【产品】合封氮化镓高集成电源芯片RM6604ND，具有小体积、高性能、低功耗等特点，支持最大36W快充

时间： 2022-11-10 来源：亚成微电子官网

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合封氮化镓高集成电源芯片 RM6604ND内部采用亚成微电子自主研发封装技术，芯片内部集成CCM/QR反激式开关电源控制器、650V GaN FET、氮化镓驱动器以及驱动保护等，支持最大36W快充，具有小体积、高效率、高性能、低功耗等特点，满足快充电源小型化设计要求。此外，芯片采用DFN5*6封装，成本更为优异。

RM6604ND集成多种工作模式，在重载情况下，系统工作在传统的固频130Khz的PWM模式下，在低压输入时会进入CCM模式；在重载情况下，系统工作在QR模式，以降低开关损耗，同时结合PFM工作模式提高系统效率；RM6604ND采用专有的驱动技术，搭配高压GaNFET功率器件改善EMI设计；在轻载或空载情况下，系统工作在Burst Mode模式，有效去除音频噪音，同时在该模式下，RM6604ND本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频工作模式，以改善EMI。

RM6604ND同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括VCC OVP，内置OTP，外置OVP，欠压锁定（uvlo),逐周期过流保护OCP，过载保护（OLP），CS短路保护，输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿。

功能特点

■支持CCM/QR混合模式；

■内置700V高压启动；

■内置650V GaNFET；支持最大130KHz工作频率；

■内置特有抖频技术改善EMI；Burst Mode去噪音；
■低启动电流（2μA），低工作电流；
■集成斜坡补偿；
■集成输入Brown out/in功能；

■外置OVP保护；

■具有输出肖特基短路保护/CS短路保护；

■内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护。

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RM75200	智能功率开关	150	200	0.7	/	1.4	1	SOT-223	过压保护过流限制过温保护	/

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亚成微电子成立于2006年，专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计，是“高新技术企业”、“专精特新”企业以及“知识产权贯标企业”。公司通过对系统电路算法研究、IC制造特色工艺的开发建立了 “高速率功率集成技术平台”，基于此平台，已量产包括射频功率放大器供电管理方案。

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型号- RM341XSH,RM6163D,RM6717S,RM3413SH,RM671X系列,RMG65R380SN,RM6801X,RM3364S,RM3352S,RM6601SNX,RMA65R2K5SN,RMC65R380SN,RMG65R280SN,RM3368S,RM3365D,RM6801S,RM6514S,RM673XS,RM335X系列,RM671XS,RM6801X系列,RM3401SH,RMC65R650SN,RM3405SH,RM3353S,RM3430T,RM65R1K6SG,LM3290,RM3410T,RM4100,RM335X,QFE4100,RM65R1K6SD,RM6801SNX,RMG65R650SN,RM6601,RM671X,RMA65R1K0SN,HUSB339,RM6601SN,RM343X,RM3366D,RM6715S,RM3412SH,RM6601X,RM343XSH,RMC65R1K0SN,RMA65R1K6SN,RMG65R1K6SN,RM6601X系列,RM343X系列,RM6517D,RMG65R1K0SN,RM3100,RM442D2,RM6601系列,RMA65R650SN,RM50055,RM6601S,RMA65R380SN,RM6801SNX系列,RM65R2K5SD,RM6801SN,RMX65R950SN,SW3517,RMX65R600BN,RM3402SH,RMC65R280SN,QET6100,RM6601SNX系列,RM67XX系列,RM4141N,RM6710S,RM65R2K5SG,SW3516,RM50085,RMA65R280SN,RM3400T,RMG65R2K5SN,RM67XX

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