【产品】60V/95A的N沟道增强型场效应晶体管YJG95G06A，封装为PDFN5060-8L
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJG95G06A，采用PDFN5060-8L的封装设计，漏源电压为60V，漏极电流为95A，采用沟槽栅低压功率MOSFET技术和低RDS(ON)的高密度单元设计，可用于DC-DC转换器等领域。其产品图如图1。
产品概述：
● VDS= 60V
● ID =95A
● RDS(ON)( at VGS=10V) ＜2.5 mohm
● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ＜3.4 mohm
● 100% UIS 测试
● 100% ▽VDS 测试
产品特点：
•沟槽栅低压功率MOSFET技术
•低RDS(ON)的高密度单元设计
•出色的散热封装
产品应用：
●DC-DC转换器
●电源管理功能
●同步整流应用
图1 产品图和内部电路图
表1 最大额定值
表2 电气特性
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
Status
|
ESD
|
Configuration
|
Type
|
VDSS(V)
|
ID(A)
|
PD(W)
|
VGS(V)
|
Tj(℃）
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
|
Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
|
3000
|
27.5
|
2.75
|
1.9
|
1.6
|
Standard
|
选型表 - 扬杰科技 立即选型
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