【产品】强茂N沟道增强型MOSFET PJA3416AE-AU，ESD保护高达2KV HBM
强茂（PANJIT）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3416AE-AU，高达2KV HBM的ESD保护，在TA=25℃的条件下，其漏源电压为20V，栅源电压为±8V，连续漏极电流为6.5A。该器件专为开关负载、PWM应用等设计。
产品外观和示意图
特点：
● 漏源导通电阻RDS(ON)<22mΩ（VGS=4.5V，ID=6.5A）
● 漏源导通电阻RDS(ON)<26mΩ（VGS=2.5V，ID=5.5A）
● 漏源导通电阻RDS(ON)<34mΩ（VGS=1.8V，ID=5.0A）
● 先进的沟槽工艺技术
● 2KV HBM的ESD保护
● 专为开关负载、PWM应用等设计
● AEC-Q101合格
● 无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
● 绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
机械数据：
● 外壳：SOT-23封装
● 端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）
● 重量约为：0.0003盎司，0.0084克
最大额定参数和热特性（TA=25℃，除非另有说明）：
电气特性（TA=25℃，除非另有说明）：
注：
1. 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
2. 基本上与工作温度典型特性无关
3. RθJA是结至外壳和外壳至环境的热阻之和，其中外壳热参考被定义为漏极引脚的焊料安装表面，安装在1 inch FR-4、2oz方形铜垫上
4. 最大额定电流受封装限制
5. 设计保证，无需进行产品测试
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强茂（PANJIT）Low Voltage MOSFET选型表
强茂（PANJIT）提供以下参数选型：VDS(V)：-40~40,VGS(±V)：8-20,ID(A)：-100~136,RDS(on) Max. (Ω)(10V)：1.6~160等。强茂开发一系列不同封装的低压MOSFET产品，适用于笔记型电脑,平板电脑,主机板等3C产品均会使用到此类型产品；采沟槽式(Trench)结构与封装技术相结合实现低导通电阻提升产品性能。
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产品型号
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RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ. (nC)(4.5V)
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PJQ5542V-AU
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Low Voltage MOSFET
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DFN5060-8L
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品类：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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现货： 2,900
现货市场
品牌：PANJIT
品类：Ultra Low Capacitance TVS/ESD Protection
价格：￥0.1994
现货：181,927
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制内充多极外充多极，平面多极和内外螺旋型各类充磁产品，多级充磁最多可做256极，通过环氧树脂加入稀土，模具压制支持多尺寸定制，
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
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