【选型】Vincotech的PIM模块可pin-pin替代SKiiP 12AC12T4V1搭建变频器系统
通用变频器的主体架构一般为“整流+刹车+逆变”，故小功率段多采用PIM模块搭建主体架构。
图1：变频器主体架构图
本文主要介绍采用1200V/15A的miniskiip类型PIM模块搭建变频器系统时，VINCOTECH的80-M1126PA015M7-K218F70可pin to pin 替代semikron的SKiiP 12AC12T4V1。
图2：80-M1126PA015M7-K218F70的原理图
80-M1126PA015M7-K218F70的主要参数如下：
图3：SKiiP11NAB12T4V1的原理图
SKiiP11NAB12T4V1的主要参数如下：
1、通过表格的参数信息，在散热器温度相差10℃得情况下两者的电压能力是一致的，均是1200V。
2、80-M1126PA015M7-K218F70的IGBT和二极管在散热器80℃情况下电流15A，SKiiP11NAB12T4V1在散热器70℃的情况下电流18A，通过10℃的温度折算，80-M1126PA015M7-K218F70在散热器70℃也是在18A左右，故两者的电流能力基本一致。
3、80-M1126PA015M7-K218F70的Vcesat和Vf的电压均比SKiiP11NAB12T4V1低，在同样的外围电路和应用环境下，正向导通损耗和反向续流二极管的导通损耗会更低，相当于应用时器件的整体效率更高且温升更低。
4、两者均是具有10μS的短路能力。
故整体来看，性能上完全可以替换。
图4：封装信息
80-M1126PA015M7-K218F70和SKiiP11NAB12T4V1的封装均为miniskiip1封装，尺寸和脚位定义均是一样的。两者尺寸均为42mm*40mm*16mm。故两者在封装上是兼容的。
根据80-M1126PA015M7-K218F70和 SKiiP11NAB12T4V1的原理图、元器件的规格参数和封装大小尺寸的数据对比，80-M1126PA015M7-K218F70在性能和封装上均能实现PIN-to-PIN替代SKiiP11NAB12T4V1。
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VINCOTECH-IGBT功率模块选型表
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产品型号
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品类
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SUB-TOPOLOGY
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PRODUCT LINE
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VOLTAGEIN（V）
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CURRENTIN(A)
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MAIN CHIP TECHNOLOGY
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HOUSING FAMILY
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HEIGHTIN（mm）
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ISOLATION
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V23990-K429-A40-PM
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IGBT功率模块
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CIB-KE-NTC
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MiniSKiiP® PIM 3
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1200
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75
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IGBT4
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MiniSKiiP® 3
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16
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Al2O3
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选型表 - VINCOTECH 立即选型
VINCOTECH功率模块选型表
VINCOTECH提供以下技术参数的功率模块产品选型，提供PIM模块，6管（sixpack）模块，半桥（Half-Bridge）模块，全桥（H-Bridge）模块，I型三电平（NPC）模块，T三电平（MNPC）模块，升压（Booster）模块，电力电压模块等数十种拓扑的IGBT模块选型，电压范围600-1600V，电流范围4-1800A。
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产品型号
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品类
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产品状态
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拓扑
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电压(V)
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电流(A)
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模块高度 (mm)
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晶圆工艺
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封装
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10-0B06PPA004RC-L022A09
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SiC功率模块
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Series production
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PIM+PFC(CIP)
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600V
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4A
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17mm
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IGBT RC
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flow 0B
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选型表 - VINCOTECH 立即选型
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