【元件】森国科新推650V超结MOSFET系列，具有传导损耗低、电流驱动能力大、栅极电荷低、开启电压低等优点

时间： 2023-07-21 来源：森国科公众号

技术问答

继先后推出成熟化的全系列碳化硅二极管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模块产品后，2023年7月森国科正式对外推出650V超结MOSFET系列新品，相较于传统的功率MOSFET，SJMOSFET具有传导损耗低、电流驱动能力大、栅极电荷低、开启电压低、出色的非钳位感性开关能力、百分之百的雪崩能量击穿测试等优点，可满足国内电源客户对高效率、节能环保、小型化、高性价比等方面的要求。

森国科SJMOS采用多次外延的工艺，结构如下图示，在8寸硅晶圆片生产制造。超结结构MOSFET在D端和S端排列多个垂直pn结的结构，其结果是在保持高电压的同时实现了低导通电阻。超级结的存在大大突破了硅的理论极限，而且额定电压越高，导通电阻的下降越明显。

森国科SJMOS元胞结构图

目前，森国科推出的多款650V SJMOS产品，在高压应用中优势较为突出，抗冲击能力强，同时在电路应用中也表现以下几大性能优势，可全面助力电脑、服务器电源、适配器、照明（HID灯，工业照明，道路照明等）、消费类电子产品（液晶电视，等离子电视等）等行业客户实现更优质的电源产品设计。

高耐压、低损耗
得益于特殊的芯片内部结构，使得超结MOS具有极低的内阻，在相同的芯片面积下，超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。较低的内阻，能降低损耗，减少发热。特别在对温度要求高的应用上，使用超结替代传统MOS可以降低产品外壳温度，显著提升器件的易用性和效率。

较低的结电容

由于芯片结构的改变，超结MOS的结电容比传统MOS有很大的降低，超结MOS结电容的减小，可以有效的降低电源电路开关损耗，提高整个电源系统的效率。

稳定性强

强大的EAS能力可以为电源抗冲击提供有效的保证，芯片的内部缺陷远小于低成本的沟槽工艺产品，其高温稳定性大大提高。坚固的SOA和浪涌电流能力，适用于固态继电器和有源整流桥应用。

应用场景丰富

体二极管为快恢复二极管（降低Q_rr），在同等电压和电流要求下，SJ MOS的芯片面积可以实现更小的封装，因而应用场景丰富。常见的应用电路包括：

20~80mΩ（OBC应用）

20~90mΩ（Residential Solar住宅太阳能、储能、Auto DC/DC）

40~180mΩ（服务器电源）

60~100mΩ（光伏逆变器）

100~360mΩ（Computingpower）

190~600mΩ（消费类电子产品包括液晶电视、等离子电视等）

280~1200mΩ（LED光电照明）

360~1200mΩ（适配器和充电器）

森国科深耕集成电路领域多年，目前已与国内外多家著名的FAB厂达成紧密的合作关系。秉承着“做最合适的功率器件”的理念，致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品，助力来自OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求，持续赋能低碳发展。

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型号- DIW120SIC192

数据手册 - DIOTEC - Version 2024-10-25 - 2024-10-25 PDF 英文下载

深圳市森国科科技股份有限公司（SGKS）是一家专业从事功率器件、模块，功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT、SJMOS，功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷电机驱动芯片两大类。公司总部在深圳市南山区深圳湾生态科技园10A栋，在深圳、成都、苏州设有研发及运营中心。

SIC功率器件碳化硅二极管碳化硅MOSFET SiC二极管模块 SiC MOSFET模块

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派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南

目录- 碳化硅肖特基二极管碳化硅MOSFET

型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4

选型指南 - 派恩杰 PDF 中文下载

无刷直流电机高压变频驱动智能功率模块HL990x系列，内部集成快恢复超结功率MOSFET

Halo Microelectronics推出HL990x（HL9901和HL9904）系列三相全桥智能功率模块（IPM）。这些智能功率模块旨在简化高压无刷直流电机逆变驱动器的开发和生产过程，并在效率和性能上具有重大提升；该系列在一个紧凑的小外形封装中集成了六个高压N-MOSFET及驱动电路。

产品发布时间 : 2024-10-22

泰科天润碳化硅二极管选型表

提供泰科天润碳化硅二极管选型，覆盖常规封装SOD123、SMA、TO-220AC、TO-252、TO-263、TO-247等，覆盖常规功率段，晶圆尺寸：4寸/6寸，VRRM(V)：650V-3300V。

