【产品】合封氮化镓高集成电源芯片RM6604ND,具有小体积、高性能、低功耗等特点,支持最大36W快充

2022-11-10 亚成微电子官网
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合封氮化镓高集成电源芯片RM6604ND内部采用亚成微电子自主研发封装技术,芯片内部集成CCM/QR反激式开关电源控制器、650V GaN FET、氮化镓驱动器以及驱动保护等,支持最大36W快充,具有小体积、高效率、高性能、低功耗等特点,满足快充电源小型化设计要求。此外,芯片采用DFN5*6封装,成本更为优异。

RM6604ND集成多种工作模式,在重载情况下,系统工作在传统的固频130Khz的PWM模式下,在低压输入时会进入CCM模式;在重载情况下,系统工作在QR模式,以降低开关损耗,同时结合PFM工作模式提高系统效率;RM6604ND采用专有的驱动技术,搭配高压GaNFET功率器件改善EMI设计;在轻载或空载情况下,系统工作在Burst Mode模式,有效去除音频噪音,同时在该模式下,RM6604ND本身损耗极低,因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下,都集成了特有抖频工作模式,以改善EMI。


RM6604ND同时集成了多种保护模式和补偿电路,包括VCC OVP,内置OTP,外置OVP,欠压锁定(uvlo),逐周期过流保护OCP,过载保护(OLP),CS短路保护,输出肖特基短路保护等,并内置斜坡补偿。


功能特点 

■支持CCM/QR混合模式;

■内置700V高压启动;

■内置650V GaNFET;支持最大130KHz工作频率;

■内置特有抖频技术改善EMI;Burst Mode去噪音;
■低启动电流(2μA),低工作电流;
■集成斜坡补偿;
■集成输入Brown out/in功能;

■外置OVP保护;

■具有输出肖特基短路保护/CS短路保护;

■内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护。


原理图

产品系列

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