【元件】 森国科新推650V超结MOSFET系列，具有传导损耗低、电流驱动能力大、栅极电荷低、开启电压低等优点
继先后推出成熟化的全系列碳化硅二极管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模块产品后，2023年7月森国科正式对外推出650V超结MOSFET系列新品，相较于传统的功率MOSFET，SJMOSFET具有传导损耗低、电流驱动能力大、栅极电荷低、开启电压低、出色的非钳位感性开关能力、百分之百的雪崩能量击穿测试等优点，可满足国内电源客户对高效率、节能环保、小型化、高性价比等方面的要求。
森国科SJMOS采用多次外延的工艺，结构如下图示，在8寸硅晶圆片生产制造。超结结构MOSFET在D端和S端排列多个垂直pn结的结构，其结果是在保持高电压的同时实现了低导通电阻。超级结的存在大大突破了硅的理论极限，而且额定电压越高，导通电阻的下降越明显。
森国科SJMOS元胞结构图
目前，森国科推出的多款650V SJMOS产品，在高压应用中优势较为突出，抗冲击能力强，同时在电路应用中也表现以下几大性能优势，可全面助力电脑、服务器电源、适配器、照明（HID灯，工业照明，道路照明等）、消费类电子产品（液晶电视，等离子电视等）等行业客户实现更优质的电源产品设计。
高耐压、低损耗
得益于特殊的芯片内部结构，使得超结MOS具有极低的内阻，在相同的芯片面积下，超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。较低的内阻，能降低损耗，减少发热。特别在对温度要求高的应用上，使用超结替代传统MOS可以降低产品外壳温度，显著提升器件的易用性和效率。
较低的结电容
由于芯片结构的改变，超结MOS的结电容比传统MOS有很大的降低，超结MOS结电容的减小，可以有效的降低电源电路开关损耗，提高整个电源系统的效率。
稳定性强
强大的EAS能力可以为电源抗冲击提供有效的保证，芯片的内部缺陷远小于低成本的沟槽工艺产品，其高温稳定性大大提高。坚固的SOA和浪涌电流能力，适用于固态继电器和有源整流桥应用。
应用场景丰富
体二极管为快恢复二极管（降低Qrr），在同等电压和电流要求下，SJ MOS的芯片面积可以实现更小的封装，因而应用场景丰富。常见的应用电路包括：
20~80mΩ（OBC应用）
20~90mΩ（Residential Solar住宅太阳能、储能、Auto DC/DC）
40~180mΩ（服务器电源）
60~100mΩ（光伏逆变器）
100~360mΩ（Computingpower）
190~600mΩ（消费类电子产品包括液晶电视、等离子电视等）
280~1200mΩ（LED光电照明）
360~1200mΩ（适配器和充电器）
森国科深耕集成电路领域多年，目前已与国内外多家著名的FAB厂达成紧密的合作关系。秉承着“做最合适的功率器件”的理念，致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品，助力来自OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求，持续赋能低碳发展。
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