平伟推出基于GaN-FET+SiC-Diode的高功率密度快充解决方案,助力高功率密度开关电源的创新
在21世纪的今天,绿色高效的电源管理,一直是人们追求的目标。在更智能、更小巧的消费品中,传统的功率器件解决方案已经不能满足社会发展的需求。我们通常要在低成本、高可靠性、高效率、小体积以及优秀系统性方面有所取舍。
平伟实业在第三代宽禁带半导体领域已经深耕多年,在这样一个技术需求的背景下,推出了一种基于氮化镓、碳化硅器件的高密度功率快充功率器件解决方案,旨在帮助客户在高功率密度开关电源的创新道路上增添强劲的动力,帮助客户成功!
产品特点
超低结电容
超薄封装
超高开关速度
简单易用
没有反向恢复
高可靠性
应用领域
65~240W超级快充
无刷电机驱动
高密度适配器
超级移动电源
AC-DC电源砖
智能家居电源
电源板与温升图
效率测试对比
关键参数对比
GaN-FET和SiC-Diode封装与选型
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本文由ll转载自重庆平伟实业股份有限公司公众号,原文标题为:号外!号外!平伟GaN+SiC 高功率密度快充解决方案,助您开发顺畅到底!,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
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产品型号
|
品类
|
Channel
|
ESD
|
VDS(V)
|
VGS(V)
|
ID(A)
|
VTH(min)(V)
|
VTH(typ)(V)
|
VTH(max)(V)
|
RDS(on)mΩ(Vgs=10V)typ
|
RDS(on)mΩ(Vgs=10V)max
|
RDS(on)mΩ(Vgs=4.5V)typ
|
RDS(on)mΩ(Vgs=4.5V)max
|
RDS(on)mΩ(Vgs=2.5V)typ
|
RDS(on)mΩ(Vgs=2.5V)max
|
Package
|
2406P
|
场效应管
|
N+P
|
NO
|
-60
|
±20
|
-3.8
|
-1
|
-2
|
-3
|
62
|
80
|
75
|
110
|
-
|
-
|
SOP8
|
选型表 - 平伟实业 立即选型
聚焦5G通信/新能源/光伏领域,功率器件厂商平伟实业授权世强硬创代理
根据协议内容,功率二极管、肖特基二极管、快恢复二极管、整流器件、整流二极管、整流桥、同步整流模块、MOSFET等全线产品均已上线世强硬创平台。
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产品型号
|
品类
|
Maximum Peak Reerse oltage(VRRM)(V)
|
Maximum Average Forward Rectifiers Current(IO)(A)
|
Maximum Forward Peak Surge Current @8.3ms(IFSM)(A)
|
Maximum Reverse Current @Ta=25℃(IR)(µA)
|
Maximum Forward Voltage Rated Current @Ta=25℃(IF)(A)
|
Maximum Forward Voltage Rated Current @Ta=25℃(VFM)(V)
|
Maximum Junction Temperature(TJ)(℃)
|
Package
|
SB2P45
|
肖特基二极管
|
45
|
2
|
50
|
200
|
2
|
0.45
|
125
|
DO-15
|
选型表 - 平伟实业 立即选型
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电子商城
服务
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提交需求>
提供稳态、瞬态、热传导、对流散热、热辐射、热接触、和液冷等热仿真分析,通过FloTHERM软件帮助工程师在产品设计初期创建虚拟模型,对多种系统设计方案进行评估,识别潜在散热风险。
实验室地址: 深圳 提交需求>
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