【元件】 森国科新推650V超结MOSFET系列,具有传导损耗低、电流驱动能力大、栅极电荷低、开启电压低等优点

2023-07-21 森国科公众号
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继先后推出成熟化的全系列碳化硅二极管碳化硅MOSFET以及碳化硅模块产品后,2023年7月森国科正式对外推出650V超结MOSFET系列新品,相较于传统的功率MOSFET,SJMOSFET具有传导损耗低、电流驱动能力大、栅极电荷低、开启电压低、出色的非钳位感性开关能力、百分之百的雪崩能量击穿测试等优点,可满足国内电源客户对高效率、节能环保、小型化、高性价比等方面的要求。



森国科SJMOS采用多次外延的工艺,结构如下图示,在8寸硅晶圆片生产制造。超结结构MOSFET在D端和S端排列多个垂直pn结的结构,其结果是在保持高电压的同时实现了低导通电阻。超级结的存在大大突破了硅的理论极限,而且额定电压越高,导通电阻的下降越明显。


森国科SJMOS元胞结构图


目前,森国科推出的多款650V SJMOS产品,在高压应用中优势较为突出,抗冲击能力强,同时在电路应用中也表现以下几大性能优势,可全面助力电脑、服务器电源、适配器、照明(HID灯,工业照明,道路照明等)、消费类电子产品(液晶电视,等离子电视等)等行业客户实现更优质的电源产品设计。


高耐压、低损耗
得益于特殊的芯片内部结构,使得超结MOS具有极低的内阻,在相同的芯片面积下,超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。较低的内阻,能降低损耗,减少发热。特别在对温度要求高的应用上,使用超结替代传统MOS可以降低产品外壳温度,显著提升器件的易用性和效率。


较低的结电容

由于芯片结构的改变,超结MOS的结电容比传统MOS有很大的降低,超结MOS结电容的减小,可以有效的降低电源电路开关损耗,提高整个电源系统的效率。


稳定性强

强大的EAS能力可以为电源抗冲击提供有效的保证,芯片的内部缺陷远小于低成本的沟槽工艺产品,其高温稳定性大大提高。坚固的SOA和浪涌电流能力,适用于固态继电器和有源整流桥应用。


应用场景丰富

体二极管为快恢复二极管(降低Qrr),在同等电压和电流要求下,SJ MOS的芯片面积可以实现更小的封装,因而应用场景丰富。常见的应用电路包括:

20~80mΩ(OBC应用)


20~90mΩ(Residential Solar住宅太阳能、储能、Auto DC/DC)

40~180mΩ(服务器电源)

60~100mΩ(光伏逆变器)

100~360mΩ(Computingpower)

190~600mΩ(消费类电子产品包括液晶电视、等离子电视等)

280~1200mΩ(LED光电照明)

360~1200mΩ(适配器和充电器)

森国科深耕集成电路领域多年,目前已与国内外多家著名的FAB厂达成紧密的合作关系。秉承着“做最合适的功率器件”的理念,致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品,助力来自OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求,持续赋能低碳发展。

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本文由Vicky转载自森国科公众号,原文标题为:重磅新品 | 森国科推出高耐压、高效率超结MOS,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

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