【产品】群芯微推出的N沟道增强型MOSFET QX3N06I，具有出色的漏源导通电阻、低栅极电荷特性
群芯微推出的N沟道增强型MOSFET QX3N06I系列，器件采用先进的沟槽工艺技术，具有出色的漏-源导通电阻(RDS(ON))，低栅极电荷以及低至4.5V的栅极电压，该系列器件适用于电池保护或其他开关应用领域。器件封装及引脚图示如下所示：
器件特征
VDS=60V，ID=3A
RDS(ON)<100mΩ@VGS=10V
应用领域
电池保护应用
负载开关
不间断电源
绝对最大额定值（TC=25℃ 除非另有说明）
电气参数（TA=25℃，除非另有说明）
注:
1.通过表贴在一个1平方英寸2oz覆铜的FR-4板上测试获得的数据；
2.脉冲测试数据条件：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；
3.耗散功率受限于150℃结温；
4.理论上，ID和IDM相同，在实际应用中，其值会受限于总耗散功率。
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