【产品】1K的汽车级EEPROM存储器BR93H46-2C,支持Microwire总线
BR93H46-2C是ROHM(罗姆)推出的串行3线接口的串行EEPROM。BR93H46-2C系列包含5种型号,分别是:BR93H46RF-2C、BR93H46RFJ-2C、BR93H46RFVT-2C、BR93H46RFVM-2C与BR93H46RF-2LB(H2)。这几款产品的绝大部分基础参数均一致:容量均为1Kbit,电源电压范围为2.5V 至 5.5V,较宽的供电电压范围能够简化供电电路设计。几款产品的主要区别在于封装形式的不同BR93H46RF-2C与BR93H46RF-2LB(H2)采用SOP8形式的封装,封装的尺寸为5.00mm x 6.20mm x 1.71mm,BR93H46RFJ-2C采用SOP-J8形式的封装,封装的尺寸为4.90mm x 6.00mm x 1.65mm,BR93H46RFVT-2C采用TSSOP-B8形式的封装,其封装尺寸为3.00mm x 6.40mm x 1.20mm,BR93H46RFVM-2C采用MSOP8形式的封装,封装的尺寸为2.90mm x 4.00mm x 0.90mm,通过封装外观可清晰的分辨出同一系列不同型号的存储器,方便用户选型。
图一:BR93H46-2C EEPROM存储器封装外观图
本产品最主要的特点是支持3线制的Microwire总线形式,除此之外,还具有一些其他的特性。其可承受高达6kV的静电电压(HBM/典型值),有较好的静电抵抗能力,扩展了BR93H46-2C的应用场景;该系列产品可以在较宽的温度范围内工作,其工作温度范围为-40℃至+ 125℃,符合工业级器件温度要求;在防止写入错误方面也做了特定的设计,包括:开机时写禁止、通过命令代码禁止写入、低电压写操作错误预防电路等。能够有效的避免写入错误;5V操作电压下,在写入操作时,该产品电流消耗典型值为0.8mA。读操作时,该产品电流消耗典型值为0.5mA。待机状态下,其功耗典型值低至0.1μA,很大程度上减少了功率的消耗;采用ROHM的双单元结构,增加了存储器的可靠性。在数据存储方面,写入周期寿命高达300,000次,可以保留超过50年的数据, 并且完全符合AEC-Q100标准。
图二:BR93H46-2C EEPROM存储器产品引脚图
BR93H46-2C EEPROM存储器产品特点:
·符合Microwire BUS
·可承受高达6kV的静电电压(HBM/典型值)
·宽温度范围-40℃至+ 125℃
·2.5V至5.5V单电源电压操作
·READ操作时的地址自动递增功能
·防止写错误
·开机时写禁止
·通过命令代码禁止写入
·低电压写错误预防电路
·自定时编程周期
·电源电流消耗
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海锋 Lv9. 科学家 2018-11-02学习了
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mcu361 Lv6. 高级专家 2018-11-02还可以。
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无源小王子 Lv7. 资深专家 2018-10-24很好!