IR(Typ.)(uA)(Tj=175℃)

IR(Max.)(uA)(Tj=175℃)

选型表 - 泰科天润立即选型

HI-SEMICON（深鸿盛）场效应管（MOSFET）选型表

目录- 中低压功率MOSFETs 高压功率MOSFETs 超结MOSFETs

型号- SFU6007T,SFP20N65,SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFF10N65R,SFD7N70,SFF4N60E,SFQ0320T4,SFM4009T,SFE6001T2,SFP20N60,SFK2N50,SFF60N06,SFM041R8T,SFD60N06,SFD2N50,SFP4N65,SFP33N10,SFP4N65E,SCP60R190C,SFP20N70,SFS3401,SFD4N60E,SFS3400,SFD6005T,SFD7N65E-Y,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SCA60R280C,SFM4N65,SFD1N65,SCP70R360C6,SFD3015T,SGA855R0T,SFP50N06,SCA65R540T,SCF65R640C,SFQ0322T4,SFU4N65E,SFF12N65,SFD6006T,SFD6N70,SGM10HR14T,SFQ0420T4,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3N50-P,SFN3009T,SCD60R360C,SFF6N70,SFU3006T,SCF65R1K15C,SFP9N20,SFF50N06,SFD6007T,SFF3N50-P,SFP10N60,SCF65R380C,SFP7N65E-Y,SCP65R380C,SCP60R280C,SFS4008T2,SFS2300,SFF7N65-Y,SCF60R280C,SFF13N50,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP10N70,SCD65R1K2C,SFM4010T,SFD3N50TS,SFF6007T,SCF80R500C,SCD80R500C,SFF2N50,SFD3012T,SFA3018T,SFF7N65,SCF65R310C,SFF7N65E-Y,SCD70R360C6,SFF6006T,SCK65R1K15C,SFD4N65E,SFF15N10,SFU4N65,SFF7N70,SFD4003T,SFU9N65,SFF6005T,SFD7N65-Y,SCP60R160C,SCA60R190C,SCF80R950C,SFK3N50,SCF55R2K7C,SFF12N65-Y,SFE3007T,SFP3006T,SFD5N50,SGM6005DT,SFF9N20,SGF15N10,SFP60N06,SFS2N10,SCF70R600C6,SFD4001PT5,SFP10N65-Y,SFF3N50,SFM4N65E,SCD65R125C,SCF65R125C,SFD4N70,SFP7N65-Y,SFF5N50TS,SFP6005T,SCP65R125C,SGM031R1T,SCF70R420C,SCD70R420C,SFP12N65-Y,SCP65R540T,SCF60R160C,SFD4N65,SFS2N7002,SFF3N50TS,SFF33N10,SCF70R360C6,SFS2302B,SFS2301B,SFD15N10,SFF20N60,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFS4606T,SFU4003T,SGD15N10,SFF9N50,SFD10N65-J,SFF4N65E,SFD4004PT,SFD9N65,SFF20N70,SFU10N65R,SCD55R2K7C,SFU6003T,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SFF9N65,SFP13N50,SCD70R600C6,SFU7N70,SCD65R380C,SFD5N50TS,SFAP4580,SFF10N60,SCD65R540T,SCP60R360C,SFF4N65,SFM0320T4,SCF65R1K2C,SCP80R500C,SGP855R0T,SFU6005T,SFD10N65R,SFD3N50,SFP12N65,SFU6N70,SFU4N60E,SFF4N70,SFF10N65-Y,SFF9N90,SGU15N10,SFM3011T,SFF16N65,SFP110N55,SFU6006T,SFP18N50,SFU15N10,SFF5N50,SFF10N65-J,SFN6004T5,SFP59N10,SFD9N20,SCF65R240C,SCD65R640C,SFM3012T,SFS5N10S,SFN0250T2,SCD65R1K15C

选型指南 - HI-SEMICON - 2022/9/28 PDF 中文下载

40kW充电模块选用森国科KS02120-I碳化硅二极管，有效提升充电速度

KS02120-I碳化硅二极管能够提供高效、高耐压、高频率和高可靠性的解决方案。这款二极管具有1200V的高耐压和20A的电流容量，十分适用于高功率充电模块的需求。KS02120-I碳化硅二极管在40kW充电模块中的应用，可以显著提高充电速度，减少能量损耗，提升系统可靠性，并有助于缩小充电设备的体积。

应用方案发布时间 : 2024-09-27