【经验】以V23990-P545-A28-PM为例介绍IGBT模块失效分析方法以及流程说明

时间： 2019-12-25 来源：世强

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IGBT模块在应用过程中，由于各种恶劣应用环境导致模块过应力等现象的失效，通常需要将失效模块寄回厂家做失效分析。厂家拿到失效模块会有一个详细的分析流程，下面将以模块V23990-P545-A28-PM失效分析为例，介绍VINCOTECH针对失效模块处理的流程：

一、IGBT模块失效常见分析方法

二、Vincotech IGBT模块失效分析流程

1、外观检查，客户反馈消息搜集

2、电性能分析

重新对失效模块做电气性能验证，确认模块失效单元。

3、打开封装，光学检查

在高分辨率显微镜下检查芯片组件，以查看可能失效位置。

图1 光学显微镜下的模块单元

4、追查模块批次，查看模块是否存在批次问题。

5、提出结论，可能失效原因

对退回的模块进行外观检查、电气复验和光学检查，并已检查可追溯性信息。基于故障特征-IGBT发射极区域的烧痕分析表明IGBT发生过电流，T5单元由于过大的电应力而过载，最终导致失效。这是一个典型RBSOA（反向偏压安全工作区）现象。

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产品型号	品类	SUB-TOPOLOGY	PRODUCT LINE	VOLTAGEIN（V）	CURRENTIN(A)	MAIN CHIP TECHNOLOGY	HOUSING FAMILY	HEIGHTIN（mm）	ISOLATION
V23990-K429-A40-PM	IGBT功率模块	CIB-KE-NTC	MiniSKiiP® PIM 3	1200	75	IGBT4	MiniSKiiP® 3	16	Al2O3

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产品型号	品类	产品状态	拓扑	电压(V)	电流(A)	模块高度 (mm)	晶圆工艺	封装
10-0B06PPA004RC-L022A09	SiC功率模块	Series production	PIM+PFC(CIP)	600V	4A	17mm	IGBT RC	flow 0B

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