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BR24G16-3 Serial EEPROM Series Standard EEPROM I²C BUS EEPROM (2-Wire) Datasheet
型号- BR24G16FJ-3GTZE2,BR24G16 -3,BR24G16FVM -3GTTR,BR24G16NUX -3ZTR,BR24G16NUX -3TTR,BR24G16FJ -3GTE2,BR24G16FVJ -3GTE2,BR24G16FV -3GTE2,BR24G16FVT -3NE2,BR24G16FJ -3NE2,BR24G16XXX-3XXXXX,BR24G16FVT -3GE2,BR24G16-3,BR24G16F -3GTE2
BR24G02-3 Serial EEPROM Series Standard EEPROM I²C BUS EEPROM (2-Wire) Datasheet
型号- BR24G02FVM -3GTTR,BR24G02FVT -3NE2,BR24G02NUX -3TTR,BR24G02-3,BR24G02XXX-3XXXXX,BR24G02NUX -3ZTR,BR24G02 -3,BR24G02FV -3GTE2,BR24G02FJ-3GTZE2,BR24G02FJ -3NE2,BR24G02FJ -3GTE2,BR24G02FVJ -3GTE2,BR24G02F -3GTE2,BR24G02FVT -3GE2
ROHM(罗姆)存储器选型指南(中文)
描述- ROHM的EEPROM系列备有多种容量、多种总线接口方式和不同的封装形式,是保存数据用的非易失存储器。
型号- BR24A01A,BRCA016GWZ-W,BR93GXX-3系列,BRCH064GWZ-3,BR25HXXX-2AC,BR24A02,BR24GXXX-3A,BR93AXX-WM系列,BR24A04,BR25H020,BR24H64,BR24A08,BR93H86,BR93G66,BR24G512,BU9897GUL-W,BR24G256,BR25H128,BR25H010,BR25H1M,BR24G32,BR25H256,BR25G320,BR93G76,BR24G128,BU9882,BU9883,BR24TXX-3AM,BR25S128GUZ-W,BR24G64,BU9847GUL-W,BRCB016GWL-3U,BR24H01,BR25H320,BR25HXXX-2AC系列,BR24H02,BRCE064GWZ-3,BR24H04,BR25H040,BR93A46,BR25H160,BR24H08,BR93G86,BU9832GUL-W,BR25A512,BR24AXX-WM,BR93HXX-2C,BR24HXXX-5AC系列,BR24AXX-WM系列,BR25G1M,BR93GXX-3,BRCF016GWZ-3,BR25GXXX5A系列,BR24A16,BRCB032GWZ-3,BR25AXXX-3M系列,BU99022,BR25HXXX-2C系列,BR93A56,BR24H512,BR24H256,BR25HXXX-5AC系列,BR24GXXX-5X,BR34E02,BR25G128,BR93GXX-3A系列,BR93GXX-3B,BR24GXXX-3A系列,BR93GXX-3A,BR24HXXX-5AC,BRCB064GWZ-3,BR24H1M,BR93A66,BR93AXX-WM,BR25G256,BR24G02,BU9891GUL-W,BR24G01,BR24G04,BR24G08,BR24H128,BR24T1M,BU9889GUL-W,BR93H46,BR24TXX-3AM系列,BR25G512,BU9829GUL-W,BR25A256,BR24A32,BR93A76,BR25G640,BR24GXXX-3系列,BR24H16,BR93H56,BR25HXXX-5AC,BR25H512,BR93GXX-3B系列,BR25HXXX-2C,BR24A64,BR34L02,BRCG016GWZ-3,BR24G1M,BR24C21,BR93A86,BR25H640,BR25H080,BR93H66,BU9833GUL-W,BR93G46,BR24GXXX-3,BR24GXXX-5X系列,BRCB008GWZ-3,BR25A1M,BR25GXXX5A,BR93HXX-2C系列,BR25GXXX-3,BR25GXXX-3系列,BR24H32,BR24T512,BR25AXXX-3M,BRCD016GWZ-3,BR93H76,BR93G56,BR24G16
ROHM(罗姆)串行EEPROM选型指南(英文)
目录- Standard EEPROM Automotive Grade EEPROM WL-CSP EEPROM
型号- BR24H256,BR25G128,BRCA016GWZ-W,BRCH064GWZ-3,BRCB064GWZ-3,BR25H020,BR24H1M,BR93A66,BR25G256,BR24H64,BR24G02,BU9891GUL-W,BR24G01,BR24G04,BR93H86,BR93G66,BR24G08,BR24H128,BR24G512,BU9889GUL-W,BU9897GUL-W,BR24G256,BR93H46,BR25G512,BR25H128,BU9829GUL-W,BR25H010,BR93A76,BR25H1M,BR25G640,BR24G32,BR25H256,BR25G320,BR93G76,BR24H16,BR93H56,BR24G128,BR25H512,BRCG016GWZ-3,BR24G1M,BR25S128GUZ-W,BR93A86,BR24G64,BRCB016GWL-3U,BU9847GUL-W,BR24H01,BR25H640,BR25H320,BR25H080,BR24H02,BR93H66,BRCE064GWZ-3,BU9833GUL-W,BR93G46,BR24H04,BR25H040,BR24GXXX-3,BR25H160,BR93A46,BR93G86,BR24H08,BU9832GUL-W,BRCB008GWZ-3,BR25G1M,BRCF016GWZ-3,BR24H32,BRCB032GWZ-3,BR24GXXX-3 SERIES,BRCD016GWZ-3,BR93H76,BR93G56,BR24G16,BR93A56,BR24H512
何谓 EEPROM?
