【产品】75V/210A的N沟道增强型功率MOSFET RM210N75T2，TO-220-3L封装

时间： 2020-09-23 来源：丽正国际

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丽正国际推出的RM210N75T2是一款N沟道增强型功率MOSFET。RM210N75T2采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供出色的R_DS（ON_），可以用于汽车应用以及不间断电源等。漏源电压75V，漏极持续电流为210A，最大耗散功率为330W，采用TO-220-3L封装。

图1 RM210N75T2的实物图、封装形式和内部电路

产品特性：

● V_DSS =75V，I_D =210A

R_DS(ON)< 4mΩ @ V_GS=10V

● 高EAS时具有良好的稳定性和均匀性

● 特殊工艺技术可实现高ESD能力

● 高密度单元设计可实现超低Rdson

● 全特性雪崩电压和电流

● 出色的封装，散热效果好

应用场合：

● 汽车应用

● 硬开关和高频电路

● 不间断电源

RM210N75T2的最大额定值参数(T_C=25℃,除非特殊说明)

RM210N75T2电气特性(TA=25℃,除非特殊说明)：

注：

1 表贴在FR4板上，t≤10秒

2 脉冲测试：脉冲宽度≤400μs，占空比≤2%

3 EA条件：T_j=25℃、V_DD=37.5V、V_G=10V、L=0.5mH、R_g=25Ω、I_AS=37A

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