【成功案例】为图瑞Formula E车队赛车逆变器搭载ROHM全SiC功率模块，开关损耗降低了75%
ROHM为参战2017年12月2日开幕的电动汽车全球顶级赛事“FIAFormula E锦标赛2017-2018（第4赛季）”的文图瑞Formula E车队提供全SiC功率模块。
ROHM在第3赛季与文图瑞车队签署官方技术合作协议，并在上个赛季为其提供了SiC肖特基势垒二极管（SiC-SBD）。通过将FRD更换为SiC-SBD，第2赛季由IGBT和快速恢复二极管（FRD）组成的逆变器成功减少了19%的体积，并减重2kg。
从第4赛季开始，ROHM为文图瑞车队提供将SiC-MOSFET和SiC-SBD模块化的全SiC功率模块，与搭载SiC-SBD的第3赛季逆变器相比，实现了30%的小型化与4kg的轻量化，与未使用SiC功率元器件的第2赛季逆变器相比，实现了43%的小型化和6kg的轻量化。
此次文图瑞Formula E车队赛车逆变器所搭载的全SiC功率模块，采用了ROHM独有的内部结构和优化了散热设计的新封装，成功提高了额定电流。另外，与普通的同等额定电流的IGBT＋FRD模块相比，开关损耗降低了75%（芯片温度150℃时）。
不仅如此，利用SiC功率元器件的优势–高频驱动，不仅可实现外围部件的小型化，与IGBT相比，高速运行时的开关损耗更小、发热量更少，从而还可实现冷却系统的小型化，使系统整体的体积显著减小。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 21
本网站所有内容禁止转载，否则追究法律责任！
正在努力加载……相关推荐
导热硅胶垫片：电动汽车逆变器的热管理优化解决方案
作为电动汽车中不可或缺的组件，逆变器的热管理对于保障整车性能和安全至关重要。盛恩SF系列导热硅胶垫片的应用，不仅提升了逆变器的热效率，还增强了其整体性能和可靠性。随着电动汽车行业的持续发展，盛恩SF系列导热硅胶垫片这样的高效热管理解决方案将在提升电动汽车性能和效率方面发挥越来越重要的作用。
导热硅胶片，电动汽车逆变器的热管理优化解决方案
逆变器在电动汽车的动力系统中扮演着核心角色，将电池储存的直流电转换为驱动电动机所需的交流电。随着电动汽车技术的不断进步，对逆变器的性能和效率要求日益提高。然而，逆变器在操作过程中会产生大量热量，若不妥善处理，可能导致效率降低、性能下降，甚至损坏设备。在这方面，盛恩SF系列硅胶导热垫提供了一种高效的热管理解决方案。
【应用】直流母线电容应用于电动汽车中，可保护电动汽车子系统免受电压尖峰、浪涌和电磁干扰
直流母线电容常用于电源转换器。电源转换器的输入源和输出负载具有不同的瞬时功率、电压和频率，直流母线电容从中起到一个缓冲作用。在电动汽车（EV）应用中，直流母线电容有助于抵消逆变器、电机控制器和电池系统中电感的影响。
【经验】电子电路仿真基础之SPICE子电路模型：使用数学公式的模型
本文展示了使用数学公式的ROHM（罗姆）的SCS220AG SiC-SBD（肖特基势垒二极管）的子电路模型示例和RSR020N06 MOSFET的子电路模型示例。并介绍了使用数学公式的子电路模型的优缺点。
ROHM（罗姆）"全SiC"功率模块选型指南（中文）
描述- SiC功率模块是节能环保的器件，与传统产品相比有多项改进，有效地利用了电源和资源，并且在维持或提高性能的同时降低了功耗。例如，集成SiC MOSFET和SiC SBD的全SiC功率模块中的开关损耗显著低于额定值等效的硅基IGBT模块。此外，与传统模块不同，这些新型SiC产品支持100kHz以上的高频操作，提高了感应加热用的高频电源和混合动力存储系统等工业设备的效率。
型号- BSM300C12P3E201,BSM300C12P3E301,BSM180C12P2E202,BSM400D12P3G002,BSM300D12P2E001,BSM600D12P3G001,BSM080D12P2C008,BSM180D12P3C007,BSM180C12P3C202,BSM400C12P3G202,BSM300D12P4G101,BSM120C12P2C201,BSM120D12P2C005,BSM450D12P4G102,BSM180D12P2E002,BSM600C12P3G201,BSM180D12P2C101,BSM400D12P2G003,BSM600D12P4G103,BSM300D12P3E005,BSM250D17P2E004
