【产品】30V/5.8A的N沟道增强型MOSFET AP3400A,适用于接口开关、负载开关、电源管理等
铨力半导体推出一款采用SOT23-3封装的N沟道增强型MOSFET——AP3400A,采用先进的沟槽技术,漏源电压最大额定值为30V,连续漏极电流最大额定值为5.8A(Ta=25℃),无铅产品,适用于接口开关、负载开关、电源管理等应用。
特点
漏源电压VDS=30V,连续漏极电流ID=5.8A
漏源导通电阻RDS(ON)<26mΩ@VGS=10V(典型值为18mΩ)
漏源导通电阻RDS(ON)<32mΩ@VGS=4.5V(典型值为23mΩ)
采用先进的沟槽技术
无铅产品
应用
接口开关
负载开关
电源管理
绝对最大额定值参数(Ta=25℃,除非特别说明):
电气参数(Ta=25℃,除非特别说明)
注:
1、重复额定值:脉冲宽度受最大结温限制
2、脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%
3、表面贴装在FR4板,t≤10s
封装标识及订购信息
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产品型号
|
品类
|
Package Type
|
Configuration
|
MOSFET Type
|
VDS (V)
|
VGS (V)
|
Vth (V)
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
|
ID(A) Tc=25℃
|
ID(A) Tc=100℃
|
AP2302B
|
Trench Mos
|
SOT23
|
Single
|
N
|
20
|
±8
|
0.5-1.2
|
-
|
45/52
|
52/67
|
-
|
2
|
-
|
选型表 - 铨力半导体 立即选型
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可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
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可定制内充多极外充多极,平面多极和内外螺旋型各类充磁产品,多级充磁最多可做256极,通过环氧树脂加入稀土,模具压制支持多尺寸定制,
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