【产品】平均正向电流为1.0A的表面贴装型硅肖特基整流器CMSH1系列
Central Semiconductor （简称Central）公司是美国中央半导体公司，半导体产品处于世界领先水平，推出的平均正向电流为1.0A的表面贴装型硅肖特基整流器——CMSH1系列（CMSH1-20M,CMSH1-60M,CMSH1-40M,CMSH1-100M）是一种结构良好，高度可靠的组件，适用于各种商业，工业，娱乐，计算机和汽车应用。其具体实物图如图1所示。
图1.CMSH1-20M系列硅肖特基整流器实物图
CMSH1系列硅肖特基整流器具有极低泄漏和较高的反向耐压能力，其反向重复峰值电压VRRM分别为20V、40V、60V和100V，反向电压有效值VR(RMS)分别为14V、28V、42V和70V， 直流阻断电压VR分别为20V、40V、60V和100V，反向电流IR的最大值为0.50 mA（VR=Rated VRRM）。CMSH1系列硅肖特基整流器的功率损耗值和正向压降都较低。其耗散功率PD的最大值为1.4W。其正向压降VF的最大值仅为0.85V（IF=1.0A）。其产品封装尺寸图如图2所示。
图2.CMSH1-20M系列硅肖特基整流器封装尺寸图
CMSH1系列硅肖特基整流器的峰值正向浪涌电流IFSM为30A（tp=8.3ms），具备较强的抗浪涌冲击能力。其工作温度和存储结温范围均为-65℃~+150℃，具有耐高/低温的能力，适应性能强，这提高了其在大功率整流电路设计中的可靠性。另外，CMSH1系列硅肖特基整流器的耗散功率对环境温度较为敏感，功耗降额曲线如图3所示。
图3.CMSH1-20M系列硅肖特基整流器功率降额曲线
CMSH1-20M系列硅肖特基整流器的主要特性：
•重复峰值反向电压VRRM分别为20V、40V、60V和100V
•RMS反向电压分别为VR(RMS)14V，28V，42V和70V
•直流闭锁电压VR分别为20V、40V、60V和100V
•正向浪涌电流能力IFSM为30A（tp=8.3ms）
•工作温度和存储结温范围均为-65℃~+150℃
•结壳热阻ΘJA为89°C/W
•功率损耗PD为1.4W
•SMA封装
CMSH1-20M系列硅肖特基整流器的主要运用领域：
•商业，工业，娱乐，计算机和汽车
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由JusT翻译自Central，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】超小规格低功耗硅肖特基二极管，功耗最大仅100mW
Central Semi推出的CFSH2-4L系列硅肖特基二极管具有极高效率，具有极低的封装尺寸及正向电压降，当TA=25℃时，正向电压降的最大值仅为0.60V（IF=200mA）、功耗损失仅为100mW。产品超适用于把小尺寸和低功耗作为主要考虑因素的场景，如DC/DC转换器、电压钳制技术、保护电路、电池驱动的手持应用等。
【产品】四款低正向电压降的肖特基二极管，最大正向电压降仅为800mV
Central推出的四款CBAT54W、CBAT54AW、CBAT54CW、CBAT54SW系列硅肖特基二极管，适合表面安装。正向电压降较低，IF=100mA、TA=25℃时，产品的正向电压降最大仅为800mV。四款产品均适用于需要低正向电压降的应用领域。
【产品】超小规格的高效率硅肖特基二极管，正向电压降典型值为220mV
Central推出的CFSH05-20L硅肖特基二极管，具有极低的正向电压特性，和超小的封装尺寸，因此适用于把小包装尺寸和高能源效率作为首要要求的应用领域，如电池供电的手持应用，包括手机、数码相机、平板电脑和笔记本电脑等，当然在直流-直流转换器、电压钳制技术、保护电路等领域也有独特优势。
芯众享面向光伏及储能领域推出碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET产品，电流范围10~40A可选
芯众享面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET产品。其中碳化硅肖特基二极管已经在工商业光伏逆变器、组串式光伏逆变器、微型光伏逆变器领域广泛应用。
HI-SEMICON（深鸿盛）碳化硅肖特基二极管选型表
目录- 碳化硅肖特基二极管
