型化设计要求。此外,芯片采用DFN5*6封装,成本更为优异。
RM6604ND集成多种工作模式,在重载情况下,系统工作在传统的固频130Khz的PWM模式下,在低压输入时会进入CCM模式;在重载情况下,系统工作在QR模式,以降低开关损耗,同时结合PFM工作模式提高系统效率;RM6604ND采用专有的驱动技术,搭配高压GaNFET功率器件改善EMI设计;在轻载或空载情况下,系统工作在Burst Mode模式,有效去除音频噪音,同时在该模式下,RM6604ND本身损耗极低,因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下,都集成了特有抖频工作模式,以改善EMI。
RM6604ND同时集成了多种保护模式和补偿电路,包括VCC OVP,内置OTP,外置OVP,欠压锁定(uvlo),逐周期过流保护OCP,过载保护(OLP),CS短路保护,输出肖特基短路保护等,并内置斜坡补偿。
功能特点
■支持CCM/QR混合模式;
■内置700V高压启动;
■内置650V GaNFET;支持最大130KHz工作频率;
■内置特有抖频技术改善EMI;Burst Mode去噪音;
■低启动电流(2μA),低工作电流;
■集成斜坡补偿;
■集成输入Brown out/in功能;
■外置OVP保护;
■具有输出肖特基短路保护/CS短路保护;
■内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护。
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产品系列
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亚成微智能功率开关,导通电阻/RON(mΩ)TJ=25℃(Typ)2.8mΩ-200mΩ;有过压保护、过流限制、过温保护
产品型号
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品类
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导通电阻/RON(mΩ)TJ=25℃(Typ)
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导通电阻/RON(mΩ)TJ=25℃(Max)
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负载电流典型值/IL(A)(Nom)
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负载电流典型值/IL(A)(ISO)
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短路电流保护值/IL(SC)(A)
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通道数量
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封装
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保护特性
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诊断特性
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RM75200
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智能功率开关
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150
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200
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0.7
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/
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1.4
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1
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SOT-223
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过压保护 过流限制 过温保护
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/
|
选型表 - 亚成微电子 立即选型
谷峰电子MOSFET在65W及65W以内功率段的PD快充电源应用中该如何选型?
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亚成微电子(Reactor Microelectronics)AC-DC电源管理芯片选型指南
目录- 公司简介 AC/DC电源管理芯片
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亚成微电子开关电源芯片选型表
亚成微开关电源芯片,最大功率8W~120W,工作频率65KHz~130KHz
产品型号
|
品类
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分类
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最大功率(W)
|
功率管
|
工作频率(kHz)
|
封装形式
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应用领域
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RM6820NQL
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开关电源芯片
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副边反馈(SSR)+ZVS
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120W
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内置GaN
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85kHz
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PLP8*8
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快速充电器、电源适配器、模块电源
|
选型表 - 亚成微电子 立即选型
导热硅胶片在快充电源适配器的应用
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电子商城
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
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提供电机的输出反电势波形测试、驱动芯片输入/输出波形测试服务,帮助您根据具体应用场景来选择适合的电机驱动芯片型号,确保电机驱动芯片能够与其他系统组件协同工作达到最佳效果。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 成都 提交需求>
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