【产品】科信推出的N沟道MOSFET AO7400，连续漏极电流最大为1.7A，最大结温可达150℃
科信推出的N沟道MOSFET AO7400在Ta=25℃时，绝对最大额定值方面，漏源电压VDS (V)=30V，栅源电压VGS (V)=±12V，连续漏极电流最大为1.7A，最大结温可达150℃，存储温度范围为-55℃到150℃，性能好。
特点
VDS (V)=30V
ID=1.7A(VGS=10V)
RDS(ON)<55mΩ(VGS=10V)
RDS(ON)<65mΩ(VGS=4.5V)
RDS(ON)<85mΩ(VGS=2.5V)
绝对最大额定值：Ta=25℃
电气特性：Ta=25℃
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科信电子N沟道场效应管选型表
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产品型号
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品类
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package
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BVDSS(V)
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ID(A)
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VGSS(V)
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VTH(Min.)
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VTH(Max.)
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RDSON(mΩ)
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Qg(nC)
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PD(W)
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2KK5001DS
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N-Channel MOSFET
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SOT23-3
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选型表 - 科信 立即选型
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提供科信电子MOSFET选型：自主芯片设计，具有超低内阻大电流的特点，采用8英寸沟槽和SGT工艺，封装外形有：SOT23\SOT23-3\SOT23-5\SOT23-6\SOP08\DFN2*2\PDFN5*6\PDFN3.3*3.3 \TO252\TO220等
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产品型号
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品类
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Package
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Configuration
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ESD Diode
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VDS (V)
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VGS (V)
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ID(25℃）(A)
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PD(25℃）(W)
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RDS(ON) (mΩ max)* at VGS=4.5V
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VGS(th)(min)(V)
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VGS(th)(max)(V)
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2KJ6006
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P-Channel MOSFET
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SOT23-3
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Single
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No
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-30V
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12V
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-4.2A
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1.4W
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65mΩ
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-0.4V
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-1.3V
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