【产品】瑶芯微最大漏-源电压1200V的碳化硅功率MOSFET，具备高速开关特性，符合RoHS标准

时间： 2023-04-01 来源：瑶芯微

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瑶芯微推出的碳化硅功率MOSFET AKCK2M030WMH，具有高速开关和低电容值等特性，器件无卤素，符合RoHS标准。最大额定参数值方面（T_A=25℃，除非另有说明），器件漏-源电压最大额定值为1200V，持续漏极电流最大额定值高达76A（T_C=25℃，最大漏极电流受限于器件最高结温），器件耗散功率最大额定值为375W（T_C=25℃），器件工作温度和存储温度范围均宽至-55℃~+175℃。

热阻特性方面，该产品稳态热阻（结至外壳）为0.4℃/W，稳态热阻（结至环境）为36℃/W；器件主要应用于电动汽车电机驱动，DC/DC转换器，开关模式电源，太阳能逆变器和OBC等应用领域。

器件特性:

高速开关特性
低电容值特性
快速本征二极管，低反向恢复电荷（Q_RR）
无卤素，符合RoHS标准（可联系相关销售，获取更多信息）

应用:

电动汽车电机驱动
DC/DC转换器
开关模式电源
太阳能逆变器
OBC

最大额定值（T_A=25℃，除非另有说明）

热阻值

Note：

1.最大漏极电流受限于器件最高结温；

2.重复额定值：脉冲宽度受限于最高结温；

电气参数（T_J=25℃，除非另有说明）

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