型号- SC3D10065E,SC3D04065E,SC3D12065A,SC3D10065A,SC3D04065I,SC3D02065A,SC3D06065E,SC3D30065H,SC3D08065A,SC3D06065A,SC3D10065I,SC3D04065A,SC3D08065E,SC3D16065A,SC3D06065I,SC3D16065H,C3D02065I,SC3D20065D,SC3D50065H,SC3D20120D
时科Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管全应用解析：光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩
碳化硅肖特基二极管（SiC Schottky Diode）在现代电子设备中扮演着重要角色，尤其在高功率、高频和高温应用中表现尤为突出。本文中小编将带你探讨时科Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管在实际中的典型应用，包括光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩。
【产品】国产低反向漏电流的碳化硅肖特基二极管DD06500010J，适用于工业电源、数据中心
顶诺微推出的碳化硅肖特基二极管DD06500010J，重复反向峰值电压和冲击反向峰值电压均为650V，有低正向偏压（VF）、 正温度系数、 零正/反向恢复电流等特性，可应用于工业电源和开关电源等领域。
SiC器件在电动汽车无线充电的应用及技术优势
无线电能传输技术是一种新兴的充电技术，通过电磁感应原理将电能从发射侧装置传输到接收侧装置中，再通过功率变换电路给负载进行充电，从而实现非接触式充电。近年来，电动汽车无线充电技术备受关注，并逐步走向商业化应用。本文将重点探讨碳化硅器件在电动汽车无线充电的应用及技术优势。
时科碳化硅肖特基二极管Q-SSC20120-T，光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩的最佳选择
在电子设备的设计和应用中，选择合适的碳化硅肖特基二极管是确保电路性能和可靠性的关键步骤。时科的碳化硅肖特基二极管又有什么优势呢？本文中时科小编将详细介绍Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管及其性能优势，帮助工程师朋友更好地了解这款产品的卓越之处。
引领全球功率电子创新，SMC致力于提供精准高效的半导体解决方案，满足通讯设备、工业应用、光伏等领域需求
SMC桑德斯微电子，引领全球功率电子创新。SMC始终致力于根据客户的需求设计和生产半导体产品，产品线包含碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET、肖特基二极管、超快恢复二极管、TVS阵列、功率模块等等，产品应用于通讯设备、工业应用、光伏、风能、汽车、家电、医疗等尖端领域。
【元件】SMC碳化硅肖特基二极管，低损耗、耐高温，一个更理想的开关选择
SMC始终致力于根据客户需求设计和生产半导体产品。我们打造的碳化硅肖特基二极管功率器件，包括S6D10065A、S4D40120F、S4D80120S2等型号，为通讯设备、工业应用、光伏、风能、汽车、家电、医疗等多个尖端领域提供源源不断的创新动力。
电子商城
品牌：Central Semiconductor
品类：SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODES
价格：
现货： 0
现货市场
品牌：CALY Technologies
品类：COMMON CATHODE SILICON CARBIDE SICSCHOTTKY DIODE
价格：￥53.3565
现货：30
服务
可定制均温板VC最薄0.4mm，有效导热系数超5,000 W / m·K（纯铜(401 W/m·K ，石墨烯1,200 W/m·K）。工作温度范围同时满足低于-250℃和高于2000℃的应用，定制最低要求，项目年采购额大于10万人民币，或采购台套数大于2000套。
提交需求>
支持微型计算机 、便携式计算机显示设备、投影仪、打印设备、绘图仪、多用途打印复印机、扫描仪、计算机内置电源、电源适配器、充电器、服务器、收款机等产品中国强制性产品认证。
提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论