平伟推出基于GaN-FET+SiC-Diode的高功率密度快充解决方案,助力高功率密度开关电源的创新

2023-07-14 重庆平伟实业股份有限公司公众号
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在21世纪的今天,绿色高效的电源管理,一直是人们追求的目标。在更智能、更小巧的消费品中,传统的功率器件解决方案已经不能满足社会发展的需求。我们通常要在低成本、高可靠性、高效率、小体积以及优秀系统性方面有所取舍。


平伟实业在第三代宽禁带半导体领域已经深耕多年,在这样一个技术需求的背景下,推出了一种基于氮化镓、碳化硅器件的高密度功率快充功率器件解决方案,旨在帮助客户在高功率密度开关电源的创新道路上增添强劲的动力,帮助客户成功!


GaN-FET+SiC-Diode高功率密度快充解决方案

产品特点

  • 超低结电容

  • 超薄封装

  • 超高开关速度

  • 简单易用

  • 没有反向恢复

  • 高可靠性


应用领域

  • 65~240W超级快充

  • 无刷电机驱动

  • 高密度适配器

  • 超级移动电源

  • AC-DC电源砖

  • 智能家居电源

电源板与温升图

效率测试对比

关键参数对比

GaN-FET和SiC-Diode封装与选型

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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产品型号
品类
Channel
ESD
VDS(V)
VGS(V)
ID(A)
VTH(min)(V)
VTH(typ)(V)
VTH(max)(V)
RDS(on)mΩ(Vgs=10V)typ
RDS(on)mΩ(Vgs=10V)max
RDS(on)mΩ(Vgs=4.5V)typ
RDS(on)mΩ(Vgs=4.5V)max
RDS(on)mΩ(Vgs=2.5V)typ
RDS(on)mΩ(Vgs=2.5V)max
Package
2406P
场效应管
N+P
NO
-60
±20
-3.8
-1
-2
-3
62
80
75
110
-
-
SOP8

选型表  -  平伟实业 立即选型

聚焦5G通信/新能源/光伏领域,功率器件厂商平伟实业授权世强硬创代理

根据协议内容,功率二极管、肖特基二极管、快恢复二极管、整流器件、整流二极管、整流桥、同步整流模块、MOSFET等全线产品均已上线世强硬创平台。

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