【产品】30V/5.8A的N沟道增强型MOSFET AP3400A,适用于接口开关、负载开关、电源管理等

2023-04-30 铨力半导体
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铨力半导体推出一款采用SOT23-3封装的N沟道增强型MOSFET——AP3400A,采用先进的沟槽技术,漏源电压最大额定值为30V,连续漏极电流最大额定值为5.8A(Ta=25℃),无铅产品,适用于接口开关、负载开关、电源管理等应用。



 

特点

漏源电压VDS=30V,连续漏极电流ID=5.8A

    漏源导通电阻RDS(ON)<26mΩ@VGS=10V(典型值为18mΩ)

    漏源导通电阻RDS(ON)<32mΩ@VGS=4.5V(典型值为23mΩ)

采用先进的沟槽技术

无铅产品

 

应用

接口开关

负载开关

电源管理

 

绝对最大额定值参数(Ta=25℃,除非特别说明):

电气参数(Ta=25℃,除非特别说明) 

注:

1、重复额定值:脉冲宽度受最大结温限制

2、脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%

3、表面贴装在FR4板,t≤10s

 

封装标识及订购信息

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
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