内置SiC-SBD的SiC-MOSFET产品规格表中记载的二极管规格是体二极管的还是SiC-SBD的？
连接于内部，不能从外部分离出特性。 但是SiC-SBD的VF小，通常使用范围内只在SiC-SBD流过正向电流，因此If-Vf特性、反向恢复特性基本上是SiC-SBD的特性。
【经验】全SiC功率模块运用要点之栅极驱动评估事项
本文将探讨如何充分发挥ROHM推出的全SiC功率模块的优异性能。这次将会讲述栅极驱动的评估事项。“栅极误导通”是全SiC功率模块的栅极驱动需要评估的事项之一。栅极误导通是由高边开关导通时的dV/dt速度快、及低边栅极寄生电容和栅极阻抗引起的。
【产品】半桥型SiC功率模块BSM300D12P3E005，可用于电机驱动、逆变器、转换器等应用
罗姆新推出的半桥型SiC功率模块BSM300D12P3E005由罗姆制造的SiC-UMOSFET和SiC-SBD（肖特基势垒二极管）组成。该产品具有低浪涌和低开关损耗的特性以及较高的稳定性与可靠性，器件的导通时间典型值仅30ns，关断时间典型值仅210ns，具有极快的切换速度，适用于电机驱动、逆变器、转换器等应用。
ROHM SiC肖特基势垒二极管的可靠性试验
进行半导体元器件的评估时，可靠性也是非常重要的因素。JEITA ED-4701是称为“半导体器件的环境和耐久性试验方法”的标准，是用来进行工业及消费电子的半导体评估的试验方法。从文中给出的可靠性数据可以看出，已实施了评估的ROHM的SiC-SBD，在与Si晶体管和IC可靠性试验相同的试验中，确保了充分的可靠性。
【经验】SiC肖特基势垒二极管更新换代步履不停，实现了Si-SBD、Si-PND无法攀登的高耐压范围
ROHM推出了SiC肖特基势垒二极管第三代产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第二代SiC SBD实现的当时业界最小正向电压，并大幅提高了抗浪涌电流性能的产品。本文就SCS3系列的特点、应用范围展望等展开探讨。
ROHM（罗姆）SIC碳化硅功率元器件介绍
描述- 在功率元器件领域，碳化硅作为新一代材料备受瞩目。与以往的硅(Si)材料元器件相比，碳化硅(SiC)材料功率元器件可以实现低导通电阻、高速开关、高温作业。碳化硅元器件活跃于各种领域， 包括电源、汽车、铁路、工业设备、家用消费类电子设备等。
【产品】提高追求高可靠性第三代SiC-SBD——效率与安全余量
ROHM推出第三代SiC-SBD的亮点在于，高温时的正向电压VF更低、抗浪涌电流性能IFSM更高、反向电流（漏电流）IR更低。SCS3系列改善了第二代的正向电压特性，可进一步提高效率。而且，抗浪涌电流性能提升达2倍以上，对于意外发生的异常问题等具有更高的安全余量。最适用的用途是电源装置，尤其是PFC。
ROHM（罗姆）“全SiC”功率模块选型指南（英文）
型号- BSM300C12P3E201,BSM300C12P3E301,BSM180C12P2E202,BSM400D12P3G002,BSM300D12P2E001,BSM600D12P3G001,BSM080D12P2C008,BSM180C12P3C202,BSM180D12P3C007,BSM400C12P3G202,BSM120C12P2C201,BSM120D12P2C005,BSM180D12P2E002,BSM600C12P3G201,BSM180D12P2C101,BSM400D12P2G003,BSM250D17P2E004,BSM300D12P3E005
电子商城
现货市场
服务
提供蓝牙BLE芯片协议、蓝牙模块、蓝牙成品测试认证服务；测试内容分Host主机层，Controller控制器层，Profile应用层测试。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
可定制无线位移传感器量程范围10~600mm，采用了无线传输方式，可远程自动实时检（监）测位移量值，准确度级别(级)：0.2、0.5;内置模块：无线传输模块、供电模块;传输距离L(m)：可视距离1000 (Zigbee、 LORA)。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
查看全部9条回复