【产品】TMA6N70HG~TMU6N70HG系列700V N沟道MOSFET，具有负温度系数
TMA6N70HG,TMC6N70HG,TMD6N70HG和TMU6N70HG是无锡紫光微推出的系列700V N沟道MOSFET。该产品是电压控制器件，与双极型晶体管相比，其开关速度更快和开关损耗更小，输入阻抗高，驱动功率低，具有良好的频率特性，特别的是具有负温度系数。系列MOSFET通过100%雪崩测试，具有快速开关特性和改进的dv/dt特性。系列MOSFET分别采用了TO-220F、TO-262、TO-252和TO-251封装，符合RoHS标准，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。
图1 器件的的封装和内部电路
器件的工作结温和存储温度范围均为-55~+150℃，可以在严苛的温度环境下工作。系列器件漏源电压最大额定值为700V，栅源电压最大额定值为±30V。系列器件的脉冲漏极电流最大额定值为24A，连续漏极电流最大额定值为6A。系列器件的单脉冲雪崩能量最大额定值为139.4mJ，雪崩电流最大额定值为5.28A。此外TMA6N70HG型的功耗最大额定值为63W，其余3款的功耗最大额定值均为97W。
产品特点：
快速开关特性；
100%雪崩测试；
改进的dv/dt能力；
产品应用：
开关模式电源(SMPS)
不间断电源(UPS)
功率因数校正(PFC)
器件标记和封装信息：
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TMA6N70HG,TMC6N70HG,TMD6N70HG,TMU6N70HG 700V N-Channel MOSFET
型号- TMC6N70HG,TMA6N70HG,TMU6N70HG,TMD6N70HG
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