Electrically Erasable Programable ROM(电可擦可编程非易失存储器)。 安装在电路板上输入电信号,可以改写每个地址的数据。 ROHM的EEPROM可改写的次数达到业界最高水平的100万次,数据可以保存40年。系列中的所有型号产品,其存储器单元都采用ROHM独创的 W-CELL(双单元) 技术,其无可匹敌的高可靠性令人自豪(数据“ 随机失效”为零)。
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罗姆半导体集团推出了BR24G02-3系列串行EEPROM存储器,这几款产品均采用256*8bit的存储结构,内存大小均为2K,具有多种封装形式,分别为:DIP-T8 ,SOP8 ,SOP-J8,SSOP-B8 ,TSSOP-B8,TSSOP-B8M,TSSOP-B8J,SOP- J8M,MSOP8,VSON008X2030。能够胜任要求苛刻的工业、医疗和通信领域。
关于EEPROM, 未使用的存储器区域是否也需要写入“0”或“1”的数据?
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【产品】具有多种封装可选的串行EEPROM存储器,存储容量8K,ESD保护电压±4kV,
罗姆推出了BR24G08-3A系列高性能EEPROM存储器产品,该系列产品的全系内存大小为8K,该系列产品分别采用DIP-T8,SOP8,SOP-J8,TSSOP-B8,TSSOP-B8J,MSOP8,VSON008X2030的封装形式,具有多样化的设计选择,能够满足不同设计需求,产品适用于工业产品,医疗产品,通信产品等应用领域。
【产品】32K串行EEPROM存储器BR24G32-3A,1MHz运行频率
罗姆(ROHM)推出的BR24G32-3A系列高性能EEPROM存储器具有100万个写入周期,长达40年以上的数据保存时效保障该产品能够充分胜任要求苛刻的工业、医疗和通信领域。ESD保护电压在-4000V~+4000V之间,符合工业级芯片温度范围要求,能够在苛刻环境温度下运行,综上所述,该系列产品能够适应大多数工况条件,适用于需要高可靠性的工业产品。
关于I²C的EEPROM, 在内部写入循环中是否也可以通过WP(写保护)端子取消存储器写入?
BR24G-3/BR24G-3A系列 如写入循环中将WP端子设成“H”,则不接受取消。只有在地址之后第1个字节数据的最低位bit导入时钟启动边缘到停止条件的SDA上升沿的区间,取消才有效。 BR24A-WM/BR24T-3AM系列、BR24L-W/BR24S-W系列 虽然在写入循环中可以通过WP端子强制结束,但是会破坏写入对象的EEPROM数据,变得不稳定。请重新写入。除写入循环之外,其他的情况与BR24G系列一样。
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可定制连接器的间距范围1.25mm~4.5mm、单列/双列列数、焊尾/表面贴装/浮动式等安装方式、镀层、针数等参数,插拔寿命达100万次以上。
最小起订量: 1 提交需求>
可根据用户端子定制线束,制程能力:Min: 0.13mm2、Max: 120mm2;具有设计方案验证、定案、样品交付及量产快速响应能力。
最小起订量: 1000pcs 提交需求>
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